Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W631GU6KB-15 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6kb15i-datasheets-3666.pdf | 96-ТФБГА | 1,283 В~1,45 В | 96-ШБГА (9х13) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W971GG6KB-25 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w971gg6kb25tr-datasheets-3907.pdf | 84-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6KB15I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6kb12i-datasheets-3642.pdf | 96-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W978H2KBQX2E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/winbondelectronics-w978h6kbvx2e-datasheets-3174.pdf | 168-ВФБГА | 12 мм | 12 мм | 168 | 168 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,5 мм | 1,3 В | 1,14 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 15нс | 268435456 бит | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D6FBHX5I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d2fbjx5e-datasheets-6682.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16BVSFIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16bvsfig-datasheets-6563.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | SPI, серийный | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 16 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,018 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 16777216 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64CVSFIG | Винбонд Электроникс | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64cvzeig-datasheets-5635.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 3,3 В | 16 | 16 | SPI, серийный | 64 Мб | 3A991.B.1.A | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 16 | 3,6 В | 2,7 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 80 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL064CH7T | Винбонд Электроникс | 1,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl064cb7a-datasheets-5377.pdf | 56-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 14 мм | 56 | 14 недель | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 56 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г56 | 64Мб 8М х 8 4М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 64MX1 | 1 | 70нс | 67108864 бит | 8 | 0,000005А | 70 нс | ДА | ДА | ДА | 128 | 64К | ДА | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVPIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | Без свинца | 8 | 8 | SPI, серийный | 128 Мб | 3A991.B.1.A | Нет | 1 | 20 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 3В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 1 | 50 мкс, 3 мс | 0,00002А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVFIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9816G6IB-6 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9816g6ib6-datasheets-8269.pdf | 60-ТФБГА | 10,1 мм | 3,3 В | 60 | 60 | 16 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 110 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 60 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16ДВСНИГ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 8 | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | Нет | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8 | 50 мкс, 3 мс | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG8KB-11 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg8kb12i-datasheets-3731.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 78 | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,36 мА | Не квалифицирован | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | 0,019А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q20EWZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q20ewsnig-datasheets-4710.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 8-ВСОН (6x5) | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVSFIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvsfig-datasheets-5409.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 32MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVSS00 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvsf00-datasheets-5430.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 8-СОИК | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVSH02 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVTCIP | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvtcip-datasheets-6039.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,04 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б24 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 64MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 0,000025А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6MB12I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6mb12tr-datasheets-7422.pdf | 96-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6MB-11 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6mb12-datasheets-1593.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8MB15I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8mb12tr-datasheets-7505.pdf | 78-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG8MB-12 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg8mb12-datasheets-1633.pdf | 78-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU6KS-15 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6ks15-datasheets-9888.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q257FVФИГ | Винбонд Электроникс | $9,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q257fvfiftr-datasheets-9921.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | 14 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-G16 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 256MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 268435456 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DVSSJG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVSJP ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W74M12FVSSIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w74m12fvssiqtr-datasheets-4411.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 14 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 80 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX8 | 8 | 134217728 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FWZPIF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fwxgigtr-datasheets-2607.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | совместимый | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 8MX8 | 8 | 60 мкс, 5 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6MB09I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6mb09j-datasheets-7553.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 1,067 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVZEJQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvzejqtr-datasheets-8915.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс |
