ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Высота сидя (Макс.) Статус RoHS Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Программирование напряжения Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Параллельный/последовательный Альтернативная ширина памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Размер страницы Тип ввода/вывода Циклы обновления Последовательная длина пакета Длина чередующегося пакета Обратная распиновка Напряжение в режиме ожидания-мин. Режим доступа Включение выхода
IS25LQ016B-JBLE-TR IS25LQ016B-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 2,16 мм Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) 8 8 SPI, серийный 16 Мб да 1 ДА 2,3 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 1,27 мм 3,6 В НЕ УКАЗАН 16Мб 2М х 8 Энергонезависимый 2,7 В 104 МГц 24б ВСПЫШКА SPI — четырехканальный ввод-вывод 16MX1 1 1 мс 256Б
IS25LP064A-JGLE IS25LP064A-JGLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Масса 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 24-ТБГА 8 мм 6 мм 24 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 2,3 В~3,6 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1 мм 3,6 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б24 64Мб 8М х 8 Энергонезависимый 133 МГц ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI 64MX1 1 800 мкс 67108864 бит СЕРИАЛ
IS61WV204816ALL-10BLI-TR IS61WV204816ALL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 48-ТФБГА 8 мм 6 мм 48 1 ДА 1,65 В~2,2 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,75 мм 2,2 В 1,65 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б48 32Мб 2М х 16 Неустойчивый СРАМ Параллельно 2MX16 16 10 нс 33554432 бит 10 нс
IS42SM16800H-75BI-TR ИС42СМ16800Х-75БИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия Соответствует ROHS3 54-ТФБГА 3В~3,6В 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 6нс 133 МГц ДРАМ Параллельно
IS42RM16160D-7BLI ИС42РМ16160Д-7БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42sm16160d7bl-datasheets-4406.pdf 54-ТФБГА 13 мм 2,5 В Без свинца 54 54 256 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Медь, Серебро, Олово Нет 143 МГц 1 110 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 2,3 В~2,7 В НИЖНИЙ 260 2,5 В 0,8 мм 54 2,7 В 2,3 В 10 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 16б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5,4 нс 15б ДРАМ Параллельно 16MX16 16 0,001А ОБЩИЙ 8192 1248ФП 1248
IS42RM16200C-75BLI ИС42РМ16200С-75БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42vm16200c75bli-datasheets-4430.pdf 54-ТФБГА 8 мм 8 мм 54 да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.02 1 е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ ДА 2,3 В~2,7 В НИЖНИЙ 260 2,5 В 0,8 мм 54 2,3 В 40 2,5 В 0,055 мА Не квалифицирован С-ПБГА-Б54 32Мб 2М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 6нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 2MX16 16 33554432 бит 0,00001А ОБЩИЙ 4096 1248ФП 1248
IS42RM16800G-6BLI-TR ИС42РМ16800Г-6БЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm16800g6bli-datasheets-4412.pdf 54-ТФБГА 54 ДА 2,3 В~2,7 В НИЖНИЙ 2,5 В 0,8 мм 2,5 В 0,105 мА Не квалифицирован С-ПБГА-Б54 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5,5 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 8MX16 16 134217728 бит 0,00001А ОБЩИЙ 4096 1248ФП 1248
IS46LD32320A-3BPLA2 ИС46ЛД32320А-3БПЛА2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 СИНХРОННЫЙ 0,95 мм Соответствует ROHS3 168-ВФБГА 12 мм 12 мм 168 1 САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. 1 ДА 1,14 В~1,95 В НИЖНИЙ 1,2 В 0,5 мм 1,3 В 1,14 В С-ПБГА-Б168 1Гб 32М х 32 Неустойчивый 333 МГц ДРАМ Параллельно 32MX32 32 15 нс 1073741824 бит НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ
IS42RM16160D-7BLI-TR ИС42РМ16160Д-7БЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42sm16160d7bl-datasheets-4406.pdf 54-ТФБГА 143 МГц 2,3 В~2,7 В 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс ДРАМ Параллельно
IS62WV25616DALL-55TLI IS62WV25616DALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,41 мм 10,16 мм 44 44 да 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА 1,65 В~2,2 В ДВОЙНОЙ 260 0,8 мм 44 2,2 В 1,65 В 40 1,8/2 В 0,015 мА Не квалифицирован 4Мб 256К х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СРАМ Параллельно 256КХ16 16 55нс 4194304 бит 0,000007А 55 нс ОБЩИЙ 1,2 В
IS66WVE2M16ALL-7010BLI IS66WVE2M16ALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) PSRAM (псевдо SRAM) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is66wve2m16all7010bli-datasheets-5772.pdf 48-ТФБГА 1,7 В~1,95 В 32Мб 2М х 16 Неустойчивый ПСРАМ Параллельно 70нс
IS62WV5128DALL-55T2LI IS62WV5128DALL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) 20,95 мм 10,16 мм 32 32 3A991.B.2.A 1 ДА 1,65 В~2,2 В ДВОЙНОЙ 1,8 В 1,27 мм 32 2,2 В 1,65 В 1,8/2 В 0,02 мА Не квалифицирован 4Мб 512К х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СРАМ Параллельно 512КХ8 8 55нс 4194304 бит 0,000007А 55 нс ОБЩИЙ 1,2 В
IS61QDB42M18C-333M3LI ИС61КДБ42М18К-333М3ЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, QUAD 1,4 мм Соответствует ROHS3 165-ЛБГА 17 мм 15 мм 165 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 ДА 1,71 В~1,89 В НИЖНИЙ 1,8 В 1 мм 1,89 В 1,71 В Р-ПБГА-Б165 36Мб 2М х 18 Неустойчивый 8,4 нс 333 МГц СРАМ Параллельно 2MX18 18 37748736 бит
IS62WVS5128FALL-16NLI-TR IS62WVS5128FALL-16NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 1,65 В~2,2 В 4Мб 512К х 8 Неустойчивый 16 МГц СРАМ SPI — четырехканальный ввод-вывод
IS61WV10248BLL-10TLI ИС61ВВ10248БЛЛ-10ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $16,24
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,415 мм 10,16 мм 44 8 недель Нет СВХК 44 8 Мб да 2 3А991 Нет 1 100 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА 2,4 В~3,6 В ДВОЙНОЙ 260 0,8 мм 44 3,6 В 40 8Мб 1М х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20б СРАМ Параллельно 1MX8 10 нс 10 нс Асинхронный ОБЩИЙ
IS45S32400F-7BA25 ИС45С32400Ф-7БА25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400f7ba25-datasheets-1458.pdf 90-ТФБГА 3В~3,6В 90-ТФБГА (8х13) 128Мб 4М х 32 Неустойчивый 5,4 нс 143 МГц ДРАМ Параллельно
IS25WP128-JMLE IS25WP128-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Трубка 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 2,65 мм Соответствует ROHS3 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,3 мм 1,8 В 16 8 недель 16 SPI, серийный 128 Мб 1 е3 Матовый олово (Sn) ДА 1,65 В~1,95 В ДВОЙНОЙ 260 1,8 В 1,27 мм 1,95 В 1,65 В 10 128Мб 16М х 8 Энергонезависимый 133 МГц 24б ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR 128MX1 1 800 мкс 256Б
IS25LP512M-RGLE IS25LP512M-РГЛЕ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Поднос 3 (168 часов) ВСПЫШКА – НО СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 24-ТБГА 8 мм 6 мм 24 3A991.B.1.A 8542.32.00.51 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 2,3 В~3,6 В НИЖНИЙ 260 1 мм 3,6 В 2,3 В 10 Р-ПБГА-Б24 512Мб 64М х 8 Энергонезависимый 133 МГц ВСПЫШКА SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR 64MX8 8 1,6 мс 536870912 бит СЕРИАЛ 1
IS43DR16320E-3DBLI ИС43ДР16320Е-3ДБЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $4,18
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 84-ТФБГА 10,5 мм 8 мм 84 8 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б84 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 450 нс 333 МГц ДРАМ Параллельно 32MX16 16 15 нс 536870912 бит
IS43R16320E-6BI-TR ИС43Р16320Э-6БИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR Соответствует ROHS3 60-ТФБГА 512 Мб 166 МГц 2,3 В~2,7 В 512М 32М х 16 Неустойчивый 700пс 13б ДРАМ Параллельно 15 нс
IS61LF12836A-7.5TQLI IS61LF12836A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $12,10
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR 1,6 мм Соответствует ROHS3 100-LQFP 20 мм 14 мм 3,3 В 160 мА 100 12 недель 657,000198мг 100 4 Мб да 4 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 160 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА 3,135 В~3,6 В КВАД 260 3,3 В 0,65 мм 100 3,135 В 40 4,5 Мб 128К х 36 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 7,5 нс 117 МГц 17б СРАМ Параллельно 128КХ36 0,035А 36б синхронный ОБЩИЙ
IS46DR81280C-25DBLA1-TR ИС46ДР81280К-25ДБЛА1-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~85°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 60-ТФБГА 10,5 мм 8 мм 60 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б60 1 ГБ 128 М x 8 Неустойчивый 400пс 400 МГц ДРАМ Параллельно 128MX8 8 15 нс 1073741824 бит
IS61WV25616EDBLL-8BLI IS61WV25616EDBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $8,34
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 48-ТФБГА 8 мм 3,3 В 48 8 недель 48 4 Мб да 1 1 е3 Матовый олово (Sn) ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ 225 3,3 В 0,75 мм 3,63 В 2,97 В НЕ УКАЗАН 0,045 мА Не квалифицирован 4Мб 256К х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 18б СРАМ Параллельно 16 8нс 0,006А 8 нс ОБЩИЙ
IS43TR16128B-107MBLI-TR ИС43ТР16128Б-107МБЛИ-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 Соответствует ROHS3 96-ТФБГА 1,425 В~1,575 В 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 195пс 933 МГц ДРАМ Параллельно 15 нс
IS42S16800F-7TLI ИС42С16800Ф-7ТЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 54 6 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.02 1 е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 10 3,3 В 0,1 мА Не квалифицирован Р-ПДСО-Г54 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5,4 нс 143 МГц ДРАМ Параллельно 8MX16 16 134217728 бит 0,002А ОБЩИЙ 4096 1248ФП 1248
IS61NVF51236-7.5B3-TR ИС61НВФ51236-7.5Б3-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR Соответствует ROHS3 165-ТБГА 165 2,375 В~2,625 В 18Мб 512К х 36 Неустойчивый 7,5 нс 117 МГц СРАМ Параллельно
IS66WVE4M16EBLL-70BLI ИС66ВВЭ4М16ЕБЛЛ-70БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. $3,92
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) PSRAM (псевдо SRAM) АСИНХРОННЫЙ Соответствует ROHS3 48-ТФБГА 8 мм 48 10 недель 48 64 Мб 1 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 2,7 В~3,6 В НИЖНИЙ 260 0,75 мм 3,6 В 2,7 В 10 0,025 мА 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 22б ПСРАМ Параллельно 16 70нс 70 нс ОБЩИЙ НЕТ 2,7 В НЕТ
IS61NVP102418-250B3I-TR ИС61НВП102418-250Б3И-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR Соответствует ROHS3 165-ТБГА 165 2,375 В~2,625 В 18Мб 1М х 18 Неустойчивый 2,6 нс 250 МГц СРАМ Параллельно
IS21ES04G-JCLI IS21ES04G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is21es08gjcli-datasheets-7489.pdf 153-ВФБГА 13 мм 11,5 мм 153 8 недель 153 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 2,7 В~3,6 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,5 мм 3,6 В 2,7 В НЕ УКАЗАН 32 ГБ 4G х 8 Энергонезависимый 3,3 В 200 МГц ВСПЫШКА eMMC 4GX8 8 34359738368 бит ПАРАЛЛЕЛЬНО
IS61VPS102418A-200B3-TR ИС61ВПС102418А-200Б3-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR Соответствует ROHS3 165-ТБГА 165 2,375 В~2,625 В 18Мб 1М х 18 Неустойчивый 3,1 нс 200 МГц СРАМ Параллельно

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.