| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Длина продукта (мм) | Высота продукта (мм) | Стиль | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Самообновление | ФАПЧ | Форм-фактор | Производитель | Тип модуля |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTEDDGR008MCB-1R2 ТР | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 6 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CT204864BF160B | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поставщик не подтвержден | /files/microntechnology-ct204864bf160b-datasheets-3487.pdf | 204 | DDR3L SDRAM | 2Gx64 | СОДИММ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-667F1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | Соответствует RoHS | /files/microntechnology-mt4htf3264hy667f1-datasheets-7946.pdf | 200 | DDR2 SDRAM | 32Мx64 | 8К | Да | Нет | 200СОДИММ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDBAC030MAE-1C1ES | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует RoHS | /files/microntechnology-mtfdbac030mae1c1es-datasheets-7433.pdf | 78,5 | 5 | Твердотельный накопитель | 2,5 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872FY-667G1D6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | Да, с исключениями | /files/microntechnology-mt9htf12872fy667g1d6-datasheets-1775.pdf | 240 | DDR2 SDRAM | 128Мх72 | 8К | Нет | Нет | 240FBDIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTS51272RHY-667A1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | Да, с исключениями | /files/microntechnology-mt18hts25672rhy667g1-datasheets-4214.pdf | 200 | DDR2 SDRAM | 512Mx72 | 8К | Да | Да | 200СОРДИММ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAT256MAM-1K1AB | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует RoHS | /files/microntechnology-mtfddat128mam1j1ab-datasheets-5719.pdf | 29.85 | 3,8 | Твердотельный модуль | мSATA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА9АСФ1Г72ПЗ-3Г2Р1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | DDR4 SDRAM | 288-УДИММ | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | Микрон Технология Инк. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА18АСФ2Г72ПДЗ-3Г2Р1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 288-РДИММ | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | Микрон Технология Инк. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МЦД128АКС7МС-1ВТ | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 6 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMC128AFB6E | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/micron-smc128afb6e-datasheets-1776.pdf | 1 ГБ | Нет | 128 МБ | КомпактФлэш® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTSD032AHC6RG-1WT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -25°К~85°К | 3 (168 часов) | ТСХ | Соответствует ROHS3 | 4 недели | 32 ГБ | СД™ | Класс 10, Класс UHS 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5HTF3272KY-53EB1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 244-МиниRDIMM | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ4ВДДТ1664АГ-335Ф3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4vddt1664ag40bf3-datasheets-4236.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 2,7 В | 2,3 В | 184 | 333 МГц | 4 | 128 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9ВДВФ6472Г-335Ф4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf | 184-РДИММ | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ16ВДФ12864ХГ-40БФ2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16vddf12864hg335f2-datasheets-4338.pdf | 200-SODIMM | 200 | не_совместимо | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,6 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | DRAM | 2,6 В | 5,52 мА | Не квалифицирован | Р-ПДМА-Н200 | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 128MX64 | 64 | 8589934592 бит | 0,08А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864HY-40EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microntechnologyinc-mt16htf12864hy40eb3-datasheets-4372.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 400 МГц | 16 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | 60 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864AY-40EB1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-УДИММ | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 400 МГц | 16 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | 60 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDF6464HY-335G2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt16vddf12864hg335f2-datasheets-4338.pdf | 200-SODIMM | 38,1 мм | 2,5 В | Без свинца | 200 | 2,7 В | 2,3 В | 200 | 333 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 16 | DRAM | 4,08 мА | Не квалифицирован | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,064А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272HY-40BG2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472hy40bf2-datasheets-4326.pdf | 200-SODIMM | 256 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18LSDT3272DG-133G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt18lsdt6472y13ed2-datasheets-4491.pdf | 168-DIMM | 43,2 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 168 | Нет | 133 МГц | 256 МБ | SDRAM | 72б | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18ВДФ12872Y-335D3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/micron-mt18vddf12872y335d3-datasheets-5628.pdf | 184-РДИММ | 2,5 В | Без свинца | 2,7 В | 2,3 В | 184 | 333 МГц | 18 | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF1664HY-40EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/micron-mt4htf1664hy40eb3-datasheets-5642.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 200 | 200 | да | Нет | 400 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | DRAM | 0,92 мА | 128 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16MX64 | 64 | 1073741824 бит | 0,02 А | 0,6 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF6472DY-53EB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-РДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 533 МГц | 18 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 50 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF1664HY-53EB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 200-SODIMM | 30 мм | Без свинца | 200 | 128 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT464HG-13EG4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 144-SODIMM | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 144 | Нет | 133 МГц | 4 | 32 МБ | SDRAM | 64б | 133 МГц | 5,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264AY-40EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 400 МГц | 8 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ4ВДДТ1664ХГ-335Ф3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hg335f2-datasheets-4238.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 200 | 2,7 В | 2,3 В | 200 | 333 МГц | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 4 | DRAM | 1,76 мА | Не квалифицирован | 128 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700 пс | 167 МГц | 64 | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT1664HG-26AB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264hy335g3-datasheets-4378.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | Содержит свинец | 200 | 128 МБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF3272Y-40EB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 55°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-РДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 400 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 9 | Другие микросхемы памяти | 2,07 мА | Не квалифицирован | 400 кбит/с | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 600 пс | 200 МГц | 32MX72 | 72 | 0,045А | ОБЩИЙ |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.