Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактATP Electronics, Inc. (2830)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Рабочая температура | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Время выполнения завода | PBFREE CODE | Достичь кода соответствия | Количество функций | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Скорость | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AF64GUD4A-EBAIM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -40 ° C ~ 85 ° C. | PSLC | 64 ГБ | MicroSD? | - | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||
| A4B32QB4BNRCME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| A4B16QH8BNRCSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| A4C32QE8BVVFME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| A4F16QG8BNTDSW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| A4G32QE8BVVFME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| A4F32QG8BVTDMW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| A4F04QD8BLRCSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| A4B16QC4BNRCSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF120GSTJA-8BBIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF120GSTIA-7BBIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| A4G08QA8BNRCSW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF240GSTJA-8BAIX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12M72E8BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF16GSD3-WABIM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF32GSTCJ-2BAXX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF1T92STJA-8BAIX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AL12M7218BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF32GSD4A-BBAIM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AQ12P64A8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF640GSACJ-7BAIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF240GSTIA-7BAXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| A4F32Q28BVRCSW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AY12P7218BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AW56P64B8BKF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AW12M6438BLK0MW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AY12M7218BLF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF64GUD4A-EBAXM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF4GCSI-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | SLC | ROHS COMPARINT | 10 недель | 4ГБ | Cast | ||||||||||||||||||||
| AF2GUDI-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | SLC | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-af512udioem-datasheets-2216.pdf | 10 недель | да | неизвестный | 1 | ДА | Верхний | Нет лидерства | X-xuuc-n | 2 ГБ | MicroSD ™ | 2GX8 | 8 | 17179869184 бит |
