ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Уровень скрининга Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Программирование напряжения Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Параллельный/последовательный Альтернативная ширина памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Тип ввода/вывода Циклы обновления Последовательная длина пакета Длина чередующегося пакета Напряжение в режиме ожидания-мин. Режим доступа
IS25WP016-JLLE-TR IS25WP016-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО Соответствует ROHS3 8-WDFN Открытая площадка 1,65 В~1,95 В 16Мб 2М х 8 Энергонезависимый 7нс 133 МГц ВСПЫШКА Серийный 800 мкс
IS34ML01G081-TLI IS34ML01G081-ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 2,15 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) ФЛЕШ-NAND (SLC) АСИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) 18,4 мм 12 мм 48 8 недель 1 е3 Матовый олово (Sn) ДА 2,7 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,5 мм 3,6 В 2,7 В 10 Р-ПДСО-Г48 1Гб 128М х 8 Энергонезависимый 3,3 В ВСПЫШКА Параллельно 128MX8 8 25нс 1073741824 бит
IS43DR81280B-25EBL-TR ИС43ДР81280Б-25ЭБЛ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 Соответствует ROHS3 60-ТФБГА 400 МГц 1,7 В~1,9 В 1Гб 128М х 8 Неустойчивый 450пс ДРАМ Параллельно 15нс
IS42S32800J-7BLI ИС42С32800ДЖ-7БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $13,76
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 90-ТФБГА 13 мм 8 мм 90 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ 260 3,3 В 0,8 мм 3,6 В 10 Р-ПБГА-Б90 256Мб 8М х 32 Неустойчивый 5,4 нс 143 МГц ДРАМ Параллельно 8MX32 32 268435456 бит
IS46DR81280B-3DBLA1-TR ИС46ДР81280Б-3ДБЛА1-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 Соответствует ROHS3 60-ТФБГА 60 333 МГц ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 1,8 В 0,27 мА Не квалифицирован Р-ПБГА-Б60 АЭК-Q100 1Гб 128М х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 450пс ДРАМ Параллельно 128MX8 8 15нс 1073741824 бит ОБЩИЙ 8192 48 48
IS43DR81280C-25DBL IS43DR81280C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $4,16
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 60-ТФБГА 10,5 мм 8 мм 60 8 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 260 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В 10 1,8 В 0,3 мА Не квалифицирован Р-ПБГА-Б60 1Гб 128М х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 400пс 400 МГц ДРАМ Параллельно 128MX8 8 15нс 1073741824 бит ОБЩИЙ 8192 48 48
IS46DR81280C-25DBLA2-TR ИС46ДР81280К-25ДБЛА2-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 60-ТФБГА 10,5 мм 8 мм 60 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б60 1Гб 128М х 8 Неустойчивый 400пс 400 МГц ДРАМ Параллельно 128MX8 8 15нс 1073741824 бит
IS43DR82560C-3DBL IS43DR82560C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 60-ТФБГА 10,5 мм 8 мм 60 8 недель 1 EAR99 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В 1,8 В 0,455 мА Не квалифицирован Р-ПБГА-Б60 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 450пс 333 МГц ДРАМ Параллельно 256MX8 8 15нс 2147483648 бит 0,03 А ОБЩИЙ 8192 48 48
IS61NLF102418-6.5B3-TR ИС61НЛФ102418-6.5Б3-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR Соответствует ROHS3 165-ТБГА 165 3,135 В~3,465 В 18Мб 1М х 18 Неустойчивый 6,5 нс 133 МГц СРАМ Параллельно
IS61LV12816L-10TL ИС61ЛВ12816Л-10ТЛ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $4,37
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 3,3 В Без свинца 44 Нет СВХК 44 2 Мб да 1 Нет 100 МГц 1 60 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное 3,135 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 44 3,63 В 2,97 В 40 2Мб 128К х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 17б СРАМ Параллельно 16 10 нс 0,003А 16б Асинхронный ОБЩИЙ
IS61NVP25672-200B1-TR ИС61НВП25672-200Б1-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR Соответствует ROHS3 209-БГА 209 2,375 В~2,625 В 18Мб 256К х 72 Неустойчивый 3,1 нс 200 МГц СРАМ Параллельно
IS42S32800J-7TL ИС42С32800ДЖ-7ТЛ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $5,02
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 3,3 В 86 8 недель 86 256 Мб 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Олово 1 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 3,3 В 0,5 мм 3,6 В 256Мб 8М х 32 Неустойчивый 32б 5,4 нс 143 МГц 12б ДРАМ Параллельно 8MX32 32
IS61NLP102418-250B3I-TR ИС61НЛП102418-250Б3И-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR Соответствует ROHS3 165-ТБГА 165 3,135 В~3,465 В 18Мб 1М х 18 Неустойчивый 2,6 нс 250 МГц СРАМ Параллельно
IS61WV102416DBLL-10BLI ИС61ВВ102416ДБЛЛ-10БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $12,33
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 48-ТФБГА 8 мм 6 мм 48 8 недель 1 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) ДА 2,4 В~3,6 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 0,75 мм 3,6 В 2,4 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б48 16Мб 1М х 16 Неустойчивый СРАМ Параллельно 1MX16 16 10 нс 16777216 бит 10 нс
IS61VF102418A-7.5B3I-TR ИС61ВФ102418А-7.5Б3И-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR Соответствует ROHS3 165-ТБГА 165 2,375 В~2,625 В 18Мб 1М х 18 Неустойчивый 7,5 нс 117 МГц СРАМ Параллельно
IS43TR16128DL-107MBLI ИС43ТР16128ДЛ-107МБЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $5,65
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 96-ТФБГА 13 мм 9 мм 96 6 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ 260 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В 10 Р-ПБГА-В96 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 933 МГц ДРАМ Параллельно 128MX16 16 15нс 2147483648 бит
IS62WV12816ALL-70BI-TR IS62WV12816ALL-70BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 48-ТФБГА 1,65 В~2,2 В 2Мб 128К х 16 Неустойчивый 70нс СРАМ Параллельно 55нс
IS42S16160J-7BLI ИС42С16160ДЖ-7БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $7,39
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 54-ТФБГА 8 мм 3,3 В 54 6 недель 54 256 Мб 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Медь, Серебро, Олово 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 3В~3,6В НИЖНИЙ 3,3 В 0,8 мм 3,6 В 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс 143 МГц 13б ДРАМ Параллельно 16MX16 16
IS42S32800G-7BI ИС42С32800Г-7БИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 90-ТФБГА 13 мм 90 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 143 МГц 8542.32.00.24 1 ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ 3,3 В 0,8 мм 90 3,6 В 3,3 В 0,27 мА Не квалифицирован Р-ПБГА-Б90 256Мб 8М х 32 Неустойчивый 32б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5,4 нс ДРАМ Параллельно 8MX32 32 268435456 бит 0,003А ОБЩИЙ 4096 1248ФП 1248
IS64WV25616EDBLL-10BLA3 ИС64ВВ25616ЕДБЛЛ-10БЛА3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~125°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is64wv25616edbll10bla3-datasheets-8650.pdf 48-ТФБГА 8 мм 48 10 недель 48 4 Мб 1 Нет 1 ДА 2,4 В~3,6 В НИЖНИЙ 0,75 мм 48 3,6 В 2,4 В 2,5/3,3 В 0,05 мА 4Мб 256К х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 18б СРАМ Параллельно 16 10 нс ОБЩИЙ
IS43TR16128C-107MBLI ИС43ТР16128К-107МБЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 96-ТФБГА 13 мм 9 мм 96 1 EAR99 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 260 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В 10 Р-ПБГА-В96 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 195пс 933 МГц ДРАМ Параллельно 128MX16 16 15нс 2147483648 бит
IS43LD16640C-25BLI-TR ИС43ЛД16640С-25БЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $14,41
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~85°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 СИНХРОННЫЙ 1,1 мм Соответствует ROHS3 134-ТФБГА 11,5 мм 10 мм 134 14 недель 1 САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. 1 ДА 1,14 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,2 В 0,65 мм 1,3 В 1,14 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-В134 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 400 МГц ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 1073741824 бит НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ
IS61LPD51236A-200B3I ИС61ЛПД51236А-200Б3И ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — четырехпортовый, синхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 165-ТБГА 15 мм 13 мм 165 165 нет 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДА 3,135 В~3,465 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 1 мм 165 3,465 В 3,135 В НЕ УКАЗАН 2,5/3,33,3 В 0,475 мА Не квалифицирован 18Мб 512К х 36 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,1 нс 200 МГц СРАМ Параллельно 512КХ36 36 18874368 бит 0,075А ОБЩИЙ 3,14 В
IS34ML01G084-TLI IS34ML01G084-ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 2,93 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) ФЛЕШ-NAND (SLC) АСИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) 18,4 мм 12 мм 48 8 недель 3A991.B.1.A 8542.32.00.51 1 е3 Олово (Sn) ДА 2,7 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,5 мм 3,6 В 2,7 В 10 Р-ПДСО-Г48 1Гб 128М х 8 Энергонезависимый 3,3 В ВСПЫШКА Параллельно 128MX8 8 25нс 1073741824 бит
IS43DR82560B-25EBL ИС43ДР82560Б-25ЭБЛ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 60-ТФБГА 13 мм 1,8 В 60 60 2 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 400 МГц 8542.32.00.36 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 60 1,9 В 1,7 В 0,47 мА Не квалифицирован 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 400пс 15б ДРАМ Параллельно 256MX8 8 15нс 0,03 А ОБЩИЙ 8192 48 48
IS61WV1288EEBLL-10HLI IS61WV1288EEBLL-10HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $4,20
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,25 мм Соответствует ROHS3 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) 11,8 мм 8 мм 25 мА 32 8 недель 32 1 ДА 2,4 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 0,5 мм 3,6 В 2,4 В НЕ УКАЗАН 1Мб 128К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 128КХ8 8 10 нс 1048576 бит 10 нс
IS61LPD51236A-250B3I ИС61ЛПД51236А-250Б3И ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — четырехпортовый, синхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 165-ТБГА 15 мм 13 мм 165 165 нет 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДА 3,135 В~3,465 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 1 мм 165 3,465 В 3,135 В НЕ УКАЗАН 2,5/3,33,3 В 0,5 мА Не квалифицирован 18Мб 512К х 36 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 2,6 нс 250 МГц СРАМ Параллельно 512КХ36 36 18874368 бит 0,075А ОБЩИЙ 3,14 В
IS61LPS25636B-200TQLI IS61LPS25636B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR 1,6 мм Соответствует ROHS3 100-LQFP 20 мм 14 мм 100 12 недель 8542.32.00.41 1 ДА 3,135 В~3,465 В КВАД НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,65 мм 3,465 В 3,135 В НЕ УКАЗАН Р-PQFP-G100 9Мб 256К х 36 Неустойчивый 3,1 нс 200 МГц СРАМ Параллельно 256КХ36 36 9437184 бит
IS61NVF51236-7.5B3 ИС61НВФ51236-7.5Б3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR 1,2 мм Соответствует ROHS3 165-ТБГА 15 мм 13 мм 165 165 нет 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДА 2,375 В~2,625 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 1 мм 165 2,625 В 2,375 В НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,425 мА Не квалифицирован 18Мб 512К х 36 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 7,5 нс 117 МГц СРАМ Параллельно 512КХ36 36 18874368 бит 0,06А ОБЩИЙ 2,38 В
IS25LP032D-JKLE IS25LP032D-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 2,04 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Поднос 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 0,8 мм Соответствует ROHS3 8-WDFN Открытая площадка 6 мм 5 мм 8 8 недель да 1 е3 Олово (Sn) ДА 2,3 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,27 мм 3,6 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-Н8 32Мб 4М х 8 Энергонезависимый 133 МГц ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR 4MX8 8 800 мкс 33554432 бит СЕРИАЛ 1

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.