Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактТехнология микрон (4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Устанавливать | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Контакт | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Напряжение | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Форма терминала | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Температура | Рабочая температура (макс) | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Количество элементов | Подкатегория | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | UPS/UCS/Периферический тип ICS | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Вспомогательный ток-макс | Время доступа (макс) | Тип ввода/вывода | Обновления циклов | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT18VDDF12872DG-40BF1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddf12872dg40bd3-datasheets-4495.pdf | 184-RDIMM | 28,1 мм | 2,6 В. | Содержит свинец | 184 | Нет | 400 МГц | 1 ГБ | DDR SDRAM | 72b | 400 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672PY-667A2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 240 | Нет | 667 МГц | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72b | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-53ED3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | ROHS3 соответствует | 2004 | /files/micron-mt4htf3264hy53ed3-datasheets-5988.pdf | 200-sodimm | 30 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 200 | 200 | Нет | 533 МГц | НЕТ | Двойной | 1,8 В. | 0,6 мм | Коммерческий | Драмы | 1,36 мА | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 64b | 533mt/s | 3-штат | 267 МГц | 32MX64 | 64 | 2147483648 бит | 0,028а | 0,5 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872PY-53ED2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 1,9 В. | 1,7 В. | 240 | 533 МГц | 18 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | 50 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872DY-80ED3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-RDIMM | 29,5 мм | Свободно привести | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF25672Y-667D1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | 0 ° C. | CMOS | Синхронно | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36htf25672py53eb1-datasheets-4971.pdf | 240-RDIMM | 133,35 мм | 29,5 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 240 | 1,9 В. | 1,7 В. | 240 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 667 МГц | неизвестный | 1 | E4 | Золото (AU) | Двойной | Нет лидерства | 260 | 1,8 В. | 240 | Коммерческий | 30 | 36 | Не квалифицирован | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 45 пс | 256mx72 | 72 | 19327352832 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT1664HY-13ED1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 65 ° C. | 0 ° C. | 133 МГц | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664hg13ed1-datasheets-4598.pdf | 144-Sodimm | 25,4 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 3,6 В. | 3В | 144 | Нет | 133 МГц | 4 | 128 МБ | SDRAM | 64b | 133 МГц | 5,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4VDDT3264AY-40BF1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | 200 МГц | ROHS3 соответствует | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264ay40bf1-datasheets-0049.pdf | 184-Udimm | 2,6 В. | 184 | 2,7 В. | 2,5 В. | 184 | Нет | Двойной | 2,6 В. | 1,27 мм | Коммерческий | 4 | Драмы | 1,92 мА | 256 МБ | DDR SDRAM | 3-штат | 64 | 0,02а | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8JSF12864HY-1G4D1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2012 | 240-Sodimm | 204 | 240 | неизвестный | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 0,6 мм | Коммерческий | 70 ° C. | Драмы | 1,53,3 В. | 3,92 мА | Не квалифицирован | R-PDMA-N204 | 1 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333mt/s | 3-штат | 667 МГц | 128mx64 | 64 | 8589934592 бит | 0,08а | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT6472AY-40BK1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | ROHS3 соответствует | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt18vddt6472ay40bk1-datasheets-0137.pdf | 184-Udimm | 2,6 В. | 184 | 2,7 В. | 2,5 В. | 184 | 400 МГц | неизвестный | Двойной | Нет лидерства | 2,6 В. | 1,27 мм | Коммерческий | 18 | Драмы | 2,88 мА | Не квалифицирован | 512 МБ | DDR SDRAM | 400 мт/с | 3-штат | 200 МГц | 64mx72 | 72 | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272AY-335K1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | ROHS3 соответствует | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272ay40bk1-datasheets-0168.pdf | 184-Udimm | 2,5 В. | 184 | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 МГц | неизвестный | Двойной | Нет лидерства | 2,5 В. | 1,27 мм | Коммерческий | 9 | Другое память ICS | 2,43 мА | Не квалифицирован | 256 МБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 3-штат | 167 МГц | 32mx72 | 72 | 0,036а | 0,7 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16KTF51264AZ-1G4M1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | 30,5 мм | ROHS3 соответствует | 2011 год | /files/microntechnologyinc-mt16ktf51264az1g6m1-datasheets-0210.pdf | 240-уседания | 133,35 мм | 1,35 В. | 240 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление; WD-MAX | Нет | 1,333 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | 1,35 В. | 240 | Коммерческий | 1,45 В. | 1.283V | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 64b | 1333mt/s | 512MX64 | 64 | 34359738368 бит | Двойной банк страниц взрыва | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5VDDT1672HY-335K1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272hg40bf2-datasheets-4286.pdf | 200-sodimm | 2,5 В. | 2,7 В. | 2,3 В. | 200 | Нет | 333 МГц | 5 | 128 МБ | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | 70 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HVS25672PKZ-80EH1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | 3,8 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | /files/microntechnologyinc-mt18hvs51272pkz80ec1-datasheets-0278.pdf | 244-Minirdimm | 82 мм | 1,8 В. | 244 | 1,9 В. | 1,7 В. | 244 | 1 | Ear99 | Автоматическое обновление | Нет | 800 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | E4 | ЗОЛОТО | Двойной | 1,8 В. | 244 | Коммерческий | 18 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72b | 800 мт/с | 256mx72 | 72 | 19327352832 бит | Двойной банк страниц взрыва | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672PDZ-667H1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | Синхронно | 30,5 мм | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872pdz667g1-datasheets-0274.pdf | 240-RDIMM | 133,35 мм | 4 мм | 1,8 В. | 240 | 10 недель | 1,9 В. | 1,7 В. | 240 | 1 | Ear99 | Самоупоненное обновление; WD-MAX | 667 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | E4 | ЗОЛОТО | Двойной | Нет лидерства | 260 | 1,8 В. | 1 мм | 240 | Коммерческий | 30 | 18 | Драмы | 1.728MA | Не квалифицирован | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 3-штат | 333 МГц | 256mx72 | 72 | 19327352832 бит | 0,126а | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 8192 | Двойной банк страниц взрыва | ||||||||||||||||||||||||||
| MT18JDF51272PZ-1G4D1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 18,9 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | /files/microntechnologyinc-mt18jdf51272pz1g4d1-datasheets-0366.pdf | 240-RDIMM | 133,35 мм | 4 мм | 240 | 240 | 1 | Ear99 | WD-MAX | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | E4 | ЗОЛОТО | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 1,5 В. | 1 мм | 240 | Коммерческий | 70 ° C. | 1,575 В. | 1.425V | Другое память ICS | 1,5 В. | 6,93 мА | Не квалифицирован | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1333mt/s | 3-штат | 667 МГц | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | 0,216а | 0,255 нс | ОБЩИЙ | 8192 | Страница с одним банком взрыва | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF6464HZ-667H1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | 30,15 мм | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt4htf6464hz667h1-datasheets-0398.pdf | 200-sodimm | 67,6 мм | 1,8 В. | 200 | 1,9 В. | 1,7 В. | 200 | да | 1 | Ear99 | WD-MAX | Нет | 667 МГц | 1 | E3 | Матовая олова | Зигзаг | 260 | 1,8 В. | 0,6 мм | 200 | Промышленное | 30 | 4 | Драмы | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 64b | 667mt/s | 3-штат | 900 нс | 333 МГц | 64 | 0,028а | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8JSF25664HZ-1G1D1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | 30,15 мм | ROHS3 соответствует | 2011 год | /files/microntechnologyinc-mt8jsf25664hz1g1d1-datasheets-0427.pdf | 204-Sodimm | 67,6 мм | 1,5 В. | 204 | 1,575 В. | 1.425V | 204 | да | 1 | Авто/самообновление; WD-MAX | Нет | 1,066 ГГц | 1 | E3 | Матовая олова | Зигзаг | 260 | 1,5 В. | 0,6 мм | Коммерческий | 30 | 8 | Драмы | 1,53,3 В. | 2,56 мА | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 64b | 1066mt/s | 3-штат | 533 МГц | 256mx64 | 64 | 0,096а | ОБЩИЙ | Страница с одним банком взрыва | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8JTF12864HZ-1G4G1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | ROHS3 соответствует | 2013 | /files/microntechnologyinc-mt8jtf25664hz1g4m1-datasheets-0409.pdf | 204-Sodimm | 1,5 В. | 204 | 1,575 В. | 1.425V | 204 | да | Нет | 1,333 ГГц | E3 | Матовая олова | Двойной | 260 | 1,5 В. | 0,6 мм | Коммерческий | 30 | 8 | Драмы | 3,92 мА | 1 ГБ | DDR3 SDRAM | 64b | 1333mt/s | 3-штат | 667 МГц | 64 | 0,096а | 0,255 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36JDZS1G72PDZ-1G1D1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt36jdzs1g72pdz1g1d1-datasheets-0488.pdf | 240-RDIMM | 1,5 В. | Свободно привести | 240 | 16 недель | 1,575 В. | 1.425V | 240 | да | Нет | 1,066 ГГц | E4 | ЗОЛОТО | Двойной | 260 | 1,5 В. | 1 мм | Коммерческий | 30 | 36 | Другое память ICS | 3.564MA | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1066mt/s | 3-штат | 533 МГц | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | 0,432а | 0,3 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9JSF25672AZ-1G6M1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2013 | 240-уседания | 1,5 В. | 1,575 В. | 1.425V | 240 | Нет | 1,6 ГГц | 9 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 72b | 1600 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9JSF25672AZ-1G4D1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | 30,5 мм | ROHS3 соответствует | 2009 | 240-уседания | 133,35 мм | 1,5 В. | 240 | 1,575 В. | 1.425V | 240 | да | 1 | Самостоятельно обновление; WD-MAX | Нет | 1,333 ГГц | 1 | E4 | ЗОЛОТО | Двойной | 260 | 1,5 В. | 1 мм | Коммерческий | 30 | 9 | Другое память ICS | 3.285MA | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 72b | 1333mt/s | 3-штат | 667 МГц | 256mx72 | 72 | 0,108а | 0,255 нс | ОБЩИЙ | Страница с одним банком взрыва | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDCAE004SAJ-1N1IT | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Винт | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | CMOS | ROHS3 соответствует | 2012 | 5 В | Модуль | 5 В | 5,25 В. | 4,75 В. | 10 | USB | 32 ГБ | неизвестный | 8542.31.00.01 | 5 В | Неуказано | Неуказано | 260 | 5 В | Промышленное | 30 | Не квалифицирован | R-xxma-x | 4ГБ | Flash - nand (SLC) | Вторичный контроллер хранения, дисковод дисков | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872FDZ-667G1N8 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 30,5 мм | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672fdz80eh1d6-datasheets-0245.pdf | 240-FBDIMM | 133,35 мм | 5,1 мм | 240 | 240 | да | 1 | Обновить; WD-MAX | 1 | E3 | Матовая олова | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 260 | 1,8 В. | 30 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 128mx72 | 72 | 9663676416 бит | Двойной банк страниц взрыва | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36JSZF51272PDZ-1G1G1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 30,5 мм | ROHS3 соответствует | 2011 год | /files/microntechnologyinc-mt36jszf1g72pdz1g1d1-datasheets-0384.pdf | 240-RDIMM | 133,35 мм | 4 мм | 240 | 240 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление; WD-MAX | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 1,5 В. | 1 мм | Коммерческий | 70 ° C. | 1,575 В. | 1.425V | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1066mt/s | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | Четыре банка страниц взрыва | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472AG-335J1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272ay40bk1-datasheets-0168.pdf | 184-Udimm | 2,5 В. | 184 | Нет | 333 МГц | 512 МБ | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA18ASF1G72PDZ-2G3B1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 31,4 мм | ROHS3 соответствует | 2017 | /files/microntechnologyinc-mta18asf1g72pdz2g3b1-datasheets-0682.pdf | 288-RDIMM | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 5 недель | 288 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление; WD-MAX | 1 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 1,2 В. | ДРУГОЙ | 85 ° C. | 1,26 В. | 1,14 В. | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 мт/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | Двойной банк страниц взрыва | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA16ATF2G64AZ-2G1B1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2017 | 288-удруча | 5 недель | 288 | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA36ASF2G72PZ-2G1B1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 31,4 мм | ROHS3 соответствует | /files/microntechnologyinc-mta36asf2g72pz2g3b1-datasheets-0705.pdf | 288-RDIMM | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 5 недель | 288 | да | 1 | Авто/самообновление; WD-MAX | 1 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 1,2 В. | ДРУГОЙ | 85 ° C. | 1,26 В. | 1,14 В. | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | 2GX72 | 72 | 154618822656 бит | Двойной банк страниц взрыва | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA36ASF4G72PZ-2G3A1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | 3 (168 часов) | 95 ° C. | 0 ° C. | CMOS | Синхронно | 31,4 мм | ROHS3 соответствует | 2017 | /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g1b1-datasheets-0706.pdf | 288-RDIMM | 133,35 мм | 1,2 В. | 288 | 12 недель | 1,26 В. | 1,14 В. | 288 | да | 1 | Авто/самообновление; WD-MAX | Золото | 1,2048 ГГц | 1 | Двойной | Нет лидерства | 1,2 В. | ДРУГОЙ | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | 72b | 2400 мт/с | 4GX72 | 72 | 309237645312 бит | Двойной банк страниц взрыва |
