| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Защита от ЭСР | Время доступа | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Режим доступа | Максимальная скорость передачи данных хоста |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT16LSDF6464HY-13EG1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 65°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 31,88 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16lsdf3264hg133g4-datasheets-4417.pdf | 144-SODIMM | 67,585 мм | 3,3 В | 144 | 3,6 В | 3В | 144 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Нет | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | Золото (Ау) | ЗИГ-ЗАГ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 144 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 16 | 512 МБ | SDRAM | 64б | 5,4 нс | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||
| МТА18АСФ2Г72АЗ-2Г3Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72az2g3b1-datasheets-0690.pdf | 288-УДИММ | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 5 недель | 288 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 85°С | 1,26 В | 1,14 В | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | 2GX72 | 72 | 154618822656 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА36АСФ4Г72ПЗ-2Г1Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g1b1-datasheets-0706.pdf | 288-РДИММ | 288 | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА8АТФ1Г64АЗ-2Г6Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 288-УДИММ | 5 недель | 288 | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAE016SAJ-1N3IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | Модуль | 16 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF12872HY-40BJ1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vddf12872hy335j1-datasheets-0376.pdf | 200-SODIMM | 2,6 В | 200 | 400 МГц | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 72б | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА16АТФ1Г64ХЗ-2Г1Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta16atf1g64hz2g1b1-datasheets-1154.pdf | 5 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA8ATF51264AZ-2G1B1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta8atf51264az2g6b1-datasheets-1152.pdf | 288-УДИММ | 5 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА001А32БА-001 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA608ALQ64G72MSZ-1S6E1B5 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA36ASF4G72PZ-2G3B1C ТР | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g3b1c-datasheets-1270.pdf | 288-РДИММ | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF25672PZ-1G6G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf25672pz1g4g1-datasheets-0663.pdf | 240-РДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36КСФ1Г72ПЗ-1Г6М1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt36ksf1g72pz1g6m1-datasheets-1353.pdf | 240-РДИММ | 240 | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9LSDT3272AY-133G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 133 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9lsdt3272ay133d2-datasheets-0555.pdf | 168-УДИММ | 168 | 256 МБ | SDRAM | 133 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36КСЗФ1Г72ЛДЗ-1Г4М1А5 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | КМОП | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt36kszf1g72ldz1g4m1a5-datasheets-1403.pdf | 240-LRDIMM | 133,35 мм | 1,35 В | 240 | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1,333 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 1,35 В | 1 мм | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,45 В | 1,283 В | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9КДФ25672ПЗ-1Г6М1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt9kdf25672pz1g4d1-datasheets-0512.pdf | 240-РДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16JTF1G64AZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt16jtf1g64az1g6e1-datasheets-1482.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | 1,575 В | 1,425 В | 240 | Золото | 800 МГц | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 64б | 1600 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF51272AZ-1G9K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72az1g6d1-datasheets-0712.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | 12 недель | 1,575 В | 1,425 В | 240 | 1,866 ГГц | 18 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1866МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4JTF25664AZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt4jtf25664az1g6e1-datasheets-1552.pdf | 240-УДИММ | 133,35 мм | 1,5 В | 240 | 1,575 В | 1,425 В | 240 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Золото | 800 МГц | неизвестный | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,5 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 64б | 1600 МТ/с | 256MX64 | 64 | 17179869184 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18КДФ51272ПДЗ-1Г1К1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18kdf51272pdz1g4m1-datasheets-1324.pdf | 240-РДИММ | 1,35 В | 240 | Нет | 1,066 ГГц | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1066МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF51272PKZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf51272pkiz1g4d1-datasheets-1330.pdf | 244-МиниRDIMM | 82 мм | 1,5 В | 240 | 244 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Нет | 1,333 ГГц | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 1,5 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,575 В | 1,425 В | Р-XDMA-N240 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9JDF25672AZ-1G6K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt9jdf25672az1g6k1-datasheets-1637.pdf | 240-УДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9KSF25672AZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt9ksf25672az1g6m1-datasheets-1384.pdf | 240-УДИММ | 133,35 мм | 1,35 В | 240 | 1,45 В | 1,283 В | 240 | 1 | Нет | 1,333 ГГц | 1 | ДВОЙНОЙ | 1,35 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 9 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | 256MX72 | 72 | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAE004SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | 5,25 В | 2,85 В | USB | 32 ГБ | 8542.31.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 5В | ДА | НЕУКАЗАНО | 260 | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | Р-XXMA-N10 | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | Нет | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBR004SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 3,3 В | 10 | 12 недель | USB | 32 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-XXMA-N10 | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18КСФ1Г72ПКИЗ-1Г4Е1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18ksf1g72pkiz1g4e1-datasheets-1732.pdf | 244-МиниRDIMM | 244 | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472PZ-667H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472pz667h1-datasheets-1747.pdf | 240-РДИММ | 1,8 В | 5 недель | 240 | 333,33 МГц | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 72б | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8KTF12864AZ-1G4J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt8ktf51264az1g6e1-datasheets-1742.pdf | 240-УДИММ | 1,35 В | 240 | 666,67 МГц | 1 ГБ | DDR3L SDRAM | 64б | 1333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9KSF51272HZ-1G6P1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mt9ksf51272hz1g6p1-datasheets-1781.pdf | 204-SODIMM | 67,6 мм | 3,8 мм | 204 | 5 недель | 204 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 1 | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,45 В | 1,283 В | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA9ASF51272AZ-2G1B1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mta9asf51272az2g3b1-datasheets-0722.pdf | 288-УДИММ | 5 недель | 288 | да | неизвестный | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.