ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Программирование напряжения Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Параллельный/последовательный Альтернативная ширина памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Тип последовательной шины Выносливость Время хранения данных-мин Защита от записи Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Размер страницы Тип ввода/вывода Циклы обновления Последовательная длина пакета Длина чередующегося пакета Напряжение в режиме ожидания-мин. Самообновление
IS62WV1288DBLL-45QLI IS62WV1288DBLL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62wv1288dbll45qli-datasheets-7639.pdf 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) 20,495 мм 32 Нет СВХК 32 1 Мб да 1 EAR99 1 8мА е3 МАТОВАЯ ТУНКА 2,3 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 32 3,6 В 2,3 В 40 2,5/3,3 В Не квалифицирован 1Мб 128К х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 17б СРАМ Параллельно 8 45нс 0,000004А 45 нс Асинхронный ОБЩИЙ
IS43TR85120AL-15HBLI ИС43ТР85120АЛ-15ХБЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS 78-ТФБГА 10,5 мм 1,35 В 78 78 4ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ 1,35 В 0,8 мм 78 1,45 В 1,283 В 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 667 МГц 16б ДРАМ Параллельно 512MX8 8 15нс
IS49NLC36160-25BLI ИС49НЛК36160-25БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) КМОП СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 144-ТФБГА 18,5 мм 144 144 1 EAR99 АВТООБНОВЛЕНИЕ 400 МГц 8542.32.00.32 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 1 мм 144 1,9 В 1,7 В 1,5/1,81,82,5 В 0,99 мА Не квалифицирован 576Мб 16М х 36 Неустойчивый 36б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20нс ДРАМ Параллельно 16MX36 36 603979776 бит 0,048А ОБЩИЙ 248
IS25LP064-JLLE IS25LP064-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Масса 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 0,8 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is25lp128jkle-datasheets-3204.pdf 8-WDFN Открытая площадка 8 мм 6 мм 8 SPI, серийный 1 ДА 2,3 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,27 мм 3,6 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-Н8 64Мб 8М х 8 Энергонезависимый 133 МГц ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI 64MX1 1 800 мкс 67108864 бит
IS25WD020-JNLE IS25WD020-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Масса 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 1,75 мм Соответствует RoHS 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 4,9 мм 1,8 В 5мА 8 540,001716мг 8 SPI, серийный 2 Мб 1 ДА 1,65 В~1,95 В ДВОЙНОЙ 1,8 В 1,27 мм 1,95 В 1,65 В Не квалифицирован 2Мб 256К х 8 Энергонезависимый 80 МГц 18б ВСПЫШКА СПИ 8 3 мс 0,00001А СПИ 200000 циклов записи/стирания 20 АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ 256Б
IS25CQ032-JFLE IS25CQ032-JFLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Масса 3 (168 часов) КМОП 1 мм Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) 8 8 SPI, серийный 32 Мб 1 15 мА 2,7 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 1,27 мм 3,6 В 2,7 В 3/3,3 В Не квалифицирован 32Мб 4М х 8 Энергонезависимый 8 нс 2,7 В 104 МГц 22б ВСПЫШКА СПИ 32MX1 1 4 мс 0,00003А СПИ 100000 циклов записи/стирания 20 АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ синхронный 256Б
IS41LV16105C-50TLI ИС41ЛВ16105К-50ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) ДРАМ-ФП 1,2 мм Соответствует ROHS3 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 20,95 мм 3,3 В Без свинца 44 44 16 Мб 1 EAR99 ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ Нет 1 90 мА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 3,3 В 0,8 мм 44 3,6 В 16Мб 1М х 16 Неустойчивый 16б 25нс 10б ДРАМ Параллельно 1MX16 16
IS25CD010-JNLE-TR IS25CD010-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 105°С -40°С ВСПЫШКА 100 МГц Соответствует RoHS 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 3,3 В 15 мА 540,001716мг 3,6 В 2,7 В 8 SPI, серийный 1 Мб 100 МГц 2,7 В~3,6 В 8-СОИК 1Мб 128К х 8 Энергонезависимый 100 МГц 17б ВСПЫШКА СПИ 5 мс 256Б
IS25LQ016B-JLLE-TR IS25LQ016B-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 0,8 мм Соответствует ROHS3 8-WDFN Открытая площадка 8 мм 6 мм 8 SPI, серийный да 1 ДА 2,3 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,27 мм 3,6 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-Н8 16Мб 2М х 8 Энергонезависимый 2,7 В 104 МГц ВСПЫШКА SPI — четырехканальный ввод-вывод 16MX1 1 1 мс 16777216 бит
IS43DR16128B-3DBL ИС43ДР16128Б-3ДВЛ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 84-ТФБГА 13,5 мм 10,5 мм 84 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В 1,8 В 0,485 мА Не квалифицирован Р-ПБГА-Б84 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 450пс 333 МГц ДРАМ Параллельно 128MX16 16 15нс 2147483648 бит 0,03 А ОБЩИЙ 8192 48 48
IS25WP064-JBLE IS25WP064-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Трубка 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 2,16 мм Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) 1,8 В 8 8 SPI, серийный 64 Мб 1 е3 Матовый олово (Sn) ДА 1,65 В~1,95 В ДВОЙНОЙ 260 1,8 В 1,27 мм 1,95 В 1,65 В 10 64Мб 8М х 8 Энергонезависимый 7нс 133 МГц 24б ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR 64MX1 1 800 мкс 256Б
IS25WQ020-JNLE IS25WQ020-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Трубка 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 1,75 мм Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 SPI, серийный 1 ДА 1,65 В~1,95 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 1,27 мм 1,95 В 1,65 В НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,02 мА Не квалифицирован Р-ПДСО-Г8 2Мб 256К х 8 Энергонезависимый 1,8 В 104 МГц ВСПЫШКА СПИ 2MX1 1 1 мс 2097152 бит 0,00005А СПИ 100000 циклов записи/стирания 20 АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
IS25WP016D-JLLE IS25WP016D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Поднос 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 0,8 мм Соответствует ROHS3 8-WDFN Открытая площадка 8 мм 6 мм 8 8542.32.00.51 1 е3 Олово (Sn) ДА 1,65 В~1,95 В ДВОЙНОЙ 260 1,8 В 1,27 мм 1,95 В 1,65 В 10 Р-ПДСО-Н8 16Мб 2М х 8 Энергонезависимый 1,8 В 133 МГц ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR 2MX8 8 800 мкс 16777216 бит СЕРИАЛ 1
IS25WQ040-JKLE-TR IS25WQ040-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 0,8 мм Соответствует ROHS3 8-WDFN Открытая площадка 6 мм 5 мм 8 1 ДА 1,65 В~1,95 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 1,27 мм 1,95 В 1,65 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-Н8 4Мб 512К х 8 Энергонезависимый 1,8 В 104 МГц ВСПЫШКА СПИ 4MX1 1 1 мс 4194304 бит СЕРИАЛ
IS42VS16160J-75TLI ИС42ВС16160ДЖ-75ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 54 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ неизвестный 1 ДА 1,7 В~1,9 В ДВОЙНОЙ 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В Р-ПДСО-Г54 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 16MX16 16 268435456 бит
IS45VM16800E-75BLA1 ИС45ВМ16800Э-75БЛА1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45vm16800e75bla1-datasheets-4424.pdf 54-ТФБГА 8 мм 8 мм 54 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.02 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 54 1,95 В 1,7 В 1,8 В 0,15 мА Не квалифицирован С-ПБГА-Б54 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 8MX16 16 134217728 бит 0,000015А ОБЩИЙ 4096 1248ФП 1248
IS45VM16800H-75BLA1-TR ИС45ВМ16800Х-75БЛА1-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия Соответствует ROHS3 54-ТФБГА 1,7 В~1,95 В 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 5,5 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно
IS42SM16200C-75BLI-TR ИС42СМ16200С-75БЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42vm16200c75bli-datasheets-4430.pdf 54-ТФБГА 8 мм 8 мм 54 да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ 225 3,3 В 0,8 мм 3,6 В 2,7 В НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,055 мА Не квалифицирован С-ПБГА-Б54 32Мб 2М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 6нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 2MX16 16 33554432 бит 0,00001А ОБЩИЙ 4096 1248ФП 1248
IS45VM16800E-75BLA1-TR ИС45ВМ16800Е-75БЛА1-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45vm16800e75bla1-datasheets-4424.pdf 54-ТФБГА 1,7 В~1,95 В 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно
IS42VM16800E-75BLI-TR ИС42ВМ16800Э-75БЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45vm16800e75bla1-datasheets-4424.pdf 54-ТФБГА 1,7 В~1,95 В 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно
IS62WV5128DALL-55BI-TR IS62WV5128DALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf 36-ТФБГА 36 1,65 В~2,2 В 36-ТФБГА (6х8) 4Мб 512К х 8 Неустойчивый 55нс СРАМ Параллельно 55нс
IS62WV5128DBLL-45BI ИС62ВВ5128ДБЛЛ-45БИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf 36-ТФБГА 8 мм 6 мм 36 36 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 ДА 2,3 В~3,6 В НИЖНИЙ 0,75 мм 36 3,6 В 2,3 В 2,5/3,3 В 0,02 мА Не квалифицирован 4Мб 512К х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СРАМ Параллельно 512КХ8 8 45нс 4194304 бит 0,000007А 45 нс ОБЩИЙ 1,2 В
IS61DDB21M36C-250M3L ИС61ДДБ21М36К-250М3Л ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — синхронный, DDR II 1,4 мм Соответствует ROHS3 165-ЛБГА 17 мм 15 мм 165 8542.32.00.41 1 ДА 1,71 В~1,89 В НИЖНИЙ 1,8 В 1 мм 1,89 В 1,71 В Р-ПБГА-Б165 36Мб 1М х 36 Неустойчивый 8,4 нс 250 МГц СРАМ Параллельно 1MX36 36 37748736 бит
IS46TR16640AL-125JBLA1-TR IS46TR16640AL-125JBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16640al125jbla1tr-datasheets-9904.pdf 96-ТФБГА 1,283 В~1,45 В 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно
IS25LP064A-JBLE IS25LP064A-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Трубка 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 2,16 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is25lp064ajble-datasheets-9928.pdf 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) 8 8 недель 8 SPI, серийный 64 Мб 1 е3 Матовый олово (Sn) ДА 2,3 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 260 1,27 мм 3,6 В 10 64Мб 8М х 8 Энергонезависимый 133 МГц 24б ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI 64MX1 1 800 мкс 256Б
IS61LV12824-10BI ИС61ЛВ12824-10БИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 2,41 мм Не соответствует требованиям RoHS 119-БГА 22 мм 14 мм 119 119 нет 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДА 2,97 В~3,63 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 1,27 мм 119 3,63 В 2,97 В НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,21 мА Не квалифицирован 3Мб 128К х 24 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СРАМ Параллельно 128КХ24 24 10 нс 3145728 бит 0,02 А 10 нс ОБЩИЙ
IS43TR16512AL-125KBL ИС43ТР16512АЛ-125КБЛ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Масса 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,4 мм Соответствует ROHS3 96-ЛФБГА 14 мм 1,35 В 96 12 недель 96 8 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 е1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ 260 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В 10 8Гб 512М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 15б ДРАМ Параллельно 512MX16 16 15нс
IS42S16160J-6TI-TR ИС42С16160ДЖ-6ТИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM Соответствует ROHS3 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 3,3 В 256 Мб 167 МГц 3В~3,6В 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 166 МГц 13б ДРАМ Параллельно
IS61C25616AS-25TLI ИС61К25616АС-25ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $4,48
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 44 8 недель 44 4 Мб да 1 Нет 1 15 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 260 0,8 мм 44 40 4Мб 256К х 16 Неустойчивый 18б СРАМ Параллельно 16 25нс 16б 25 нс Асинхронный
IS41C16105C-50TI-TR ИС41К16105К-50ТИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ДРАМ-ФП Соответствует ROHS3 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм), 44 вывода 44 ДА 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 0,8 мм 0,09 мА Не квалифицирован Р-ПДСО-Г44 16Мб 1М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25нс ДРАМ Параллельно 1MX16 16 84нс 16777216 бит 0,001А ОБЩИЙ 1024 НЕТ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.