Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактIxys (5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Сопротивление | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Максимальная диссипация власти | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Подсчет штифтов | Конфигурация элемента | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Включить время задержки | Время подъема | Время падения (тип) | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | DS Breakdown Trastage-Min | Power Dissipation-Max | Jedec-95 код | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Утечь к сопротивлению источника | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | FET функция | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Ixfa18n60x | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp18n60x-datasheets-3822.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 19 недель | 18а | 600 В. | 320W TC | N-канал | 1440pf @ 25V | 230 мм ω @ 9a, 10 В | 4,5 В при 1,5 мА | 18a tc | 35NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfp34n65x2m | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 19 недель | соответствие | 650 В. | 40 Вт TC | N-канал | 3230pf @ 25V | 100 м ω @ 17a, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 34A TC | 56NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixft4n100q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft4n100q-datasheets-3940.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | Свободно привести | 2 | 3 | да | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 15NS | 18 нс | 32 нс | 4а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 150 Вт TC | 4а | 16A | 3 Ом | 700 МДж | 1 кВ | N-канал | 1050pf @ 25V | 3 ω @ 2a, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 4A TC | 39NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||
| IXTQ88N15 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-3P-3, SC-65-3 | 88а | 150 В. | N-канал | 88A TC | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA15N50L2-TRL | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 28 недель | 500 В. | 300 Вт TC | N-канал | 4080pf @ 25V | 480 м ω @ 7,5а, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 15a tc | 123NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfh26n65x2 | Ixys | $ 9,86 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 23 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixft50n60x | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq50n60x-datasheets-4003.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 19 недель | 50а | 600 В. | 660 Вт TC | N-канал | 4660PF @ 25V | 73 м ω @ 25a, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 50A TC | 116NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ26N50 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-3P-3, SC-65-3 | 26а | 500 В. | N-канал | 26a tc | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfk120n20p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarp2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh120n20p-datasheets-4160.pdf | До 264-3, до 264AA | 3 | 30 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 714W | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 35NS | 31 нс | 100 нс | 120a | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 714W TC | 300а | 0,022 гм | 2000 MJ | 200 В | N-канал | 6000pf @ 25V | 22m ω @ 500ma, 10 В | 5V @ 4MA | 120A TC | 152NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFH120N25T | Ixys | $ 65,13 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Trencht2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh120n25t-datasheets-4267.pdf | До 247-3 | 3 | 30 недель | Ear99 | Лавина оценена | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSFM-T3 | 120a | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 250 В. | 250 В. | 890 Вт TC | До-247AD | 300а | 0,023ohm | 500 МДж | N-канал | 11300PF @ 25V | 23m ω @ 60a, 10 В | 5V @ 4MA | 120A TC | 180nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH72N20 | Ixys | $ 2,06 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth72n20-datasheets-4294.pdf | До 247-3 | 3 | 3 | да | Ear99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | 30ns | 20 нс | 80 нс | 72а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 400 Вт TC | До-247AD | 288а | 1500 МДж | 200 В | N-канал | 4400PF @ 25V | 33 м ω @ 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 72A TC | 170NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfh11n80 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh13n80-datasheets-2163.pdf | 800 В. | 11A | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 950 мох | 3 | да | Лавина оценена | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | 33NS | 32 нс | 63 нс | 11A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | 44а | 800 В. | N-канал | 4200PF @ 25V | 950 м ω @ 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 11a tc | 155NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH10N100D | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10n100d-datasheets-4365.pdf | До 247-3 | 3 | да | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 85ns | 75 нс | 110 нс | 10а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 400 Вт TC | 20А | 1 кВ | N-канал | 2500pf @ 25V | 1,4 ω @ 10a, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 10a tc | 130NC @ 10V | Режим истощения | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFQ23N60Q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Масса | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2017 | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 23а | 600 В. | N-канал | 23a tc | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXUV170N075S | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Масса | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | Плюс-220smd | 220 | 300 Вт | Одинокий | 300 Вт | 175a | 5,3 мома | 75 В. | N-канал | 175a tc | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixft16n120p-trl | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 26 недель | 1200 В. | 660 Вт TC | N-канал | 6900PF @ 25V | 950 м ω @ 8a, 10 В | 6,5 В @ 1MA | 16a tc | 120NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfr80n60p3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polar3 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr80n60p3-datasheets-4547.pdf | До 247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | 30 недель | 247 | Одинокий | FET Общее назначение власти | 48 нс | 87 нс | 48а | 30 В | 600 В. | 540 Вт TC | N-канал | 13100pf @ 25V | 76 м ω @ 40a, 10 В | 5 В @ 8ma | 48A TC | 190nc @ 10v | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK44N50 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | Непригодный | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | Не совместимый с ROHS | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk44n50-datasheets-7596.pdf | 500 В. | 44а | До 264-3, до 264AA | 3 | 3 | да | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 60ns | 30 нс | 100 нс | 44а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 Вт TC | 176a | 0,12 л | 500 В. | N-канал | 8400PF @ 25V | 120 м ω @ 22a, 10 В | 4 В @ 8ma | 44A TC | 270NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA102N15T | Ixys | $ 4,19 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta102n15t-datasheets-9411.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 2 | 30 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | неизвестный | E3 | Чистого олова | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455W | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 14ns | 22 нс | 25 нс | 102а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 455W TC | 300а | 0,018ohm | 750 МДж | 150 В. | N-канал | 5220pf @ 25V | 18m ω @ 500 мА, 10 В | 5V @ 1MA | 102A TC | 87NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||
| IXTH74N15T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 247-3 | 74а | 150 В. | N-канал | 74A TC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA16N50P3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polar3 ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp16n50p3-datasheets-3145.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 3 | 30 недель | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | ОДИНОКИЙ | Сквозь дыру | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSFM-T3 | 16A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 В. | 500 В. | 330W TC | До-220AB | 40a | 0,36 Ом | 300 МДж | N-канал | 1515pf @ 25V | 360 м ω @ 8a, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 16a tc | 29NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfa34n65x2-trl | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 19 недель | 650 В. | 540 Вт TC | N-канал | 3230pf @ 25V | 100 м ω @ 17a, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 34A TC | 56NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA76N15T2 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Trencht2 ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp76n15t2-datasheets-5436.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 2 | 30 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 76а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 150 В. | 150 В. | 350 Вт TC | До-263AA | 200a | 0,02 Ом | 500 МДж | N-канал | 5800pf @ 25V | 20 м ω @ 38a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 76A TC | 97NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
| Ixfa44n25x3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 19 недель | соответствие | 250 В. | 240 Вт TC | N-канал | 2200PF @ 25V | 40 м ω @ 22а, 10 В | 4,5 В @ 1MA | 44A TC | 33NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfh14n60p3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polar3 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh14n60p3-datasheets-0202.pdf | До 247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | 3 | 24 недели | 3 | Лавина оценена | 3 | Одинокий | 1 | FET Общее назначение власти | 21 нс | 43 нс | 14а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 600 В. | 600 В. | 327W TC | До-247AD | 0,54 Ом | 700 МДж | N-канал | 1480pf @ 25V | 540 м ω @ 7a, 10 В | 5V @ 1MA | 14a tc | 25NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP102N15T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2009 | /files/ixys-ixfa102n15t-datasheets-0109.pdf | До 220-3 | 3 | 26 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 102а | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 150 В. | 150 В. | 455W TC | До-220AB | 300а | 0,018ohm | 750 МДж | N-канал | 5220pf @ 25V | 18m ω @ 500 мА, 10 В | 5V @ 1MA | 102A TC | 87NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfa72n30x3-trl | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 19 недель | 300 В. | 390 Вт TC | N-канал | 5400PF @ 25V | 19 м ω @ 36а, 10 В | 4,5 В при 1,5 мА | 72A TC | 82NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfp30n60x | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp30n60x-datasheets-0441.pdf | До 220-3 | 19 недель | 30A | 600 В. | 500 Вт TC | N-канал | 2270pf @ 25V | 155 м ω @ 15a, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 30A TC | 56NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ26P20P | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarp ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp26p20p-datasheets-1592.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | 3 | 24 недели | да | Ear99 | Лавина оценена | неизвестный | E3 | Чистого олова | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 33NS | 21 нс | 46 нс | 26а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 200 В | 300 Вт TC | 70A | 0,17 Ом | 1500 МДж | -200v | P-канал | 2740pf @ 25V | 170 м ω @ 13a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 26a tc | 56NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||
| IXTQ72N30T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-3P-3, SC-65-3 | До 3p | 72а | 300 В. | N-канал | 72A TC |
