Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Приложения | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Базовый номер детали | Подсчет штифтов | Температура | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Подкатегория | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Скорость | Количество выходов | Количество регистров | Количество входов | Выходные характеристики | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Параллель/сериал | Вспомогательный ток-макс | Время хранения данных | Время доступа (макс) | Тип ввода/вывода | Тип IC памяти | Операционная система | Программируемый логический тип | Количество логических ячеек | Количество эквивалентных ворот | Количество CLBS | Лицензия - данные пользователя | Тип доставки СМИ | Длина лицензии | Программируемый тип | Комбинаторная задержка CLB-MAX | Количество терминалов |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EF-DI-HDCP-WW | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | 2 недели | Во всем мире | В электронном виде | 1 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC2S300E-6FG456C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | 3 (168 часов) | 85 ° C. | 0 ° C. | CMOS | ROHS COMPARINT | FBGA | 23 мм | 23 мм | 1,8 В. | 456 | нет | 3A991.d | Максимально полезные ворота = 300000 | Нет | 8542.39.00.01 | E0 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В. | 1 мм | 456 | Коммерческий продлен | 1,89 В. | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 8 КБ | 6 | 329 | 329 | 357 МГц | Полевой программируемый массив ворот | 93000 | 0,47 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EF-DI-CFA-сайт | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | Сайт | В электронном виде | 1 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC3S1200E4FGG320CS1 | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | 3 (168 часов) | 85 ° C. | 0 ° C. | CMOS | 2 мм | ROHS COMPARINT | FBGA | 19 мм | 19 мм | 1,2 В. | 320 | да | 3A991.d | Нет | E1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В. | 1 мм | ДРУГОЙ | 1,26 В. | Полевые программируемые массивы ворот | 1,21,2/3.32,5 В. | S-PBGA-B320 | 63 КБ | 4 | 194 | 17344 | 250 | 572 МГц | 2168 CLBS, 1200000 ворот | Полевой программируемый массив ворот | 19512 | 1200000 | 2168 | 0,76 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EF-DI-CTC-80216E-SITE | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Сайт | В электронном виде | 1 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC2V1500-4FF896C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | 4 (72 часа) | 85 ° C. | 0 ° C. | CMOS | ROHS COMPARINT | FCBGA | 31 мм | 31 мм | 1,5 В. | 896 | нет | Ear99 | Нет | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,5 В. | 1 мм | 896 | ДРУГОЙ | 1,575 В. | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,51,5/3,33,3 В. | S-PBGA-B896 | 108 КБ | 4 | 528 | 15360 | 528 | 650 МГц | 1920 CLBS, 1500000 ворот | Полевой программируемый массив ворот | 17280 | 1500000 | 1920 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EF-DI-10GBASE-KR-PROJ | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | ROHS COMPARINT | 2005 | /files/xilinxinc-efdi10gbasekrproj-datasheets-6591.pdf | Проект | В электронном виде | 1 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XQ6SLX75T-3FGG676I | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | 3 (168 часов) | CMOS | ROHS COMPARINT | 3A991.d | соответствие | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (SN96.5AG3.0cu0.5) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1 мм | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 1.21.2/3,32,5/3,3 В. | Не квалифицирован | S-PBGA-B676 | 348 | 348 | 862 МГц | Полевой программируемый массив ворот | 74637 | 676 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UEF-Autoesl-25 | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Autoesl ™ | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EFR-DI-10-100-EMAC-сайт | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | 2013 | Сайт | В электронном виде | 1 год обновления | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
До-Vivado-Debug-USB-II-G-NL | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Интегрированная программная среда (ISE) | Vivado ™ Design Suite | Непригодный | ROHS COMPARINT | 2012 | /files/xilinxinc-hwlicensedongleusbg-datasheets-4088.pdf | Программирование | Linux, Windows | Фиксированный узел | В электронном виде | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ef-di-mipi-csi-rx-site | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | /files/xilinxinc-efdi25gemacproj-datasheets-4573.pdf | 12 недель | Сайт | В электронном виде | 1 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EMR-DI-40GEMAC-WW | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | Во всем мире | В электронном виде | 1 год обновления | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Em-di-vid-scaler-ww | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | Во всем мире | В электронном виде | 1 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DO-DI-TPC-WW | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | Во всем мире | В электронном виде | 1 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ef-ise-log-nl | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Интегрированная программная среда (ISE) | ISE® Design Suite | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2011 год | /files/xilinxinc-docspprousbiignl-datasheets-6563.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Efr-di-3rd-party-lic | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | В электронном виде | 1 год обновления | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ef-di-chenc-lte-site | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | 2010 год | 2 недели | Нет | Сайт | В электронном виде | 1 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ef-di-img-enhance-ww | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | Logicore ™ | Непригодный | Не совместимый с ROHS | Во всем мире | 1 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LMS-EMBD-AWS | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | В электронном виде | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LMS-Lang-Verilog | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лицензия | В электронном виде | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC1701LPDG8I | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 4,5974 мм | ROHS COMPARINT | 2004 | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 9.3599 мм | 7,62 мм | 8 | 8 | да | Ear99 | Используется для хранения конфигурационных бит -фрагментов Xilinx FPGAS | неизвестный | 1 | E3 | Матовая олова (SN) | НЕТ | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 250 | 3,3 В. | 2,54 мм | XC1701L | 8 | 3,6 В. | 3В | 30 | 3,3 В. | 0,01 мА | Не квалифицирован | 1 МБ | 3-штат | 15 МГц | 1mx1 | 1 | Сериал | 0,00005A | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17S10XLVOG8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 1999 | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 | да | Ear99 | 1 | E3 | Матовая олова (SN) | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | Крыло Печата | 260 | 3,3 В. | 1,27 мм | XC17S10XL | 8 | 3,6 В. | 3В | 30 | 3,3 В. | 0,005 мА | Не квалифицирован | 100 КБ | 3-штат | 10 МГц | 95752x1 | 1 | 95752 бит | 0,00005A | ОБЩИЙ | Схема памяти | ОТП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XCF01SVOG20C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 3 (168 часов) | CMOS | 50 МГц | Синхронно | ROHS3 соответствует | 1999 | /files/xilinxinc-xcf16pfsg48c-datasheets-1087.pdf | 20-дюймоп (0,173, ширина 4,40 мм) | 6,5 мм | 1,04 мм | 4,39 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 20 | 10 недель | Неизвестный | 20 | Параллель, серийный | да | Ear99 | 8542.32.00.51 | 1 | E3 | Матовая олова (SN) | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | Крыло Печата | 260 | 3,3 В. | 0,65 мм | Xcf*s | 20 | 3,6 В. | 3В | 30 | 0,01 мА | Не квалифицирован | 1 МБ | ВСПЫШКА | 1mx1 | 1048576 бит | 0,001а | 20 | В системном программируемом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC18V512SOG20C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,6416 мм | ROHS3 соответствует | 1999 | /files/xilinxinc-xc18v02pc44c0936-datasheets-4382.pdf | 20 Soic (0,295, ширина 7,50 мм) | 12,827 мм | 7,5184 мм | 3,3 В. | 20 | 10 недель | 20 | 512 КБ | да | Ear99 | Нет | 1 | E3 | Матовая олова (SN) | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | Крыло Печата | 260 | 3,3 В. | 1,27 мм | XC18V512 | 20 | 3,6 В. | 3В | 30 | Флэш -воспоминания | 0,025 мА | 33 МГц | 64KX8 | 8 | Параллель/сериал | 0,01а | 20 | 15 нс | Память конфигурации | В системном программируемом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17256ELVO8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | Ear99 | Используется для хранения конфигурационных бит -фрагментов Xilinx FPGAS | not_compliant | 1 | E0 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | Крыло Печата | 225 | 3,3 В. | 1,27 мм | XC17256EL | 8 | 3,6 В. | 3В | 30 | 3,3 В. | 0,005 мА | Не квалифицирован | 256 КБ | 3-штат | 15 МГц | 256KX1 | 1 | 262144 бит | Сериал | 0,00005A | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC1701PD8C | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | Непригодный | CMOS | Синхронно | 4,5974 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 9.3599 мм | 7,62 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | нет | Ear99 | Используется для хранения конфигурационных бит -фрагментов Xilinx FPGAS | not_compliant | 1 | E0 | НЕТ | 4,75 В ~ 5,25 В. | Двойной | 225 | 5 В | 2,54 мм | XC1701 | 8 | 5,25 В. | 4,75 В. | 30 | 5 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | 1 МБ | 3-штат | 15 МГц | 1mx1 | 1 | Сериал | 0,00005A | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC1765EVO8I | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,9276 мм | 3,937 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | Ear99 | Используется для хранения конфигурационных бит -фрагментов Xilinx FPGAS | not_compliant | 1 | E0 | ДА | 4,5 В ~ 5,5 В. | Двойной | Крыло Печата | 225 | 5 В | 1,27 мм | XC1765E | 8 | 5,5 В. | 4,5 В. | 30 | 5 В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 65 КБ | 3-штат | 10 МГц | 64KX1 | 1 | 65536 бит | Сериал | 0,00005A | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17512LPD8I | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | Непригодный | CMOS | Синхронно | 4,5974 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/xilinxinc-xc1736esog8c-datasheets-4352.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм) | 9.3599 мм | 7,62 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | нет | Ear99 | Используется для хранения конфигурационных бит -фрагментов Xilinx FPGAS | not_compliant | 1 | E0 | НЕТ | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 225 | 3,3 В. | 2,54 мм | XC17512L | 8 | 3,6 В. | 3В | 30 | 3,3 В. | 0,005 мА | Не квалифицирован | 512 КБ | 3-штат | 15 МГц | 512KX1 | 1 | Сериал | 0,00005A | ОБЩИЙ | Память конфигурации | ОТП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XC17S10VO8I | Xilinx | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 1999 | /files/xilinxinc-xc17s10xlpdg8c-datasheets-4365.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | Ear99 | not_compliant | 1 | E0 | ДА | 4,5 В ~ 5,5 В. | Двойной | Крыло Печата | 5 В | 1,27 мм | XC17S10 | 8 | 5,5 В. | 4,5 В. | 5 В | 0,01 мА | Не квалифицирован | 100 КБ | 3-штат | 10 МГц | 1 | 0,00005A | ОБЩИЙ | Схема памяти | ОТП |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.