Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61VPS102436A-166TQL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 2,5 В | 100 | 100 | 36 Мб | 4 | 400 мА | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 2,5 В | 0,635 мм | Не квалифицирован | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 166 МГц | 20б | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 0,11 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ10248ДБЛЛ-55МЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 48 | 48 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 25 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,75 мм | 48 | 2,2 В | 10 | 2,5/3,3 В | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 0,00004А | 8б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV2568DBLL-45HLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 18,4 мм | 8 мм | 32 | 32 | 1 | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,5 В | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 45нс | 2097152 бит | 0,00001А | 45 нс | ОБЩИЙ | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ102416БЛЛ-25МИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 48 | 1,65 В~3,6 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 25нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ5128ДБЛЛ-45БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dbll45tlitr-datasheets-2461.pdf | 36-ТФБГА | 36 | 2,3 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 45нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16БЛЛ-70БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 48 | 48 | 32 Мб | да | 1 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Другие микросхемы памяти | 3/3,3 В | 0,03 мА | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 21б | ПСРАМ | Параллельно | 16 | 70нс | 70 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК93200-25БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 408 мА | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | Не квалифицирован | 288Мб 32М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX9 | 9 | 301989888 бит | ОБЩИЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16ЕБЛЛ-55БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 55нс | 33554432 бит | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ25616БЛЛ-10БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv25616bll10tlitr-datasheets-2920.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 48 | 48 | 4 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 0,045 мА | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,009А | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ040-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 12 мА | 8 | 540,001716мг | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | Нет | 1 | 15 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 20б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8 | 700 мкс | 8б | синхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3В | 15 мА | 8 | 540,001716мг | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | 1 | 12 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | Не квалифицирован | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 21б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 2 мс | 0,00003А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32320А-3БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 134 | 134 | 1 ГБ | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 333 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15 нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ512B-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 8 | 8 | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 512KX1 | 1 | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ025B-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 256КХ1 | 1 | 800 мкс | 262144 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR16128B-3DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016B-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3В | 8 | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | НЕ УКАЗАН | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 1 мс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP064A-JGLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV204816ALL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 1 | ДА | 1,65 В~2,2 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,75 мм | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 10 нс | 33554432 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16800Х-75БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ16160Д-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42sm16160d7bl-datasheets-4406.pdf | 54-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | Без свинца | 54 | 54 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | Нет | 143 МГц | 1 | 110 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | 54 | 2,7 В | 2,3 В | 10 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ16200С-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42vm16200c75bli-datasheets-4430.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | 54 | 3В | 2,3 В | 40 | 2,5 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б54 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 33554432 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ16800Г-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm16800g6bli-datasheets-4412.pdf | 54-ТФБГА | 54 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | 0,8 мм | 2,5 В | 0,105 мА | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛД32320А-3БПЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 0,95 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ВФБГА | 12 мм | 12 мм | 168 | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,5 мм | 1,3 В | 1,14 В | С-ПБГА-Б168 | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15 нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ16160Д-7БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42sm16160d7bl-datasheets-4406.pdf | 54-ТФБГА | 143 МГц | 2,3 В~2,7 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV25616DALL-55TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | да | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,8 мм | 44 | 2,2 В | 1,65 В | 40 | 1,8/2 В | 0,015 мА | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 55нс | 4194304 бит | 0,000007А | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WVE2M16ALL-7010BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is66wve2m16all7010bli-datasheets-5772.pdf | 48-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 70нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128DALL-55T2LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 32 | 32 | 3A991.B.2.A | 1 | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 32 | 2,2 В | 1,65 В | 1,8/2 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 512КХ8 | 8 | 55нс | 4194304 бит | 0,000007А | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ42М18К-333М3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 8,4 нс | 333 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WVS5128FALL-16NLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,65 В~2,2 В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 16 МГц | СРАМ | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ10248БЛЛ-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $16,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 3В | 44 | 8 недель | Нет СВХК | 44 | 8 Мб | да | 2 | 3А991 | Нет | 1 | 100 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 40 | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 1MX8 | 10 нс | 8б | 10 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ |
