Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Time-Max (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFT30N85XHV | ИКСИС | $13,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n85x-datasheets-1375.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | да | неизвестный | 850В | 695 Вт Тс | N-канал | 2460пФ при 25В | 220 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 30А Тс | 68 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT10N100D2 | ИКСИС | $16,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10n100d2-datasheets-7031.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | 3 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 10А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1000В | 695 Вт Тс | N-канал | 5320пФ при 25В | 1,5 Ом при 5 А, 10 В | 10А Тс | 200 нК при 5 В | Режим истощения | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH14N80 | ИКСИС | $3,69 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh14n80-datasheets-4421.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 33нс | 32 нс | 63 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 250 нс | 56А | 0,7 Ом | 800В | N-канал | 4870пФ при 25 В | 150 нс | 100 нс | 700 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 14А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFT30N50Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n50q3-datasheets-3628.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 16,05 мм | 5,1 мм | 14 мм | 2 | 26 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 690 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 250 нс | 26 нс | 30А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 690 Вт Тс | 90А | 0,2 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3200пФ при 25В | 200 мОм при 15 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 30А Тс | 62 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT58N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh50n20-datasheets-1852.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 26 недель | 40МОм | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 16 нс | 72 нс | 58А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 232А | 200В | N-канал | 4400пФ при 25В | 40 мОм при 29 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 58А Тс | 220 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИХТК102Н65Х2 | ИКСИС | $15,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk102n65x2-datasheets-4817.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 102А | 650В | 1040 Вт Тс | N-канал | 10900пФ при 25В | 30 мОм при 51 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 102А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH80N10Q | ИКСИС | 2,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh80n10q-datasheets-8192.pdf | 100 В | 80А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 150 мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 360 Вт | 1 | 70нс | 30 нс | 68 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 100 В | N-канал | 4500пФ при 25В | 15 мОм при 40 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 80А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP20N65X2M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 15 недель | совместимый | 650В | 36 Вт Тк | N-канал | 1450пФ при 25В | 185 мОм при 10 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 27 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP18N65X2M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 19 недель | совместимый | 650В | 290 Вт Тс | N-канал | 1520пФ при 25В | 200 мОм при 9 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 18А Тк | 29 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA34N65X2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | 650В | 540 Вт Тс | N-канал | 3000пФ при 25В | 96 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 34А Тк | 54 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP18N60PM | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp18n60pm-datasheets-9972.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 9А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 90 Вт Тс | ТО-220АБ | 9А | 54А | 0,42 Ом | 1000 мДж | N-канал | 2500пФ при 25В | 420 мОм при 9 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 49 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ72N20T | ИКСИС | $16,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 72А | 200В | N-канал | 72А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP5N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp5n100p-datasheets-0151.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 26 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПСФМ-Т3 | 5А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 250 Вт Тс | ТО-220АБ | 5А | 300 мДж | 1кВ | N-канал | 1830пФ при 25В | 2,8 Ом при 500 мА, 10 В | 6 В при 250 мкА | 5А Тс | 33,4 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH20N65X2 | ИКСИС | $6,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247-3 | 15 недель | совместимый | 650В | 290 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 25В | 185 мОм при 10 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 27 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА90Н15Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth90n15t-datasheets-0089.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 22нс | 19 нс | 44 нс | 90А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 455 Вт Тс | 250А | 0,02 Ом | 0,75 мДж | 150 В | N-канал | 4100пФ при 25В | 20 мОм при 45 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 90А Тс | 80 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH96N25T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv96n25t-datasheets-3866.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 22нс | 28 нс | 59 нс | 96А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 625 Вт Тс | ТО-247АД | 250А | 0,029 Ом | 2000 мДж | 250 В | N-канал | 6100пФ при 25 В | 29 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 96А Тц | 114 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ86N25T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 26 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 540 Вт Та | 86А | 190А | 0,037Ом | 1500 мДж | N-канал | 5330пФ при 25В | 37 мОм при 43 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 86А Тк | 105 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA7N100P | ИКСИС | $60,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh7n100p-datasheets-3974.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 7А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1000В | 300 Вт Тс | 7А | 18А | N-канал | 2590пФ при 25В | 1,9 Ом при 3,5 А, 10 В | 6 В @ 1 мА | 7А Тк | 47 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH68P20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt68p20t-datasheets-8430.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСФМ-Т3 | 68А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 568 Вт Тс | ТО-247АД | 200А | 0,055 Ом | 2500 мДж | P-канал | 33400пФ при 25В | 55 мОм при 34 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 68А Тк | 380 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ102N25T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 102А | 250 В | N-канал | 102А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR12N120P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ISOPLUS247™ | 18 недель | 1200В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK32N90P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n90p-datasheets-0702.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 26 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПСФМ-Т3 | 32А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 960 Вт Тс | 80А | 0,3 Ом | 2000 мДж | N-канал | 10600пФ при 25В | 300 мОм при 16 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 32А Тк | 215 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK120N25 | ИКСИС | $53,04 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk120n25-datasheets-0742.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 20МОм | 3 | да | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 730 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 38нс | 35 нс | 175 нс | 120А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 730 Вт Тс | 480А | 4000 мДж | 250 В | N-канал | 7700пФ при 25 В | 20 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 120А Тс | 360 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKF40N60SCD1 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkf40n60scd1-datasheets-0775.pdf | i4-Pac™-5 (3 отведения) | Без свинца | 3 | 32 недели | 70МОм | 5 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 280 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 30 нс | 10 нс | 110 нс | 41А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 38А | 600В | N-канал | 70 мОм при 25 А, 10 В | 3,9 В @ 3 мА | 41А Тц | 250 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK32N60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n60-datasheets-0809.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 45нс | 60 нс | 100 нс | 32А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 128А | 0,15 Ом | 600В | N-канал | 9000пФ при 25В | 250 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 32А Тк | 325 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT4N150HV-TRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | 1500В | 280 Вт Тс | N-канал | 1576пФ при 25 В | 6 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 44,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK20N120P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx20n120p-datasheets-0816.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 30 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 780 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 45нс | 70 нс | 72 нс | 20А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 780 Вт Тс | 50А | 0,57 Ом | 1000 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 11100пФ при 25 В | 570 мОм при 10 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 20А Тс | 193 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXKG25N80C | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkg25n80c-datasheets-0933.pdf | ISO264™ | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Не квалифицирован | 25нс | 10 нс | 75 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 Вт Тс | 0,15 Ом | 690 мДж | 800В | N-канал | 150 мОм при 9 А, 10 В | 4 В при 2 мА | 25А Тс | 166 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFL82N60P | ИКСИС | $30,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfl82n60p-datasheets-0974.pdf | ISOPLUS264™ | 3 | 26 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 Вт | 1 | Не квалифицирован | 23нс | 24 нс | 79 нс | 55А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 625 Вт Тс | 200А | 0,078Ом | 5000 мДж | 600В | N-канал | 23000пФ при 25В | 78 мОм при 41 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 55А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR10N100Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr12n100q-datasheets-0945.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 23нс | 15 нс | 40 нс | 9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 250 Вт Тс | 9А | 40А | 1кВ | N-канал | 2900пФ при 25В | 1,2 Ом при 5 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 9А Тц | 90 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
