Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактIssi, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Количество булавок | Плотность | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Напряжение программирования | Тактовая частота | Адреса ширины шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Параллель/сериал | Альтернативная ширина памяти | Вспомогательный ток-макс | Размер слова | Время доступа (макс) | Синхронизированная/асинхронная | Тип ввода/вывода | Обновления циклов | Последовательная длина взрыва | Чередовая длина взрыва | Вспомогательное напряжение-мимин | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42VM16800G-6BL-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - Мобильный | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm16800g6bli-datasheets-4412.pdf | 54-TFBGA | 1,7 В ~ 1,95 В. | 128 МБ 8m x 16 | Нестабильный | 5,5NS | 166 МГц | Драм | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46LD32320A-3BPLA1 | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | Синхронно | 0,95 мм | ROHS3 соответствует | 168-VFBGA | 12 мм | 12 мм | 168 | 1 | Самостоятельно обновление; Также требуется 1,8 В ном | 1 | ДА | 1,14 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | 1,2 В. | 0,5 мм | 1,3 В. | 1,14 В. | S-PBGA-B168 | 1 ГБ 32 м x 32 | Нестабильный | 333 МГц | Драм | Параллель | 32MX32 | 32 | 15NS | 1073741824 бит | Многочисленная страница страницы | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42SM32160C-7BLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - Мобильный | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42sm32160c7bli-datasheets-4457.pdf | 90-LFBGA | 90 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,8 мм | 3,3 В. | 0,26 мА | Не квалифицирован | R-PBGA-B90 | 512 МБ 16m x 32 | Нестабильный | 3-штат | 5.4ns | 133 МГц | Драм | Параллель | 16mx32 | 32 | 536870912 бит | 0,00004a | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV25616DBLL-55TLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | да | 3A991.B.2.a | 8542.32.00.41 | 1 | E3 | Матовая олова | ДА | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 2,3 В. | 40 | 2,5/3,3 В. | 0,015 мА | Не квалифицирован | 4 МБ 256K x 16 | Нестабильный | 3-штат | Шрам | Параллель | 256KX16 | 16 | 55NS | 4194304 бит | 0,000007a | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Is66wve2m16all-7010bli-tr | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is66wve2m16all7010bli-datasheets-5772.pdf | 48-TFBGA | 1,7 В ~ 1,95 В. | 48-TFBGA (6x8) | 32 МБ 2m x 16 | Нестабильный | 70NS | ПСРАМ | Параллель | 70NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61DDB21M36C-300M3 | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, DDR II | 1,4 мм | Не совместимый с ROHS | 165-LBGA | 17 мм | 15 мм | 165 | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В ~ 1,89 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 1,89 В. | 1,71 В. | R-PBGA-B165 | 36 МБ 1m x 36 | Нестабильный | 8.4ns | 300 МГц | Шрам | Параллель | 1mx36 | 36 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61QDB42M18C-250M3L | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - синхронный, квадратный | 1,4 мм | ROHS3 соответствует | 165-LBGA | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.a | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В ~ 1,89 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 1,89 В. | 1,71 В. | R-PBGA-B165 | 36 МБ 2m x 18 | Нестабильный | 8.4ns | 250 МГц | Шрам | Параллель | 2mx18 | 18 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP080D-JNLE-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Flash - NO | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | E3 | Олово (SN) | ДА | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В. | 2,3 В. | 10 | R-PDSO-G8 | 8 МБ 1m x 8 | Нелетущий | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 1mx8 | 8 | 800 мкс | 8388608 бит | Сериал | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR2 | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43dr86400c25dbi-datasheets-1394.pdf | 60-TFBGA | 10,5 мм | 8 мм | 60 | 1 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,9 В. | 1,7 В. | 1,8 В. | 0,37 мА | Не квалифицирован | R-PBGA-B60 | 512m 64m x 8 | Нестабильный | 3-штат | 400 с | 400 МГц | Драм | Параллель | 64mx8 | 8 | 15NS | 536870912 бит | 0,013а | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV204816BLL-10BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 28,14 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 48-TFBGA | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,4 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В. | 2,4 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B48 | 32 МБ 2m x 16 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 2mx16 | 16 | 10NS | 33554432 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS12836A-200B3I | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lps12836a200b3i-datasheets-1483.pdf | 165-TBGA | 15 мм | 13 мм | 165 | нет | 3A991.B.2.a | Трубопроводная архитектура | соответствие | 8542.32.00.41 | 1 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | ДА | 3.135V ~ 3.465V | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 1 мм | 165 | 3.465V | 3.135V | НЕ УКАЗАН | 2.5/3,33,3 В. | 0,21 мА | Не квалифицирован | R-PBGA-B165 | 4 МБ 128K x 36 | Нестабильный | 3-штат | 2,6NS | 250 МГц | Шрам | Параллель | 128KX36 | 36 | 4718592 бит | 0,075а | ОБЩИЙ | 3,14 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43R16160F-6TLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 2,75 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В. | 66 | 8 недель | 66 | 256 МБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | E3 | Олово | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | Двойной | 260 | 2,5 В. | 0,65 мм | 2,7 В. | 2,3 В. | 10 | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 700 л.с. | 166 МГц | 13b | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S16800F-6BI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS3 соответствует | 54-TFBGA | 3 В ~ 3,6 В. | 128 МБ 8m x 16 | Нестабильный | 5.4ns | 166 МГц | Драм | Параллель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV6416BLL-15TLA3 | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 14,33 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 125 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 3,3 В. | 44 | 10 недель | 44 | 1 МБ | да | 1 | Нет | 1 | 50 мА | E3 | Матовая олова (SN) - отожжен | ДА | 2,5 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 2,5 В. | 10 | 1 МБ 64K x 16 | Нестабильный | 3-штат | 16b | Шрам | Параллель | 16 | 15NS | 0,075а | 16b | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR16160B-3DBI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR2 | ROHS3 соответствует | 84-TFBGA | 84 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,8 В. | 0,28 мА | Не квалифицирован | R-PBGA-B84 | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 3-штат | 450 с | 333 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 15NS | 268435456 бит | 0,025а | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV20488BLL-10MLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 21,95 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 48-TFBGA | 48 | 8 недель | Нет SVHC | 48 | 16 МБ | да | 1 | Нет | 1 | 100 мА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 2,4 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 2,4 В. | 40 | 2,5/3,3 В. | 16 МБ 2m x 8 | Нестабильный | 3-штат | 21b | Шрам | Параллель | 2mx8 | 8 | 10NS | 0,025а | 8B | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S16160G-7BI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS3 соответствует | 54-TFBGA | 54 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,8 мм | 3,3 В. | 0,13 мА | Не квалифицирован | S-PBGA-B54 | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 268435456 бит | 0,004а | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 9,96 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR2 | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 60-TFBGA | 10,5 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | E1 | Жестяная серебряная медь | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,9 В. | 1,7 В. | 10 | 1,8 В. | 0,3 мА | Не квалифицирован | R-PBGA-B60 | 1 ГБ 128m x 8 | Нестабильный | 3-штат | 400 с | 400 МГц | Драм | Параллель | 128mx8 | 8 | 15NS | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF102418A-7.5B3I-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | ROHS3 соответствует | 165-TBGA | 165 | 3.135V ~ 3.465V | 18 МБ 1m x 18 | Нестабильный | 7,5NS | 117 МГц | Шрам | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 3,24 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,54 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 35 мА | 44 | 8 недель | 44 | 4 МБ | да | 1 | Нет | 1 | 35 мА | E3 | Олово | ДА | 2,4 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 2,4 В. | 10 | 2,5/3,3 В. | 4 МБ 256K x 16 | Нестабильный | 3-штат | 18b | Шрам | Параллель | 10NS | 0,006a | 16b | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS51236A-200B3I-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | ROHS3 соответствует | 165-TBGA | 165 | 3.135V ~ 3.465V | 18 МБ 512K x 36 | Нестабильный | 3.1NS | 200 МГц | Шрам | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv25616bll10tlitr-datasheets-2920.pdf | 48-TFBGA | 8,1 мм | 900 мкм | 6,1 мм | 48 | 8 недель | 48 | 4 МБ | да | 1 | Нет | 1 | 45 мА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 2,4 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В. | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 2,4 В. | 40 | 2,5/3,3 В. | 4 МБ 256K x 16 | Нестабильный | 3-штат | 18b | Шрам | Параллель | 10NS | 0,009а | 16b | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP102418-200B3-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | ROHS3 соответствует | 165-TBGA | 165 | 3.135V ~ 3.465V | 18 МБ 1m x 18 | Нестабильный | 3.1NS | 200 МГц | Шрам | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S16320D-7TL | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 12,36 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,22 мм | 3,3 В. | 160 мА | 54 | 6 недель | 54 | 512 МБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Нет | 1 | 160 мА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 0,8 мм | 54 | 3,6 В. | 3В | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | 15B | Драм | Параллель | 32MX16 | 16 | 0,004а | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF102418A-6.5B3I-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | ROHS3 соответствует | 165-TBGA | 3,3 В. | 165 | 18 МБ | 2 | 275 мА | 3.135V ~ 3.465V | 18 МБ 1m x 18 | Нестабильный | 6,5NS | 133 МГц | 20B | Шрам | Параллель | 18b | Синхронно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS29GL256-70FLET | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | $ 6,27 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Flash - NO | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | ROHS3 соответствует | 64-lbga | 13 мм | 11 мм | 64 | 2 недели | 1 | E3 | Олово (SN) | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B64 | 256 МБ 32 м х 8 | Нелетущий | 70NS | 3В | ВСПЫШКА | Параллель | 256mx1 | 1 | 200 мкс | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61VPD51236A-200B3-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - Quad Port, синхронный | ROHS3 соответствует | 165-TBGA | 165 | 2,375 В ~ 2,625 В. | 18 МБ 512K x 36 | Нестабильный | 3.1NS | 200 МГц | Шрам | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS21ES16G-JCLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Flash - nand (MLC) | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | 153-VFBGA | 13 мм | 11,5 мм | 153 | 2 недели | 1 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,5 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B153 | 128GB 16G x 8 | Нелетущий | 3,3 В. | 200 МГц | ВСПЫШКА | EMMC | 16GX8 | 8 | 137438953472 бит | Параллель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61VF51236A-7.5B3I-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | ROHS3 соответствует | 165-TBGA | 165 | 2,375 В ~ 2,625 В. | 18 МБ 512K x 36 | Нестабильный | 7,5NS | 117 МГц | Шрам | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR16640BL-125JBLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 96-TFBGA | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.32 | 1 | E1 | Жестяная серебряная медь | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 64mx16 | 16 | 15NS | 1073741824 бит |
