Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV1288DBLL-45QLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62wv1288dbll45qli-datasheets-7639.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,495 мм | 32 | Нет СВХК | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | 1 | 8мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 32 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 45нс | 0,000004А | 8б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР85120АЛ-15ХБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,35 В | 78 | 78 | 4ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 78 | 1,45 В | 1,283 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК36160-25БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,99 мА | Не квалифицирован | 576Мб 16М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX36 | 36 | 603979776 бит | 0,048А | ОБЩИЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP064-JLLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is25lp128jkle-datasheets-3204.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WD020-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,8 В | 5мА | 8 | 540,001716мг | 8 | SPI, серийный | 2 Мб | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | Не квалифицирован | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 80 МГц | 18б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 3 мс | 0,00001А | СПИ | 200000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25CQ032-JFLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 8 | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | 1 | 15 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | Не квалифицирован | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 22б | ВСПЫШКА | СПИ | 32MX1 | 1 | 4 мс | 0,00003А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105К-50ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ДРАМ-ФП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 44 | 16 Мб | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 90 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25CD010-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | ВСПЫШКА | 100 МГц | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В | 15 мА | 540,001716мг | 3,6 В | 2,7 В | 8 | SPI, серийный | 1 Мб | 100 МГц | 2,7 В~3,6 В | 8-СОИК | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 100 МГц | 17б | ВСПЫШКА | СПИ | 5 мс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016B-JLLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 1 мс | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16128Б-3ДВЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 13,5 мм | 10,5 мм | 84 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,485 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | 0,03 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP064-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 1,8 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | 10 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 7нс | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WQ020-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 1 мс | 2097152 бит | 0,00005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP016D-JLLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | 10 | Р-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 2MX8 | 8 | 800 мкс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WQ040-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 1 мс | 4194304 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВС16160ДЖ-75ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Р-ПДСО-Г54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45ВМ16800Э-75БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45vm16800e75bla1-datasheets-4424.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 54 | 1,95 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 0,000015А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45ВМ16800Х-75БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16200С-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42vm16200c75bli-datasheets-4430.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б54 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 33554432 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45ВМ16800Е-75БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45vm16800e75bla1-datasheets-4424.pdf | 54-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16800Э-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45vm16800e75bla1-datasheets-4424.pdf | 54-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128DALL-55BI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf | 36-ТФБГА | 36 | 1,65 В~2,2 В | 36-ТФБГА (6х8) | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ5128ДБЛЛ-45БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf | 36-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 36 | 36 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 36 | 3,6 В | 2,3 В | 2,5/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 512КХ8 | 8 | 45нс | 4194304 бит | 0,000007А | 45 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ21М36К-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46TR16640AL-125JBLA1-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16640al125jbla1tr-datasheets-9904.pdf | 96-ТФБГА | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP064A-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is25lp064ajble-datasheets-9928.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3В | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 10 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ12824-10БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 2,41 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 119-БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | 119 | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,97 В~3,63 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | 3,63 В | 2,97 В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,21 мА | Не квалифицирован | 3Мб 128К х 24 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 128КХ24 | 24 | 10 нс | 3145728 бит | 0,02 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512АЛ-125КБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Масса | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,35 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | е1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160ДЖ-6ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 256 Мб | 167 МГц | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К25616АС-25ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,48 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 44 | 8 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 15 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,8 мм | 44 | 40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 25нс | 16б | 25 нс | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41К16105К-50ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ-ФП | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм), 44 вывода | 44 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,8 мм | 5В | 0,09 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 84нс | 16777216 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ |
