Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактТехнология микрон (4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Контакт | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Температура | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Количество элементов | Подкатегория | Поставьте ток-макс | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Длина продукта (мм) | Высота продукта (мм) | Стиль | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Тип ввода/вывода | Обновления циклов | Самостоятельно обновлять | Режим доступа | PLL | Форм -фактор | Млн | Тип модуля |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTA4ATF51264AZ-3G2J1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 288-удруча | 4 недели | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 3,2GT/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4KTF25664HZ-1G9P1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | Синхронно | 30,15 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | /files/microntechnologyinc-mt4ktf25664hz1g6p1-datasheets-0686.pdf | 204-Sodimm | 67,6 мм | 3,8 мм | 204 | 12 недель | 204 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление; Wd-max; Также работает на номинальном поставке 1,5 В | Золото | 800 МГц | 1 | Зигзаг | Нет лидерства | 260 | 1,35 В. | 0,6 мм | Коммерческий | 1,45 В. | 1.283V | 30 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 мт/с | 256mx64 | 64 | 17179869184 бит | Страница с одним банком взрыва | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872PY-667E1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поднос | ROHS COMPARINT | /files/microntechnology-mt9htf12872py667e1-datasheets-1846.pdf | 244 | DDR2 SDRAM | 128mx72 | 8к | Да | Да | 244rdimm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAA800MBB-2AE12ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ROHS COMPARINT | /files/microntechnology-mtfddaa800mbb2ae12abyy-datasheets-4950.pdf | 78.5 | 5 | Твердое состояние | 1,8 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF6464HY-53EE1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поднос | Да с исключениями | /files/microntechnology-mt4htf3264hy667f1-datasheets-7946.pdf | 200 | DDR2 SDRAM | 64mx64 | 8к | Да | Нет | 200sodimm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672FDY-667G1D6 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поднос | Да с исключениями | /files/microntechnology-mt18htf25672fdy667e1d4-datasheets-7893.pdf | 240 | DDR2 SDRAM | 256mx72 | 8к | Нет | Нет | 240fbdimm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTS1G72PY-667A1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поднос | ROHS COMPARINT | /files/microntechnology-mt36hts1g72py667a1-datasheets-1725.pdf | 240 | DDR2 SDRAM | 1GX72 | 8к | Да | Да | 240rdimm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KDF51272PDZ-1G6K1 TR | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Да с исключениями | /files/microntechnology-mt18kdf51272pdz1g6k1tr-datasheets-1290.pdf | 240 | DDR3L SDRAM | 512MX72 | 8к | Да | Да | 240rdimm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA8ATF1G64AZ-3G2R1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | DDR4 SDRAM | 288-удруча | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | Micron Technology Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA36ASF8G72PZ-3G2F1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | 288-RDIMM | 64 ГБ | DDR4 SDRAM | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTSD128AHC6RG-1WT | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -25 ° C ~ 85 ° C. | 3 (168 часов) | TLC | ROHS3 соответствует | 4 недели | 128 ГБ | SD ™ | Класс 10, класс 1 класс 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMC04GBFK6E | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS3 соответствует | 2008 | /files/microntechnologyinc-smc064bfe6e-datasheets-3539.pdf | 4ГБ | Compactflash® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTSD032AHC6MS-1WTCS | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -25 ° C ~ 85 ° C. | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 4 недели | 32 ГБ | MicroSD ™ | Класс 10, класс 1 класс 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDVF12872DY-40BD4 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf | 184-RDIMM | 1 ГБ | DDR SDRAM | 400 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264AY-667B2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 240-уседания | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36VDDF25672Y-335F2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf | 184-RDIMM | 2 ГБ | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDVF6472G-335D4 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 184-RDIMM | 512 МБ | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5VDDT3272HG-335F2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272hg40bf2-datasheets-4286.pdf | 200-sodimm | 256 МБ | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT12872AG-40BF1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddt12872ag40bf1-datasheets-4406.pdf | 184-Udimm | Содержит свинец | 184 | 1 ГБ | DDR SDRAM | 400 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16LSDF6464AG-133D1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16lsdf3264hg13eg4-datasheets-4413.pdf | 168-Dimm | 512 МБ | SDRAM | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872DY-40EB1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-RDIMM | 1,8 В. | Свободно привести | 1,9 В. | 1,7 В. | 240 | 400 МГц | 18 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 400 мт/с | 60 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT12864AY-335DB | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay335f3-datasheets-4328.pdf | 184-Udimm | Свободно привести | 184 | 1 ГБ | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF6472DG-335G2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddf12872dg40bd3-datasheets-4495.pdf | 184-RDIMM | 28,6 мм | 2,6 В. | Содержит свинец | 184 | Нет | 333 МГц | 512 МБ | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF6472DY-40EB2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 1,9 В. | 1,7 В. | 240 | 400 МГц | 18 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 400 мт/с | 60 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF6472AY-53EB2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | 0 ° C. | CMOS | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872ay53eb1-datasheets-4422.pdf | 240-уседания | 30 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 240 | 240 | да | Нет | 533 МГц | E3 | Матовая олова | НЕТ | Двойной | 225 | 1,8 В. | 1 мм | Коммерческий | Драмы | 3,06 мА | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 72b | 533mt/s | 3-штат | 267 МГц | 64mx72 | 72 | 4831838208 бит | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-53EB3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/micron-mt4htf3264hy53eb3-datasheets-5664.pdf | 200-sodimm | 30 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 1,9 В. | 1,7 В. | 200 | 533 МГц | 4 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT1664HG-133D1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 65 ° C. | 0 ° C. | 133 МГц | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664hg13ed1-datasheets-4598.pdf | 144-Sodimm | 25,4 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 3,6 В. | 3В | 144 | Нет | 133 МГц | 4 | 128 МБ | SDRAM | 64b | 133 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT12872DY-265D2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2003 | /files/micron-mt18vddt12872dy265d2-datasheets-5690.pdf | 184-Dimm | Свободно привести | 184 | 1 ГБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4VDDT864AG-265B1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt4vddt864ag26ab1-datasheets-4632.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | 2,5 В. | Содержит свинец | 184 | Нет | 266 МГц | 64 МБ | DDR SDRAM | 64b | 266 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT3264AG-26AG4 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | 2,5 В. | Содержит свинец | 184 | Нет | 266 МГц | 256 МБ | DDR SDRAM | 64b | 266 мт/с |
