Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПродвинутый Фотоникс(1364)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/кейс | Метод измерения | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Ориентация | Материал корпуса | Оценочный комплект | Код дела (метрика) | Код дела (имперский) | Напряжение питания | Время ответа | Пакет устройств поставщика | Угол обзора | Время подъема | Осень (тип.) | Напряжение пробоя | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Длина волны | Тип датчика | Темный ток | Используемая микросхема/деталь | Напряжение - Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный | Поставляемый контент | Сопротивление ячейки при освещенности | Сопротивление клеток (мин) в темноте |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПДБ-C617-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6171-datasheets-6350.pdf | умереть | 40 нс | 75В | 940 нм | 65нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 62,91 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDB-C152SMF | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc152sm-datasheets-1730.pdf | 1206 (3216 Метрическая единица) | 3,2 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Содержит свинец | 3216 | 1206 | 120° | 50 нс | 100 В | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 660 нм | 2нА | 50В | 400 нм ~ 1100 нм | 1,66 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-C138F | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc138f-datasheets-9244.pdf | Радиальный, диаметр 5 мм (T 1 3/4) | 10 нс | 40° | ПРИКОЛОТЬ | 100 В | 950 нм | 2нА | 100 В | 700 нм ~ 1100 нм | 1,55 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С120 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdbc120-datasheets-9356.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | Содержит свинец | 1нс | ПРИКОЛОТЬ | 200В | 950 нм | 500пА | 200В | 350 нм ~ 1100 нм | 0,073 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-V106-F | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdiv106f-datasheets-9435.pdf | Вариант TO-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива | Содержит свинец | 800 нс | 55° | ПРИКОЛОТЬ | 100 В | 950 нм | 300пА | 100 В | 700 нм ~ 1100 нм | 10 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В601-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc6013-datasheets-6201.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 300 нс | 25 В | 940 нм | 3нА | 25 В | 350 нм ~ 1100 нм | 1,053 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В608-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc6081-datasheets-6189.pdf | умереть | 1,2 мкс | 25 В | 940 нм | 40нА | 25 В | 350 нм ~ 1100 нм | 38,4 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В607-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc6071-datasheets-6371.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 1 мкс | 25 В | 940 нм | 25нА | 25 В | 350 нм ~ 1100 нм | 14,5 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В616-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc6161-datasheets-6342.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 1,8 мкс | 25 В | 940 нм | 35нА | 25 В | 350 нм ~ 1100 нм | 51,61 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В603-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc6032-datasheets-6225.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 400 нс | 25 В | 940 нм | 5нА | 25 В | 350 нм ~ 1100 нм | 2,55 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДУ-В110 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pduv110-datasheets-9829.pdf | 2-DIP-модуль | 2 мкс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 200пА | 75В | 190 нм ~ 1100 нм | 100 мм2 | 0,18 А/Вт при 254 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДУ-В107 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~90°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pduv107-datasheets-9893.pdf | 2-DIP-модуль | 1 мкс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 400пА | 75В | 250–1100 нм | 17,74 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDU-V108Q | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pduv108q-datasheets-9950.pdf | TO-233AA, TO-8-3 Металлическая банка с верхней крышкой объектива | 950 нс | 69° | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 10пА | 75В | 190 нм ~ 1100 нм | 31 мм2 | 0,18 А/Вт при 254 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDU-C108Q | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/advancedphotonix-pduc108q-datasheets-0008.pdf | TO-233AA, TO-8-3 Металлическая банка с верхней крышкой объектива | 110 нс | 69° | ПРИКОЛОТЬ | 30В | 5пА | 30В | 190 нм ~ 1100 нм | 31 мм2 | 0,18 А/Вт при 254 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDR-V463 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -15°К~70°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdrv463-datasheets-0068.pdf | Вариант TO-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива | Содержит свинец | 1 мкс | ПРИКОЛОТЬ | 100 В | 632 нм | 10пА | 100 В | 17,74 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДВ-В405-46 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -15°К~70°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdvv40546-datasheets-0129.pdf | Металлическая банка с верхней крышкой объектива TO-46-2 | 450 нс | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 500 нм | 150пА | 75В | 3,089 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-C118 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-5 | ПРИКОЛОТЬ | 950 нм | 350 нм ~ 1100 нм | 9,09 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В618-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc6183-datasheets-6359.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 4 мкс | 25 В | 940 нм | 20нА | 25 В | 350 нм ~ 1100 нм | 371,1 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДУ-С110 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2-DIP-модуль | 350 нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 30В | 10нА | 30В | 190 нм ~ 1100 нм | 100 мм2 | 0,18 А/Вт при 254 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-708-СТ | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdb708fc-datasheets-9987.pdf | ТО-18-6 | 3нс | ПРИКОЛОТЬ | 300В | 900 нм | 2нА | 300В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,8 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДИ-Е521 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДВ-П8001 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°C~75°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 75°С | -30°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/advancedphotonix-pdvp8001-datasheets-3115.pdf | 5,1 мм | Радиальный | 2 мм | Содержит свинец | 14 недель | 2 | Керамика | 55 мс | 20 мс | 520 нм | 150Впик | 3 кОм~11 кОм при 10 люкс | 200 кОм @ 10 с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДВ-П9200 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°C~75°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/advancedphotonix-pdvp9200-datasheets-3206.pdf | 4,2 мм | Радиальный | 2 мм | Содержит свинец | 14 недель | Керамика | 70 мс | 15 мс | 520 нм | 150Впик | 10 кОм~50 кОм при 10 люкс | 5 МОм @ 10 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСЛ-06С53 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -60°C~75°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-nsl5150-datasheets-3096.pdf | Радиальный | 14 недель | ТО-18 | 550 нм | 100Впик | 20 кОм~100 кОм при 10 люкс | 20 МОм @ 10 с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-707-100DC | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdb707100ds-datasheets-2497.pdf | Оптический | Аналоговый | Да | ±4,5 В~15,5 В | Свет, фотодиодная матрица | ПДБ-C216C | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЦИ-ИНГААС-1500 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛС-0610-014 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LS-0610 | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancedphotonix-ls0610015-datasheets-7147.pdf | Металлическая банка с верхней крышкой объектива TO-46-2 | 2 недели | 1,95 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛС-0730-015 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | LS-0730 | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-ls0730015-datasheets-4205.pdf | Металлическая банка с верхней крышкой объектива TO-46-2 | 2 недели | Вид сверху | 1,65 В | 20 мА | 730 нм 720 нм ~ 740 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E837 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК), видимый | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~80°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2005 г. | Нестандартный SMD | Без свинца | 14 недель | Вид сверху | 800 нс | 1,3 В 1,8 В | 30 мА | 880 нм 660 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDI-E902 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~125°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdie902-datasheets-4238.pdf | Металлическая банка с верхней крышкой объектива TO-46-2 | Вид сверху | 80° | 1,3 В | 100 мА | 940 нм |
