Issi, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Имя	Производитель	Цены (доллар)	Количество	Статус частично	Устанавливать	Монтажный тип	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности влаги (MSL)	Максимальная рабочая температура	МИН рабочая температура	Технология	Операционный режим	Высота сидя (максимум)	Статус ROHS	Техническая спецификация	Пакет / корпус	Длина	Ширина	Операционное напряжение питания	Максимальный ток снабжения	Количество терминаций	Время выполнения завода	Максимальное напряжение снабжения	Мин напряжения питания	Количество булавок	Интерфейс	Плотность	PBFREE CODE	Количество портов	Код ECCN	Дополнительная функция	Контакт	Радиационное упрочнение	Максимальная частота	HTS -код	Количество функций	Номинальный ток снабжения	Код JESD-609	Терминальная отделка	Поверхностное крепление	Напряжение - поставка	Терминальная позиция	Пиковая температура отвоз (CEL)	Напряжение снабжения	Терминал	Подсчет штифтов	Поставка напряжения-макс (VSUP)	Поставка напряжения мимин (VSUP)	Время@Пиковой температуру (я)	Питания	Поставьте ток-макс	Квалификационный статус	Код JESD-30	Пакет устройства поставщика	Уровень скрининга	Размер памяти	Тип памяти	Ширина шины данных	Выходные характеристики	Время доступа	Напряжение программирования	Тактовая частота	Адреса ширины шины	Формат памяти	Интерфейс памяти	Организация	Ширина памяти	Время записи - слово, страница	Плотность памяти	Вспомогательный ток-макс	Размер слова	Время доступа (макс)	Синхронизированная/асинхронная	Размер страницы	Тип ввода/вывода	Обновления циклов	Последовательная длина взрыва	Чередовая длина взрыва	Вспомогательное напряжение-мимин	Режим доступа
IS61LF25618EC-7.5TQLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SRAM - Synchronous, SDR		1,6 мм	ROHS3 соответствует		100-LQFP	20 мм	14 мм			100	12 недель			100					3A991.B.2.a				117 МГц	8542.32.00.41	1		E3	Матовая олова (SN)	ДА	3.135V ~ 3.465V	Квадратный	260	3,3 В.	0,65 мм	100	3.465V	3.135V	10	2.5/3,33,3 В.	0,17 мА	Не квалифицирован				4,5 МБ 256K x 18	Нестабильный		3-штат	7,5NS				Шрам	Параллель	256KX18	18		4718592 бит	0,085а					ОБЩИЙ				3,14 В.
IS62WV51216ALL-70BLI-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	2 (1 год)			SRAM - асинхронный			ROHS3 соответствует		48-TFBGA			1,8 В.			8 недель			48		8 МБ		1								4 мА				2,5 В ~ 3,6 В.															8 МБ 512K x 16	Нестабильный						19b	Шрам	Параллель			70NS			16b		Асинхронный
IS43R86400E-5BL-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM - DDR			ROHS3 соответствует		60-TFBGA						8 недель																			2,3 В ~ 2,7 В.															512MB 64M x 8	Нестабильный			700 л.с.		200 МГц		Драм	Параллель			15NS
IS61LP6436A-133TQLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	2 (1 год)			SRAM - Synchronous, SDR			ROHS3 соответствует		100-LQFP	20 мм		3,3 В.		100	12 недель			100		2,3 МБ	да	1		Трубопроводная архитектура		Нет			1	190 мА	E3	Матовая олова (SN) - отожжен	ДА	3,135 В ~ 3,6 В.	Квадратный	260	3,3 В.	0,65 мм	100	3.465V		40							2 МБ 64K x 36	Нестабильный		3-штат	4ns		133 МГц	16b	Шрам	Параллель	64KX36	36			0,04а	36B		Синхронно		ОБЩИЙ
IS43R86400F-6TLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM - DDR	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм)	22,22 мм	10,16 мм			66	8 недель							1	Ear99	Программируемая задержка CAS; Авто/самообновление					1				ДА	2,3 В ~ 2,7 В.	Двойной	НЕ УКАЗАН	2,5 В.	0,65 мм		2,7 В.	2,3 В.	НЕ УКАЗАН				R-PDSO-G66			512MB 64M x 8	Нестабильный			700 л.с.		166 МГц		Драм	Параллель	64mx8	8	15NS	536870912 бит
IS43TR16640BL-125KBLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 95 ° C TC	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM - DDR3L	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		96-TFBGA	13 мм	9 мм			96	6 недель							1	Ear99	Авто/самообновление				8542.32.00.32	1				ДА	1,283 В ~ 1,45 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,35 В.	0,8 мм		1,45 В.	1.283V	НЕ УКАЗАН				R-PBGA-B96			1 ГБ 64 м х 16	Нестабильный			20ns		800 МГц		Драм	Параллель	64mx16	16	15NS	1073741824 бит
IS43R16320E-6BLI-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM - DDR	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		60-TFBGA	13 мм				60	8 недель			60		512 МБ		1		Авто/самообновление			166 МГц		1				ДА	2,3 В ~ 2,7 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	2,5 В.	1 мм		2,7 В.	2,3 В.	НЕ УКАЗАН							512 МБ 32 м х 16	Нестабильный			700 л.с.			13b	Драм	Параллель	32MX16	16	15NS
IS46R16160D-6BLA1	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM - DDR		1,2 мм	ROHS3 соответствует		60-TFBGA	13 мм		2,5 В.	220 мА	60	10 недель			60		256 МБ		1	Ear99	Авто/самообновление		Нет		8542.32.00.24	1	280 мА				2,3 В ~ 2,7 В.	НИЖНИЙ		2,5 В.	0,8 мм	60	2,7 В.	2,3 В.								256 МБ 16m x 16	Нестабильный	16b	3-штат	700 л.с.		166 МГц	15B	Драм	Параллель	16mx16	16	15NS		0,004а					ОБЩИЙ	8192	248	248
IS43TR82560CL-15HBL-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	0 ° C ~ 95 ° C TC	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM - DDR3L	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		78-TFBGA	10,5 мм	8 мм			78	8 недель							1		Авто/самообновление					1				ДА	1,283 В ~ 1,45 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,35 В.	0,8 мм		1,45 В.	1.283V	НЕ УКАЗАН				R-PBGA-B78			2 ГБ 256 м x 8	Нестабильный			20ns		667 МГц		Драм	Параллель	256mx8	8	15NS	2147483648 бит
IS43DR86400C-25DBL	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM - DDR2	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		60-TFBGA	10,5 мм			135ma	60	8 недель			60				1	Ear99	Авто/самообновление					1				ДА	1,7 В ~ 1,9 В.	НИЖНИЙ		1,8 В.	0,8 мм		1,9 В.	1,7 В.		1,8 В.		Не квалифицирован				512MB 64M x 8	Нестабильный	8B	3-штат	400 с		400 МГц		Драм	Параллель	64mx8	8	15NS	536870912 бит	0,013а					ОБЩИЙ	8192	48	48
IS42S16100H-7BL-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM			ROHS3 соответствует		60-TFBGA						6 недель																			3 В ~ 3,6 В.															16 МБ 1m x 16	Нестабильный			5,5NS		143 МГц		Драм	Параллель
IS61WV6416EBLL-10TLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc	$ 0,97	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SRAM - асинхронный		1,2 мм	ROHS3 соответствует		44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина)	18,41 мм	10,16 мм			44	8 недель			44											1				ДА	2,4 В ~ 3,6 В.	Двойной		3В	0,8 мм		3,6 В.	2,4 В.		2,5/3,3 В.	0,025 мА	Не квалифицирован				1 МБ 64K x 16	Нестабильный		3-штат					Шрам	Параллель	64KX16	16	10NS	1048576 бит	0,004а		10 нс			ОБЩИЙ				2 В
IS25LP064A-JBLE-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc	$ 1,46	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 105 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			Flash - NO	Синхронно	2,16 мм	ROHS3 соответствует		8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)			3В		8	8 недель			8	SPI, сериал	64 МБ									1				ДА	2,3 В ~ 3,6 В.	Двойной	НЕ УКАЗАН	3В	1,27 мм		3,6 В.		НЕ УКАЗАН							64 МБ 8m x 8	Нелетущий				3В	133 МГц	24B	ВСПЫШКА	SPI - Quad I/O, QPI	64mx1	1	800 мкс						256b
IS42S32800J-7TLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		86-TFSOP (0,400, ширина 10,16 мм)	22,22 мм	10,16 мм			86	8 недель			86				1		Авто/самообновление					1		E3	Олово (SN)	ДА	3 В ~ 3,6 В.	Двойной	260	3,3 В.	0,5 мм		3,6 В.	3В	10							256 МБ 8m x 32	Нестабильный			5.4ns		143 МГц		Драм	Параллель	8mx32	32		268435456 бит
IS42S86400D-7TL-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		54-центр (0,400, 10,16 мм ширина)	22,22 мм				54	8 недель			54			да	1		Авто/самообновление					1		E3	Матовая олова	ДА	3 В ~ 3,6 В.	Двойной	225	3,3 В.	0,8 мм		3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,22 мА	Не квалифицирован				512MB 64M x 8	Нестабильный	8B	3-штат	5.4ns		143 МГц		Драм	Параллель	64mx8	8		536870912 бит	0,004а					ОБЩИЙ	8192	1248FP	1248
IS64VF12832A-7.5TQLA3-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM - Synchronous, SDR			ROHS3 соответствует		100-LQFP			2,5 В.			12 недель			100		4 МБ		4				Нет								2,375 В ~ 2,625 В.															4 МБ 128K x 32	Нестабильный			7,5NS		117 МГц	17b	Шрам	Параллель
IS43TR16256A-125KBLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc	$ 13,70	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 95 ° C TC	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM - DDR3	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		96-TFBGA	13 мм		1,5 В.		96	6 недель			96		4ГБ		1		Программируемая задержка CAS; Авто/самообновление	Медь, серебро, олова				1	230 мА				1,425 В ~ 1,575 В.	НИЖНИЙ		1,5 В.	0,8 мм		1,575 В.	1.425V								4 ГБ 256 м x 16	Нестабильный	16b		20ns		800 МГц	18b	Драм	Параллель	256mx16	16	15NS
IS61LF51218B-7.5TQLI-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM - Synchronous, SDR			ROHS3 соответствует		100-LQFP						12 недель																			3,135 В ~ 3,6 В.															9 МБ 512K x 18	Нестабильный			7,5NS		117 МГц		Шрам	Параллель
IS43LD32640B-25BLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc	$ 15,55	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TC	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4	Синхронно	1,1 мм	ROHS3 соответствует		134-TFBGA	11,5 мм	10 мм			134	14 недель							1		Самостоятельно обновление; Также требуется 1,8 В ном					1				ДА	1,14 В ~ 1,95 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,2 В.	0,65 мм		1,3 В.	1,14 В.	НЕ УКАЗАН				R-PBGA-B134			2 ГБ 64M x 32	Нестабильный					400 МГц		Драм	Параллель	64mx32	32	15NS	2147483648 бит											Многочисленная страница страницы
IS61WV10248BLL-10TLI-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	2 (1 год)			SRAM - асинхронный			ROHS3 соответствует	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61wv10248bll10tlitr-datasheets-7569.pdf	44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина)						8 недель			44		8 МБ		2								100 мА				2,4 В ~ 3,6 В.															8 МБ 1m x 8	Нестабильный						20B	Шрам	Параллель			10NS			8B		Асинхронный
IS42S32160F-7BL	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		90-TFBGA	13 мм	8 мм			90	8 недель							1	Ear99	Программируемая задержка CAS; Авто/самообновление				8542.32.00.28	1				ДА	3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ		3,3 В.	0,8 мм		3,6 В.	3В		3,3 В.	0,23 мА	Не квалифицирован	R-PBGA-B90			512 МБ 16m x 32	Нестабильный		3-штат	5.4ns		143 МГц		Драм	Параллель	16mx32	32		536870912 бит	0,004а					ОБЩИЙ	8192	1248FP	1248
IS42S32160F-6BLI-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		90-TFBGA	13 мм	8 мм			90	8 недель						да	1		Авто/самообновление					1				ДА	3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,8 мм		3,6 В.	3В	НЕ УКАЗАН				R-PBGA-B90			512 МБ 16m x 32	Нестабильный			5.4ns		167 МГц		Драм	Параллель	16mx32	32		536870912 бит
IS42S32160D-7BL	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc	$ 12,98	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	0 ° C ~ 70 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM		1,2 мм	ROHS3 соответствует		90-TFBGA	13 мм		3,3 В.		90	8 недель			90		512 МБ		1	Ear99	Авто/самообновление		Нет		8542.32.00.28	1	230 мА				3 В ~ 3,6 В.	НИЖНИЙ		3,3 В.	0,8 мм	90	3,6 В.	3В								512 МБ 16m x 32	Нестабильный	32B	3-штат	5.4ns		143 МГц	15B	Драм	Параллель	16mx32	32			0,004а					ОБЩИЙ	8192	1248FP	1248
IS61NLP25636B-200B3LI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SRAM - Synchronous, SDR		1,2 мм	ROHS3 соответствует		165-TBGA	15 мм	13 мм			165	12 недель													8542.32.00.41	1				ДА	3.135V ~ 3.465V	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	1 мм		3.465V	3.135V	НЕ УКАЗАН				R-PBGA-B165			9 МБ 256K x 36	Нестабильный			3.1NS		200 МГц		Шрам	Параллель	256KX36	36		9437184 бит
IS61LF12836A-7.5TQI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	2 (1 год)			SRAM - Synchronous, SDR		1,6 мм	Не совместимый с ROHS	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lf12836a75tqi-datasheets-7620.pdf	100-LQFP	20 мм	14 мм			100				100			нет		3A991.B.2.a	Проточная архитектура				8542.32.00.41	1		E0	Олово/свинец (SN/PB)	ДА	3,135 В ~ 3,6 В.	Квадратный	НЕ УКАЗАН	3,3 В.	0,65 мм	100	3.465V	3.135V	НЕ УКАЗАН	2.5/3,33,3 В.	0,16 мА	Не квалифицирован				4,5 МБ 128K x 36	Нестабильный		3-штат	7,5NS		117 МГц		Шрам	Параллель	128KX36	36		4718592 бит	0,035а					ОБЩИЙ				3,14 В.
IS43R16320D-5BLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM - DDR		1,2 мм	ROHS3 соответствует		60-TFBGA	13 мм		2,5 В.		60	8 недель			60		512 МБ	да	1	Ear99	Авто/самообновление		Нет		8542.32.00.28	1	430 мА	E1	Жестяная серебряная медь		2,5 В ~ 2,7 В.	НИЖНИЙ	260	2,6 В.	1 мм	60	2,7 В.		40	2,6 В.						512 МБ 32 м х 16	Нестабильный	16b	3-штат	700 л.с.		200 МГц	15B	Драм	Параллель	32MX16	16	15NS		0,025а					ОБЩИЙ	8192	248	248
IS46DR16640B-25DBLA1	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc	$ 8,89	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM - DDR2	Синхронно	1,2 мм	ROHS3 соответствует		84-TFBGA	12,5 мм		1,8 В.		84	8 недель			84		1 ГБ		1	Ear99	Авто/самообновление				8542.32.00.32	1	240 мА				1,7 В ~ 1,9 В.	НИЖНИЙ		1,8 В.	0,8 мм		1,9 В.	1,7 В.				Не квалифицирован			AEC-Q100	1 ГБ 64 м х 16	Нестабильный	16b	3-штат	400 с		400 МГц	16b	Драм	Параллель	64mx16	16	15NS		0,015а					ОБЩИЙ	8192	48	48
IS46LR16320C-6BLA1-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM - Mobile LPDDR			ROHS3 соответствует		60-TFBGA			1,8 В.	60 мА		14 недель			60																1,7 В ~ 1,95 В.															512 МБ 32 м х 16	Нестабильный	16b		5,5NS		166 МГц		Драм	Параллель			15NS
IS62WV102416EALL-55BLI	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Поднос	3 (168 часов)			SRAM - асинхронный		1 мм	ROHS3 соответствует		48-VFBGA	8 мм	6 мм			48	8 недель														1				ДА	1,65 В ~ 1,98 В.	НИЖНИЙ		1,8 В.	0,75 мм		1,98 В.	1,65 В.		1,8 В.	0,03 мА	Не квалифицирован	R-PBGA-B48			16 МБ 1m x 16	Нестабильный		3-штат					Шрам	Параллель	1mx16	16	55NS	16777216 бит	0,000025A		55 нс			ОБЩИЙ				1,5 В.
IS62C51216AL-55TLI-TR	Issi, интегрированное кремниевое решение Inc		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		Поверхностное крепление	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	85 ° C.	-40 ° C.	SRAM - асинхронный			ROHS3 соответствует	/files/issi-IS62C51216AL55TLITR-DATASHEETS-7710.PDF	44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина)						8 недель	5,5 В.	4,5 В.	44	Параллель															4,5 В ~ 5,5 В.													44-TSOP II		8 МБ 512K x 16	Нестабильный			55NS				Шрам	Параллель			55NS

Issi, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии