Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактТехнология микрон (4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Рабочая температура | Упаковка | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Напряжение | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Форма терминала | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Температура | Рабочая температура (макс) | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Количество элементов | Подкатегория | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Защита ESD | Выходные характеристики | Время доступа | Напряжение программирования | Тактовая частота | Скорость передачи данных | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Вспомогательный ток-макс | Время доступа (макс) | Тип ввода/вывода | Обновления циклов | Режим доступа | Макс передачи данных хоста | Ток - макс | Стандарт интерфейса хоста | Скорость - читать | Скорость - написать | Форм -фактор |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTFDDAK3T8TDD-1AT1ZTAYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 5100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 5 В 12 В. | 3,84 ТБ | Flash - nand (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAC050SAL-1N1AA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | Realssd ™ | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,20 ммх69,85 ммх .9,50 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2011 год | Модуль | 5 В | 3,53 унции 100,07 г | Сата | 400 ГБ | 50 ГБ | Flash - nand (SLC) | Нет | 5 В | 2,5 МБ/с | 1,8 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV120MAV-1AE12ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | M500 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 50,80 ммх29,85 ммх3,75 мм | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2013 | /files/microntechnologyinc-mtfddat240mav1ae12abyy-datasheets-2620.pdf | Модуль | 0,35 унции 9,97 г | 3В | 120 ГБ | Flash - nand (MLC) | 500 МБ/с | 130 МБ/с | M.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK100MAN-1S1AA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | P400M | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,50 ммх69,85 ммх7,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2013 | 5 В | Модуль | Сата | 5 В | 100 ГБ | Flash - nand (MLC) | Нет | 380 МБ/с | 200 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV256TBN-1AR1ZABCC | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 ммх22,00 ммх2,15 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 4 недели | 3,3 В. | 256 ГБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | M.2 Модуль | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK128TBN-1AR12ABCB | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK512TBN-1AR1ZTAYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2017 | 5 недель | 1,98 унции 56 г | 8542.31.00.01 | 5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 512 ГБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK240TCC-1AR16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 5100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2017 | 5 недель | 2,47 унции 70,38 г | 8542.31.00.01 | 5 В 12 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 240 ГБ | Flash - nand (TLC) | 540 МБ/с | 250 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfdhar7t6tct-1Ar1zabyy | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Nvme | 9200 | 0 ° C ~ 55 ° C. | 167,65 ммх68,89 ммх18,74 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 5 недель | 0,353 унции 10 г | 8542.32.00.71 | 12 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 7,68 ТБ | Flash - nand (TLC) | 2.5A | 4,7 ГБ/с | 2,4 ГБ/с | Ххл | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV256TBN-1AR12ABDA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 ммх22,00 ммх2,15 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 3,3 В. | 256 ГБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | M.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDJAK400MBW-2AN16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | S655DC | 0 ° C ~ 50 ° C. | 100.24mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 12 недель | 5 В 12 В. | 400 ГБ | Flash - nand (MLC) | 3,3 В. | 1,7 ГБ/с | 850 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAT512MBF-1AN12ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | M600 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 50,80 ммх29,85 ммх4,75 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | 4,85 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | Модуль | 50,8 мм | 29,85 мм | 52 | 0,353 унции 10 г | Сидящий HT-Calculed | неизвестный | 8542.31.00.01 | ДА | 3,3 В. | Верхний | Нет лидерства | 3,3 В. | R-Xuuc-N52 | 512 ГБ | Flash - nand (MLC) | 750 Мбит / с | 560 Мбит / с | ATA-8; ACS-3 | 560 МБ/с | 510 МБ/с | Msata | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDJAK800MBT-2AN16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | S630DC | 0 ° C ~ 50 ° C. | 100.24mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2017 | 12 недель | 5 В 12 В. | 800 ГБ | Flash - nand (MLC) | 3,3 В. | 1,4 ГБ/с | 710 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK240MBD-2AK12ITYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | M500IT | -40 ° C ~ 85 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2016 | 10 недель | 2,64 унции 75,22 г | неизвестный | 8542.31.00.01 | 3,3 В. | 240 ГБ | Flash - nand (MLC) | 500 МБ/с | 250 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHAK1T6MCG-1AN15ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Nvme | 7100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/microntechnologyinc-mtfdhak400mcg1an15abyy-datasheets-0362.pdf | 3,17 унции 90 г | 12 В | 1,6 ТБ | Flash - nand (MLC) | 2,5 ГБ/с | 900 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA9ASF1G72PZ-3G2E1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 31,4 мм | ROHS3 соответствует | 288-RDIMM | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 5 недель | 1 | Ear99 | Авто/самообновление; WD-MAX | 1 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 1,2 В. | ДРУГОЙ | 85 ° C. | 1,26 В. | 1,14 В. | R-XDMA-N288 | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 3,2GT/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | Страница с одним банком взрыва | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pz2g3b1-datasheets-0708.pdf | 4 недели | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KDF51272PDZ-1G6K1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2015 | /files/microntechnologyinc-mt18kdf51272pdz1g4m1-datasheets-1324.pdf | 240-RDIMM | 1,35 В. | 3 недели | 1,45 В. | 1.283V | 240 | 1,6 ГГц | 18 | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 72b | 1600 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA36ASF4G72PZ-2G6E4 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g9e6-datasheets-0468.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA18ADF4G72AZ-2G6B2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | /files/microntechnologyinc-mta18adf4g72az3g2b3-datasheets-0483.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | /files/microntechnologyinc-mta16atf4g64hz2g6b3-datasheets-0509.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA144ASQ16G72LSZ-2S6E1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 288-lrdimm | 8 недель | 128 ГБ | DDR4 SDRAM | 2.666GT/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF3272G-335G3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 167 МГц | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddf3272y335g3-datasheets-4497.pdf | 184-RDIMM | 28,6 мм | Содержит свинец | 184 | 256 МБ | DDR SDRAM | 167 МГц | 167 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF12872KY-53EA1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 55 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-Minirdimm | 18,2 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 240 | Нет | 533 МГц | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 72b | 533mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT6464AY-335G6 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay335f3-datasheets-4328.pdf | 184-Udimm | 184 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 2,5 В. | 1,27 мм | Коммерческий | 70 ° C. | Драмы | 2,5 В. | 4,08 мА | Не квалифицирован | R-PDMA-N184 | 512 МБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 3-штат | 166 МГц | 64mx64 | 64 | 4294967296 бит | 0,064а | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864AY-53EB1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-уседания | 1,8 В. | Свободно привести | 1,9 В. | 1,7 В. | 240 | 533 МГц | 16 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | 50 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16KTF1G64AZ-1G9P1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2015 | /files/microntechnologyinc-mt16ktf51264az1g6m1-datasheets-0210.pdf | 240-уседания | 240 | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1866mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtedcae002saj-1m3it | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2017 | Модуль | 5 недель | 2 ГБ | Flash - nand (SLC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA8ATF1G64HZ-2G6J1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 260-Sodimm | 4 недели | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2.666GT/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT7DPQV2G-A1S | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Панель | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует |
