Ixys (5222)

Имя	Производитель	Цены (доллар)	Количество	Статус частично	Ряд	Устанавливать	Монтажный тип	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности влаги (MSL)	Технология	Операционный режим	Статус ROHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение - рейтинг DC	Текущий рейтинг	Пакет / корпус	Длина	Высота	Ширина	Свободно привести	Количество терминаций	Время выполнения завода	Сопротивление	Количество булавок	PBFREE CODE	Код ECCN	Дополнительная функция	Радиационное упрочнение	Достичь кода соответствия	Код JESD-609	Терминальная отделка	Поверхностное крепление	Терминальная позиция	Терминальная форма	Пиковая температура отвоз (CEL)	Подсчет штифтов	Конфигурация элемента	Время@Пиковой температуру (я)	Рассеяние власти	Количество элементов	Подкатегория	Квалификационный статус	Код JESD-30	Пакет устройства поставщика	Включить время задержки	Время подъема	Время падения (тип)	Отключить время задержки	Непрерывный ток дренажа (ID)	Веревка к источническому напряжению (VGS)	Материал транзистора	Конфигурация	Случайный соединение	Приложение транзистора	Слейте до источника напряжения (VDS)	DS Breakdown Trastage-Min	Power Dissipation-Max	Jedec-95 код	Время восстановления	Дренажный ток-ток (ABS) (ID)	Импульсный ток сливного тока (IDM)	Дренажный источник на сопротивлении-макс	Рейтинг Evalanche Energy (EAS)	Слив до источника напряжения разбивки	Тип FET	Входная емкость (ciss) (max) @ vds	Выключите время-макс (Toff)	Включите время-макс (тонна)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C	Заряд затвора (qg) (max) @ vgs	FET функция	Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON)	VGS (макс)
Ixtf200n10t	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Trenchmv ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 175 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2009	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtf200n10t-datasheets-4126.pdf			i4-pac ™ -5					3	28 недель		5	да	Ear99	Лавина оценена			E1	Олово/серебро/медь (sn/ag/cu)		ОДИНОКИЙ		НЕ УКАЗАН	5		НЕ УКАЗАН	200 Вт	1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован	R-PSFM-T3			31ns	34 нс	45 нс	90A		Кремний	Сингл со встроенным диодом	Изолирован	Переключение			156W TC					0,007 Ом		100 В	N-канал	9400PF @ 25V			7m ω @ 50a, 10 В	4,5 В при 250 мкА	90A TC	152NC @ 10V		10 В	± 30 В
Ixft80n65x2hv-trl	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ			МОСФЕТ (оксид металла)							TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA						19 недель																																	650 В.		890 Вт TC								N-канал	8300PF @ 25V			38M ω @ 40a, 10 В	5V @ 4MA	80A TC	140NC @ 10V		10 В	± 30 В
Ixft69n30p	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Polarht ™ Hiperfet ™	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh69n30p-datasheets-4070.pdf			TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA					2	26 недель			да	Ear99	Лавина оценена		not_compliant	E3	Матовая олова (SN)			Крыло Печата	НЕ УКАЗАН	4	Одинокий	НЕ УКАЗАН	500 Вт	1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован	R-PSSO-G2			25NS	27 нс	75 нс	69а	20 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение			500 Вт TC				200a	0,049 Ом	1500 МДж	300 В.	N-канал	4960PF @ 25V			49 м ω @ 500 мА, 10 В	5V @ 4MA	69A TC	180nc @ 10v		10 В	± 20 В.
IXTT88N15	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Масса	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt88n15-datasheets-4249.pdf			TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA				Свободно привести	2				да	Ear99		Нет		E3	Матовая олова (SN)			Крыло Печата		4	Одинокий		400 Вт	1			R-PSSO-G2			33NS	18 нс	80 нс	88а	20 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение			400 Вт TC				352а	0,022 гм		150 В.	N-канал	4000pf @ 25v			22m ω @ 44a, 10 В	4 В @ 250 мкА	88A TC	170NC @ 10V		10 В	± 20 В.
Ixtt10p60	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2012	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10p60-datasheets-2057.pdf			TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA				Свободно привести	2	24 недели		3	да		Лавина оценена		not_compliant	E3	Матовая олова (SN)		ОДИНОКИЙ	Крыло Печата	НЕ УКАЗАН	4		НЕ УКАЗАН		1	Другие транзисторы	Не квалифицирован	R-PSSO-G2						10а		Кремний	Сингл со встроенным диодом	ОСУШАТЬ	Переключение	600 В.	600 В.	300 Вт TC				40a	1 Ом			P-канал	4700PF @ 25V			1 ω @ 5a, 10 В	5 В @ 250 мкА	10a tc	160NC @ 10V		10 В	± 20 В.
IXTH440N055T2	Ixys	$ 54,19	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Trencht2 ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 175 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2009	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt440n055t2-datasheets-3581.pdf			До 247-3					3	28 недель		3	да	Ear99	Лавина оценена			E1	Олово/серебро/медь (sn/ag/cu)		ОДИНОКИЙ		НЕ УКАЗАН	3		НЕ УКАЗАН		1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован							440a		Кремний	Сингл со встроенным диодом	ОСУШАТЬ	Переключение	55 В.	55 В.	1000 Вт TC				1200а	0,0018OM	1500 МДж		N-канал	25000pf @ 25 В			1,8 мм ω @ 100a, 10 В	4 В @ 250 мкА	440A TC	405NC @ 10V		10 В	± 20 В.
Ixft30n85xhv	Ixys	$ 13,43	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Hiperfet ™		Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)		ROHS3 соответствует	2016	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n85x-datasheets-1375.pdf			TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA						19 недель			да				неизвестный																										850 В.		695W TC								N-канал	2460PF @ 25V			220 мм ω @ 500 мА, 10 В	5,5 В @ 2,5 мА	30A TC	68NC @ 10V		10 В	± 30 В
Ixtt10n100d2	Ixys	$ 16,36	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10n100d2-datasheets-7031.pdf			TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA					2	24 недели		3					неизвестный	E3	Матовая олова (SN)		ОДИНОКИЙ	Крыло Печата		4				1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован	R-PSSO-G2						10а		Кремний	Сингл со встроенным диодом	ОСУШАТЬ	Переключение	1000 В.	1000 В.	695W TC								N-канал	5320pf @ 25V			1,5 ω @ 5a, 10 В		10a tc	200nc @ 5V	Режим истощения	10 В	± 20 В.
IXFH14N80	Ixys	$ 3,69	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Hiperfet ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh14n80-datasheets-4421.pdf			До 247-3				Свободно привести	3	30 недель		3	да		Лавина оценена								НЕ УКАЗАН	3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	300 Вт	1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован				33NS	32 нс	63 нс	14а	20 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение			300 Вт TC	До-247AD	250 нс		56а	0,7 Ом		800 В.	N-канал	4870pf @ 25V	150ns	100ns	700 м ω @ 500 мА, 10 В	4,5 В @ 4MA	14a tc	200nc @ 10V		10 В	± 20 В.
IXFT30N50Q3	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Hiperfet ™	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n50q3-datasheets-3628.pdf			TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA	16,05 мм	5,1 мм	14 мм		2	26 недель		3			Лавина оценена		неизвестный					Крыло Печата		4	Одинокий		690 Вт	1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован	R-PSSO-G2		14 нс	250ns		26 нс	30A	30 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение			690 Вт TC				90A	0,2 Ом	1500 МДж	500 В.	N-канал	3200PF @ 25V			200 метров ω @ 15a, 10 В	6,5 В @ 4MA	30A TC	62NC @ 10V		10 В	± 20 В.
Ixft58n20	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Hiperfet ™	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2000	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh50n20-datasheets-1852.pdf			TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA				Свободно привести	2	26 недель	40 мом		да		Лавина оценена			E3	Матовая олова (SN)			Крыло Печата	НЕ УКАЗАН	4	Одинокий	НЕ УКАЗАН	300 Вт	1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован	R-PSSO-G2			15NS	16 нс	72 нс	58а	20 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение			300 Вт TC				232а			200 В	N-канал	4400PF @ 25V			40 м ω @ 29а, 10 В	4V @ 4MA	58A TC	220NC @ 10V		10 В	± 20 В.
Ixtk102n65x2	Ixys	$ 15,87	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)		ROHS3 соответствует	2015	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk102n65x2-datasheets-4817.pdf			До 264-3, до 264AA						15 недель				Ear99			not_compliant						НЕ УКАЗАН			НЕ УКАЗАН											102а						650 В.		1040W TC								N-канал	10900pf @ 25V			30 м ω @ 51a, 10 В	5 В @ 250 мкА	102A TC	152NC @ 10V		10 В	± 30 В
Ixfh80n10q	Ixys	$ 2,05	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Hiperfet ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	Непригодный	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS COMPARINT	2000	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh80n10q-datasheets-8192.pdf	100 В	80A	До 247-3				Свободно привести	3	8 недель	150 мох	3	да	Ear99	Лавина оценена	Нет		E1	Олово/серебро/медь (sn/ag/cu)					3	Одинокий		360 Вт	1						70NS	30 нс	68 нс	80A	20 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение			360 Вт TC							100 В	N-канал	4500PF @ 25V			15m ω @ 40a, 10 В	4V @ 4MA	80A TC	180nc @ 10v		10 В	± 20 В.
Ixtp20n65x2m	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ			МОСФЕТ (оксид металла)							TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка						15 недель							соответствие																										650 В.		36W TC								N-канал	1450pf @ 25V			185m ω @ 10a, 10v	4,5 В при 250 мкА	20А TC	27NC @ 10V		10 В	± 30 В
Ixfp18n65x2m	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ			МОСФЕТ (оксид металла)							TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка						19 недель							соответствие																										650 В.		290W TC								N-канал	1520pf @ 25V			200 метров ω @ 9a, 10v	5 В @ 1,5 мА	18a tc	29NC @ 10V		10 В	± 30 В
Ixta34n65x2-trl	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ			МОСФЕТ (оксид металла)							TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB						15 недель																																	650 В.		540 Вт TC								N-канал	3000pf @ 25 В			96m ω @ 17a, 10 В	5 В @ 250 мкА	34A TC	54NC @ 10V		10 В	± 30 В
IXTP18N60PM	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Polar ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp18n60pm-datasheets-9972.pdf			TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка					3				да		Лавина оценена			E3	Чистого олова		ОДИНОКИЙ		НЕ УКАЗАН	3		НЕ УКАЗАН		1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован	R-PSFM-T3						9а		Кремний	Сингл со встроенным диодом	ОСУШАТЬ	Переключение	600 В.	600 В.	90 Вт TC	До-220AB		9а	54а	0,42 дюйма	1000 МДж		N-канал	2500pf @ 25V			420 мм ω @ 9a, 10 В	5,5 В при 250 мкА	9A TC	49NC @ 10V		10 В	± 30 В
IXTQ72N20T	Ixys	$ 16,84	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру		Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)		ROHS3 соответствует					TO-3P-3, SC-65-3																												До 3p					72а						200 В										N-канал						72A TC
Ixfp5n100p	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Hiperfet ™, Polarp2 ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2008	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp5n100p-datasheets-0151.pdf			До 220-3				Свободно привести	3	26 недель			да		Лавина оценена	Нет		E1	Олово/серебро/медь (sn/ag/cu)					3	Одинокий		250 Вт	1	FET Общее назначение власти		R-PSFM-T3						5A	30 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение	1000 В.		250 Вт TC	До-220AB		5A			300 МДж	1 кВ	N-канал	1830pf @ 25V			2,8 ω @ 500 мА, 10 В	6 В @ 250 мкА	5A TC	33,4NC @ 10V		10 В	± 30 В
IXTH20N65x2	Ixys	$ 6,16	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ			МОСФЕТ (оксид металла)							До 247-3						15 недель							соответствие																										650 В.		290W TC								N-канал	1450pf @ 25V			185m ω @ 10a, 10v	4,5 В при 250 мкА	20А TC	27NC @ 10V		10 В	± 30 В
Ixta90n15t	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 175 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2007	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth90n15t-datasheets-0089.pdf			TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB					2				да	Ear99	Лавина оценена		not_compliant	E3	Матовая олова (SN)			Крыло Печата	НЕ УКАЗАН	4	Одинокий	НЕ УКАЗАН	455W	1		Не квалифицирован	R-PSSO-G2			22ns	19 нс	44 нс	90A	30 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение			455W TC				250a	0,02 Ом	0,75 МДж	150 В.	N-канал	4100PF @ 25V			20 м ω @ 45a, 10 В	4,5 В @ 1MA	90A TC	80NC @ 10V		10 В	± 30 В
IXTH96N25T	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Trenchhv ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2007	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv96n25t-datasheets-3866.pdf			До 247-3					3	30 недель			да	Ear99	Лавина оценена			E1	Олово/серебро/медь (sn/ag/cu)				НЕ УКАЗАН	3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	625 Вт	1		Не квалифицирован	R-PSFM-T3			22ns	28 нс	59 нс	96а	30 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение			625W TC	До-247AD			250a	0,029 Ом	2000 MJ	250 В.	N-канал	6100PF @ 25V			29m ω @ 500 мА, 10 В	5V @ 1MA	96A TC	114NC @ 10V		10 В	± 30 В
IXTQ86N25T	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать			Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ			МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS COMPARINT	2012				TO-3P-3, SC-65-3					3	26 недель			да	Ear99	Лавина оценена		соответствие	E3	Матовая олова (SN)	НЕТ	ОДИНОКИЙ		НЕ УКАЗАН	3		НЕ УКАЗАН		1		Не квалифицирован	R-PSFM-T3								Кремний	Сингл со встроенным диодом	ОСУШАТЬ	Переключение	250 В.	250 В.	540 Вт та			86а	190a	0,037 Ом	1500 МДж		N-канал	5330pf @ 25V			37 м ω @ 43a, 10 В	5V @ 1MA	86A TC	105NC @ 10V		10 В	± 30 В
Ixfa7n100p	Ixys	$ 60,34	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Hiperfet ™, Polarp2 ™	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2014	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh7n100p-datasheets-3974.pdf			TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				Свободно привести	2	30 недель		3	да		Лавина оценена			E3	Матовая олова (SN)		ОДИНОКИЙ	Крыло Печата	НЕ УКАЗАН	4		НЕ УКАЗАН		1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован	R-PSSO-G2						7A		Кремний	Сингл со встроенным диодом	ОСУШАТЬ	Переключение	1000 В.	1000 В.	300 Вт TC			7A	18а				N-канал	2590pf @ 25V			1,9 Ом @ 3,5А, 10 В	6V @ 1MA	7A TC	47NC @ 10V		10 В	± 30 В
IXTH68P20T	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Renchp ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2012	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt68p20t-datasheets-8430.pdf			До 247-3					3	28 недель				Ear99	Лавина оценена						ОДИНОКИЙ			3				1	Другие транзисторы		R-PSFM-T3						68а		Кремний	Сингл со встроенным диодом	ОСУШАТЬ	Переключение	200 В	200 В	568W TC	До-247AD			200a	0,055 д	2500 MJ		P-канал	33400PF @ 25V			55 м ω @ 34a, 10 В	4 В @ 250 мкА	68A TC	380NC @ 10V		10 В	± 15 В.
IXTQ102N25T	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру		Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)		ROHS3 соответствует					TO-3P-3, SC-65-3																																	102а						250 В.										N-канал						102A TC
IXFR12N120p	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Через дыру	Через дыру		Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)		ROHS3 соответствует					Isoplus247 ™						18 недель																																	1200 В.										N-канал
Ixfk32n90p	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Polarht ™ Hiperfet ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n90p-datasheets-0702.pdf			До 264-3, до 264AA					3	26 недель					Лавина оценена						ОДИНОКИЙ			3				1	FET Общее назначение власти		R-PSFM-T3						32а		Кремний	Сингл со встроенным диодом	ОСУШАТЬ	Переключение	900 В.	900 В.	960 Вт TC				80A	0,3 Ом	2000 MJ		N-канал	10600PF @ 25V			300 м ω @ 16a, 10 В	6,5 В @ 1MA	32A TC	215NC @ 10V		10 В	± 30 В
IXTK120N25	Ixys	$ 53,04	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Мегамос ™	Через дыру	Через дыру	-55 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk120n25-datasheets-0742.pdf			До 264-3, до 264AA				Свободно привести	3		20 мох	3	да	Ear99			неизвестный						НЕ УКАЗАН	3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	730 Вт	1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован				38NS	35 нс	175 нс	120a	20 В	Кремний		ОСУШАТЬ	Переключение			730W TC				480a		4000 МДж	250 В.	N-канал	7700PF @ 25V			20 м ω @ 500 мА, 10 В	4 В @ 250 мкА	120A TC	360NC @ 10V		10 В	± 20 В.
Ixkf40n60scd1	Ixys		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Coolmos ™	Через дыру	Через дыру	-40 ° C ~ 150 ° C TJ	Трубка	1 (неограниченный)	МОСФЕТ (оксид металла)	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkf40n60scd1-datasheets-0775.pdf			i4-pac ™ -5 (3 проводника)				Свободно привести	3	32 недели	70mohm	5	да		Высокая надежность			E1	Олово/серебро/медь (sn/ag/cu)				НЕ УКАЗАН	3	Одинокий	НЕ УКАЗАН	280 Вт	1	FET Общее назначение власти	Не квалифицирован	R-PSIP-T3			30ns	10 нс	110 нс	41а	20 В	Кремний		Изолирован	Переключение						38а				600 В.	N-канал				70 м ω @ 25a, 10 В	3,9 В @ 3MA	41a tc	250NC @ 10V	Супер Джанкшн	10 В	± 20 В.

Ixys (5222)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии