Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактТехнология микрон (4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Рабочая температура | Упаковка | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидит (макс) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Температура | Рабочая температура (макс) | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Скорость | Защита ESD | Время доступа | Напряжение программирования | Скорость передачи данных | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Самостоятельно обновлять | Тип IC памяти | Режим доступа | Макс передачи данных хоста | Ток - макс | Стандарт интерфейса хоста | Скорость - читать | Скорость - написать | Форм -фактор |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Mtfddav1t0tdl-1Aw1zabda | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1300 | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 6 недель | 1 ТБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 520 МБ/с | M.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfddav1t0tdl-1AW12abyy | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1300 | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 1 ТБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 520 МБ/с | M.2 Модуль | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK2T0TBN-1AR12ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | CMOS | ROHS3 соответствует | 2017 | 1,98 унции 56 г | 8542.31.00.01 | 5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 ТБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK3T8TDC-1AT16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 5200 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 5 недель | 5 В 12 В. | 3,84 ТБ | Flash - nand (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfddav1t9tby-1ar1zabyy | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 5100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 ммх22,00 ммх3,80 мм | CMOS | ROHS3 соответствует | 5 недель | 0,353 унции 10 г | 8542.31.00.01 | 3,3 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,92 ТБ | Flash - nand (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | M.2 Модуль | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAA064MAM-1J1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | C400V | 0 ° C ~ 70 ° C. | 78,50 ммх54,00 ммх .5,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2011 год | /files/microntechnologyinc-mtfddaa064mam1j1-datasheets-2574.pdf | Модуль | 78,5 мм | 54 мм | 3,3 В. | Сата | 1 | НЕТ | 5 В | Неуказано | Неуказано | R-xxma-x | 64 ГБ | Flash - nand (MLC) | Нет | 500 МБ/с | 95 МБ/с | 1.8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK128MAM-1J12 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | C400 | Винт | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,50 ммх69,85 ммх7,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | 9,7 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | /files/microntechnologyinc-mtfddac128mam1j1-datasheets-2591.pdf | Модуль | 100,2 мм | 69,85 мм | 5 В | 1 ТБ | Нет | 8542.31.00.01 | Неуказано | Неуказано | 5 В | R-xxma-x | 128 ГБ | Flash - nand (MLC) | 500 Мбит / с | Ата | 500 МБ/с | 175 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK120MAV-1AE12ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | M500 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | 7 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | /files/microntechnologyinc-mtfddat240mav1ae12abyy-datasheets-2620.pdf | Модуль | 100,5 мм | 69,85 мм | Свободно привести | 22 | 2,47 унции 70,38 г | неизвестный | 1 | ДА | 5 В | Верхний | Нет лидерства | R-Xuuc-N22 | 120 ГБ | Flash - nand (MLC) | 3,3 В. | 500 МБ/с | 130 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAT128MAM-1J1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | C400 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 50,80 ммх29,85 ммх3,75 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2012 | /files/microntechnologyinc-mtfddat128mam1j1-datasheets-2789.pdf | Модуль | 3,3 В. | Сата | 128 ГБ | Flash - nand (MLC) | Нет | 500 МБ/с | 175 МБ/с | Msata | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHBA256TCK-1AS1AABFA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Nvme | 2200 | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 256 ГБ | Flash - nand (TLC) | 3 ГБ/с | 1,6 ГБ/с | M.2 Модуль | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK256TDL-1AW1ZABGA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1300 | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2 недели | 256 ГБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 520 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK960TCB-1AR16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 5100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2017 | 5 недель | 2,47 унции 70,38 г | 8542.31.00.01 | 5 В 12 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 960 ГБ | Flash - nand (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfdhar3t2tcu-1ar1zabyy | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Nvme | 9200 | 0 ° C ~ 55 ° C. | 167,65 ммх68,89 ммх18,74 мм | ROHS3 соответствует | 0,353 унции 10 г | 8542.32.00.71 | 12 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3,2 ТБ | Flash - nand (TLC) | 2.5A | 6 ГБ/с | 2,4 ГБ/с | Ххл | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV1T0TBN-1AR1ZABHA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 ммх22,00 ммх2,30 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 3,3 В. | 1 ТБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | M.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDJAK400MBS-2AN16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | S650DC | 0 ° C ~ 50 ° C. | 100.24mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2017 | 12 недель | 5 В 12 В. | 400 ГБ | Flash - nand (MLC) | 3,3 В. | 1,55 ГБ/с | 625 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDJAA400MBS-1AN1ZABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | S650DC | 0 ° C ~ 50 ° C. | 78,50 ммх54,00 ммх .5,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 10 недель | 3,3 В 5 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 400 ГБ | Flash - nand (MLC) | 3,3 В. | 1,55 ГБ/с | 625 МБ/с | 1.8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV128MBF-1AN1ZABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | M600 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 60,00 ммх22,00 ммх3,50 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | 2,23 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | Модуль | 80 мм | 22 мм | 75 | 26 недель | 0,353 унции 10 г | Сидящий HT-Calculed | неизвестный | 8542.31.00.01 | ДА | 3,3 В. | Верхний | Нет лидерства | 3,3 В. | R-Xuuc-N75 | 128 ГБ | Flash - nand (MLC) | 750 Мбит / с | 560 Мбит / с | ATA-8; ACS-3; Педант | 560 МБ/с | 400 МБ/с | M.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDJAK400MBT-2AN16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | S630DC | 0 ° C ~ 50 ° C. | 100.24mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2017 | 5 В 12 В. | 400 ГБ | Flash - nand (MLC) | 3,3 В. | 1,4 ГБ/с | 490 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHAK400MCG-1AN15ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Nvme | 7100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/microntechnologyinc-mtfdhak400mcg1an15abyy-datasheets-0362.pdf | 3,17 унции 90 г | 12 В | 400 ГБ | Flash - nand (MLC) | 2,4 ГБ/с | 500 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA8ATF2G64HZ-3G2E1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | CMOS | Синхронно | /files/microntechnologyinc-mta8atf2g64hz3g2e1-datasheets-0335.pdf | 260 | 1 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | ДРУГОЙ | 95 ° C. | R-XDMA-N260 | 2GX64 | 64 | 137438953472 бит | ДА | DDR DRAM Модуль | Страница с одним банком взрыва | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA16ATF2G64AZ-2G6J1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 288-удруча | 6 недель | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2.666GT/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA18ASF2G72PZ-3G2E1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 31,4 мм | ROHS3 соответствует | 288-RDIMM | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 3 недели | 1 | Ear99 | Авто/самообновление; WD-MAX | 1 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 1,2 В. | ДРУГОЙ | 85 ° C. | 1,26 В. | 1,14 В. | R-XDMA-N288 | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 3,2GT/с | 2GX72 | 72 | 154618822656 бит | Страница с одним банком взрыва | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA36ASF4G72PZ-2G9E6 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g9e6-datasheets-0468.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA18ASF4G72PDZ-2G9B1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | /files/microntechnologyinc-mta18asf4g72pdz3g2b2-datasheets-0470.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Ведро | /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pz2g3b1-datasheets-0708.pdf | 288-RDIMM | 5 недель | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | 2933mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA36ASF4G72PBZ-3G2E1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA16ATF4G64HZ-3G2B2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 260-Sodimm | 3 недели | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 3,2GT/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF3272G-40BG3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 200 МГц | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472g40bf1-datasheets-4350.pdf | 184-RDIMM | 28,6 мм | Содержит свинец | 184 | 256 МБ | DDR SDRAM | 200 МГц | 200 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT6464AG-40BG6 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay40bf3-datasheets-4332.pdf | 184-Udimm | 512 МБ | DDR SDRAM | 400 мт/с |
