ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Идентификатор упаковки производителя Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Программирование напряжения Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Параллельный/последовательный Альтернативная ширина памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Тип ввода/вывода Циклы обновления Последовательная длина пакета Длина чередующегося пакета Напряжение в режиме ожидания-мин.
IS43R16320D-6TLI ИС43Р16320Д-6ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $8,86
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR 1,2 мм Соответствует ROHS3 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 2,5 В 370 мА 66 8 недель Нет СВХК 66 512 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.28 1 370 мА е3 МАТОВАЯ ТУНКА 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ 260 2,5 В 0,65 мм 66 2,7 В 2,3 В 40 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 16б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 700пс 166 МГц 15б ДРАМ Параллельно 32MX16 16 15 нс 0,025А ОБЩИЙ 8192 248 248
IS61NVP102418-250B3 ИС61НВП102418-250Б3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR 1,2 мм Соответствует ROHS3 165-ТБГА 15 мм 13 мм 165 165 нет 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДА 2,375 В~2,625 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 1 мм 165 2,625 В 2,375 В НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,45 мА Не квалифицирован 18Мб 1М х 18 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 2,6 нс 250 МГц СРАМ Параллельно 1MX18 18 18874368 бит 0,06А ОБЩИЙ 2,38 В
IS21ES08G-JQLI IS21ES08G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) СИНХРОННЫЙ 1,4 мм Соответствует ROHS3 100-ЛБГА 18 мм 14 мм 100 2 недели 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 2,7 В~3,6 В НИЖНИЙ 260 3,3 В 1 мм 3,6 В 2,7 В 10 Р-ПБГА-Б100 64 ГБ 8 ГБ х 8 Энергонезависимый 3,3 В 200 МГц ВСПЫШКА eMMC 8GX8 8 68719476736 бит ПАРАЛЛЕЛЬНО
IS61VPD102418A-250B3 ИС61ВПД102418А-250Б3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — четырехпортовый, синхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 165-ТБГА 15 мм 13 мм 165 165 нет 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДА 2,375 В~2,625 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 1 мм 165 2,625 В 2,375 В НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,5 мА Не квалифицирован 18Мб 1М х 18 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 2,6 нс 250 МГц СРАМ Параллельно 1MX18 18 18874368 бит 0,06А ОБЩИЙ 2,38 В
IS43QR16512A-083TBLI IS43QR16512A-083TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR4 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 96-ТФБГА 14 мм 10 мм 96 2 недели 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ 1,2 В 0,8 мм 1,26 В 1,14 В Р-ПБГА-В96 8Гб 512М х 16 Неустойчивый 19нс 1,2 ГГц ДРАМ Параллельно 512MX16 16 15 нс 8589934592 бит
IS61NVF51236-6.5B3I ИС61НВФ51236-6.5Б3И ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR 1,2 мм Соответствует ROHS3 165-ТБГА 15 мм 13 мм 165 165 нет 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДА 2,375 В~2,625 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 1 мм 165 2,625 В 2,375 В НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,5 мА Не квалифицирован 18Мб 512К х 36 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 6,5 нс 133 МГц СРАМ Параллельно 512КХ36 36 18874368 бит 0,075А ОБЩИЙ 2,38 В
IS25LQ040B-JBLE-TR IS25LQ040B-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 0,59 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 2,16 мм Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) 8 8 недель 8 SPI, серийный да 1 ДА 2,3 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,27 мм 3,6 В 2,3 В НЕ УКАЗАН 4Мб 512К х 8 Энергонезависимый 104 МГц ВСПЫШКА SPI — четырехканальный ввод-вывод 4MX1 1 800 мкс 4194304 бит
IS61LF51236B-7.5B3I ИС61ЛФ51236Б-7.5Б3И ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR 1,2 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lf51236b75b3i-datasheets-4255.pdf 165-ТБГА 15 мм 13 мм 165 1 ДА 3,135 В~3,465 В НИЖНИЙ 3,3 В 1 мм 3,465 В 3,135 В Р-ПБГА-Б165 18Мб 512К х 36 Неустойчивый 7,5 нс 117 МГц СРАМ Параллельно 512КХ36 36 18874368 бит
IS43TR82560B-125KBLI ИС43ТР82560Б-125КБЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 78-ТФБГА 10,5 мм 1,5 В 78 8 недель 78 2 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 78 1,575 В 1,425 В 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 15б ДРАМ Параллельно 256MX8 8 15 нс
IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR ИС65ВВ1288ФБЛЛ-45ТЛА3-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~125°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) 2,2 В~3,6 В 1Мб 128К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 45нс
IS43R86400F-5TLI ИС43Р86400Ф-5ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $9,18
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 66 8 недель 1 EAR99 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,5 В~2,7 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,65 мм 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-Г66 512Мб 64М х 8 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 64MX8 8 15 нс 536870912 бит
IS25LP080D-JNLE IS25LP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Масса 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 4,9 мм 1,75 мм 3,9 мм 8 8 недель СПИ СОИК-8-4900X6000DE 1 е3 Олово (Sn) ДА 2,3 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 260 1,27 мм 3,6 В 2,3 В 10 Р-ПДСО-Г8 8Мб 1М х 8 Энергонезависимый 7 нс 133 МГц ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR 1MX8 8 800 мкс 8388608 бит СЕРИАЛ 1
IS25WP016D-JNLE-TR IS25WP016D-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 0,76 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 1,75 мм Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 8 недель 1 ДА 1,65 В~1,95 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 1,27 мм 1,95 В 1,65 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-Г8 16Мб 2М х 8 Энергонезависимый 1,8 В 133 МГц ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR 2MX8 8 800 мкс 16777216 бит СЕРИАЛ 1
IS62WV5128EBLL-45HLI IS62WV5128EBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $6,93
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) 11,8 мм 8 мм 32 8 недель 32 1 ДА 2,2 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 0,5 мм 3,6 В 2,2 В НЕ УКАЗАН 4Мб 512К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 512КХ8 8 45нс 4194304 бит 45 нс
IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR ИС62ВВС2568ФБЛЛ-20НЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 2,69 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 2 (1 год) SRAM – синхронный, SDR 1,75 мм Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 8 недель 1 ДА 2,2 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,27 мм 3,6 В 2,2 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-Г8 2Мб 256К х 8 Неустойчивый 20 МГц СРАМ SPI — четыре ввода-вывода, SDI, DTR 256КХ8 8 2097152 бит СЕРИАЛ
IS42VM16200D-75BLI-TR ИС42ВМ16200Д-75БЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 54-ТФБГА 8 мм 8 мм 54 12 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,95 В 1,7 В НЕ УКАЗАН С-ПБГА-Б54 32Мб 2М х 16 Неустойчивый 6нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 2MX16 16 33554432 бит
IS42RM32100D-75BLI ИС42РМ32100Д-75БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 90-ТФБГА 13 мм 8 мм 90 12 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,8 мм 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б90 32Мб 1М х 32 Неустойчивый 6нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 1MX32 32 33554432 бит
IS42SM32100D-6BLI ИС42СМ32100Д-6БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 54-ТФБГА 13 мм 8 мм 90 12 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 3,6 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б90 32Мб 1М х 32 Неустойчивый 5,5 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 1MX32 32 33554432 бит
IS42S16160J-7TL ИС42С16160ДЖ-7ТЛ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Трубка 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 3,3 В 54 6 недель 54 256 Мб 1 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 3,6 В НЕ УКАЗАН 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 143 МГц 13б ДРАМ Параллельно 16MX16 16
IS42VM16200D-6BLI ИС42ВМ16200Д-6БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 54-ТФБГА 8 мм 8 мм 54 12 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.02 1 е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ 260 1,8 В 0,8 мм 1,95 В 1,7 В 10 С-ПБГА-Б54 32Мб 2М х 16 Неустойчивый 5,5 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 2MX16 16 33554432 бит
IS66WV51216EBLL-70BLI IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 2,79 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) PSRAM (псевдо SRAM) АСИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 48-ТФБГА 8 мм 6 мм 48 10 недель 1 ДА 2,5 В~3,6 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 0,75 мм 3,6 В 2,5 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б48 8Мб 512К х 16 Неустойчивый ПСРАМ Параллельно 512КХ16 16 70нс 8388608 бит 70 нс
IS42VM16200D-75BLI ИС42ВМ16200Д-75БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 54-ТФБГА 8 мм 8 мм 54 12 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.02 1 е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ 260 1,8 В 0,8 мм 1,95 В 1,7 В 10 С-ПБГА-Б54 32Мб 2М х 16 Неустойчивый 6нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 2MX16 16 33554432 бит
IS42S16160G-6TL ИС42С16160Г-6ТЛ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $8,66
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 3,3 В 160 мА 54 6 недель 54 256 Мб 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 160 мА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В НЕ УКАЗАН Не квалифицирован 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 16б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5,4 нс 166 МГц 15б ДРАМ Параллельно 16MX16 16 0,004А ОБЩИЙ 8192 1248ФП 1248
IS43LR32100D-6BLI-TR ИС43ЛР32100Д-6БЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 90-ТФБГА 13 мм 8 мм 90 14 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,95 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б90 32Мб 1М х 32 Неустойчивый 5,5 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 1MX32 32 15 нс 33554432 бит
IS37SML01G1-MLI-TR IS37SML01G1-MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ФЛЕШ-NAND (SLC) СИНХРОННЫЙ 2,65 мм Соответствует ROHS3 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,31 мм 7,49 мм 16 8 недель 1 ДА 2,7 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 1,27 мм 3,6 В 2,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G16 1 ГБ 128 М x 8 Энергонезависимый 8нс 3,3 В 104 МГц ВСПЫШКА СПИ 128MX8 8 1073741824 бит СЕРИАЛ
IS43LR16400C-6BLI-TR IS43LR16400C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR СИНХРОННЫЙ 1,1 мм Соответствует ROHS3 60-ТФБГА 10 мм 8 мм 60 14 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,95 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б60 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 5,5 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 4MX16 16 15 нс 67108864 бит
IS42VM32200M-75BLI-TR ИС42ВМ32200М-75БЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия Соответствует ROHS3 90-ТФБГА 12 недель 1,7 В~1,95 В 64Мб 2М х 32 Неустойчивый 6нс 133 МГц ДРАМ Параллельно
IS62WV5128BLL-55TLI ИС62ВВ5128БЛЛ-55ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 3,15 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 2 (1 год) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-datasheets-3032.pdf 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) 21,08 мм 1,05 мм 10,29 мм 3,3 В Без свинца 32 8 недель 32 4 Мб да 1 Нет 1 45 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное 2,5 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 260 2,8 В 0,5 мм 32 3,6 В 2,5 В 40 4Мб 512К х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 19б СРАМ Параллельно 55нс 55 нс Асинхронный ОБЩИЙ
IS25LP128F-JBLE IS25LP128F-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $2,44
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Трубка 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 2,16 мм Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) 5,28 мм 5,28 мм 8 8 недель 1 ДА 2,3 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,27 мм 3,6 В 2,3 В НЕ УКАЗАН С-ПДСО-G8 128Мб 16М х 8 Энергонезависимый 133 МГц ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR 16MX8 8 800 мкс 134217728 бит СЕРИАЛ 1
IS63WV1288DBLL-10KLI-TR IS63WV1288DBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 3,76 мм Соответствует ROHS3 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) 20,95 мм 10,16 мм 32 32 да 1 ДА 2,4 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,27 мм 3,6 В 2,4 В НЕ УКАЗАН 1Мб 128К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 128КХ8 8 10 нс 1048576 бит 10 нс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.