Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Monolithic Power Systems Inc.

Monolithic Power Systems Inc. (5504)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Тип Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Размер / измерение Уровень чувствительности влаги (MSL) Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Технология Эксплуатационный ток снабжения Высота сидя (максимум) Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Длина Ширина Свободно привести Количество терминаций Время выполнения завода Масса Количество булавок PBFREE CODE Код ECCN Радиационное упрочнение Достичь кода соответствия HTS -код Количество функций Напряжение - вход (макс) Максимальное входное напряжение Код JESD-609 Особенность Терминальная отделка Приложения Максимальная диссипация власти Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Терминал Подсчет штифтов Время@Пиковой температуру (я) Подкатегория Квалификационный статус Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Максимальный выходной ток Мин входное напряжение Выходное напряжение Отметное напряжение Вывод типа Коэффициент отклонения источника питания (PSRR) Количество выходов Напряжение - выход 1 Максимальная выходная мощность Крыжительный ток Выходная конфигурация Ток - выход (макс) Выходное напряжение 1 Выходное напряжение 2 Входное напряжение (мин) Тип регулятора Ток - поставка (макс) Эффективность Напряжение - выход (макс) Напряжение - вход (мин) Текущий - покоящий (IQ) Функции управления Ток - выход Напряжение - выход (мин/фиксирован) Толерантность к напряжению Входное напряжение Absolute-Max Максимальная выходная мощность x каналы @ нагрузка Мин тока Количество регуляторов Особенности защиты Отступие напряжения (макс) PSRR
MEZDPD1620A-84F0 MEZDPD1620A-84F0 Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Через дыру 0,91LX0,63 Вт x 0,56 ч 23,0 ммх16,0 ммх14,1 мм 18-Dip Module 16 В Регулируемый выход Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MEZDPD1620A-8549 MEZDPD1620A-8549 Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Через дыру 0,91LX0,63 Вт x 0,56 ч 23,0 ммх16,0 ммх14,1 мм 18-Dip Module 16 В Регулируемый выход Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MEZDPD1620A-8522 MEZDPD1620A-8522 Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Через дыру 0,91LX0,63 Вт x 0,56 ч 23,0 ммх16,0 ммх14,1 мм 18-Dip Module 16 В Регулируемый выход Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MEZDPD1620A-84EB MEZDPD1620A-84EB Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Через дыру 0,91LX0,63 Вт x 0,56 ч 23,0 ммх16,0 ммх14,1 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mezdpd1620a84eb-datasheets-1515.pdf 18-Dip Module 15 В Ite (рекламный) 1 5 В 20А 96% 9 В
MEZDPD1620AS-8503 MEZDPD1620AS-8503 Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Поверхностное крепление 0,47LX0,39 Вт x 0,16 ч 12,0 ммхс10,0 ммх. 59-PowerBQFN Модуль 16 В Регулируемый выход, интерфейс I2C Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MEZDPD1620AS-8569 MEZDPD1620AS-8569 Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Поверхностное крепление 0,47LX0,39 Вт x 0,16 ч 12,0 ммхс10,0 ммх. 59-PowerBQFN Модуль 16 В Регулируемый выход, интерфейс I2C Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MEZDPD1620AS-8532 MEZDPD1620AS-8532 Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Поверхностное крепление 0,47LX0,39 Вт x 0,16 ч 12,0 ммхс10,0 ммх. 59-PowerBQFN Модуль 16 В Регулируемый выход, интерфейс I2C Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MEZDPD1620AS-8516 MEZDPD1620AS-8516 Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Поверхностное крепление 0,47LX0,39 Вт x 0,16 ч 12,0 ммхс10,0 ммх. 59-PowerBQFN Модуль 16 В Регулируемый выход, интерфейс I2C Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MEZDPD1620A-852F MEZDPD1620A-852F Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Через дыру 0,91LX0,63 Вт x 0,56 ч 23,0 ммх16,0 ммх14,1 мм 18-Dip Module 16 В Регулируемый выход Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MEZDPD1620A-84F7 MEZDPD1620A-84F7 Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Через дыру 0,91LX0,63 Вт x 0,56 ч 23,0 ммх16,0 ммх14,1 мм 18-Dip Module 16 В Регулируемый выход Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MEZDPD1620AS-8517 MEZDPD1620AS-8517 Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Неизолированный модуль POL Mezdpd1620 Поверхностное крепление 0,47LX0,39 Вт x 0,16 ч 12,0 ммхс10,0 ммх. 59-PowerBQFN Модуль 16 В Регулируемый выход, интерфейс I2C Ite (рекламный) 1 0,6 В ~ 5,5 В. 20А 96% 4 В
MP1720DH-12-LF-P MP1720DH-12-LF-P Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Класс d Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Лента и катушка (TR) 2 (1 год) 85 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует 2012 /files/monolithicpowersystemsinc-mp1720dq216lfp-datasheets-2591.pdf 10-TFSOP, 10-мс (0,118, ширина 3,00 мм). 16 недель Депоп, короткая замыкания и тепловая защита 10-МСОП-Эп 1-канальный (моно) 2,78 Вт 2,78 Вт x 1 @ 4omm
MPQ20051DQ-AEC1-LF-Z MPQ20051DQ-AEC1-LF-Z Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Автомобиль, AEC-Q100 Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C. Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mpq20051dqaec1lfz-datasheets-8567.pdf 8-VDFN открытая площадка 3 мм 3 мм Свободно привести 8 20 недель 38.101759 мг 8 Ear99 1 5,5 В. E3 Матовая олова (SN) Двойной Нет лидерства 260 0,65 мм 40 1A 2,5 В. 5 В 140 мВ Регулируемый 130 мкА Положительный 700 мкА 200 мкА Давать возможность 0,8 В. 1 Над током, над температурой, под блокировкой напряжения (UVLO) 0,28 В @ 1a 65 дБ ~ 33 дБ (100 Гц ~ 1 МГц)
MP20051DQ-LF-P MP20051DQ-LF-P Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C. Вырезать ленту (CT) 1 (неограниченный) 125 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp20051dqlfz-datasheets-4467.pdf 8-VDFN открытая площадка 16 недель 5,5 В. 5,5 В. 8-qfn (3x3) 5 В 140 мВ Регулируемый Положительный 5 В 600 мкА Давать возможность 1A 0,8 В. 1 Над током, над температурой, под блокировкой напряжения (UVLO) 0,28 В @ 1a 65 дБ ~ 33 дБ (100 Гц ~ 1 МГц)
MP2018GZD-33-P MP2018GZD-33-P Monolithic Power Systems Inc. $ 1,88
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C TA 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp2018gzd33p-datasheets-1264.pdf До 252-6, dpak (5 свинцов + вкладка) 16 В Зафиксированный Положительный 150 мкА 17 мкА Власть хорошо 500 мА 3,3 В. 1 Над током, выше температуры, короткий замыкание 1,3 В @ 500 мА 57 дБ ~ 51 дБ (100 Гц ~ 100 кГц)
MPQ2013AGQ-25-Z MPQ2013AGQ-25-Z Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mpq2013agq33aec1z-datasheets-8234.pdf 8-VDFN открытая площадка 19 недель Ear99 40 В E3 Матовая олова (SN) 260 40 Зафиксированный Положительный 50 мкА 10 мкА Давать возможность 150 мА 2,5 В. 1 Над током, выше температуры 1,3 В @ 150 мА 58 дБ ~ 41 дБ (100 Гц ~ 1 кГц)
MP6401DJ-18BD3-LF-Z MP6401DJ-18BD3-LF-Z Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (неограниченный) CMOS 80 мкА ROHS3 соответствует 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp6401dj25ad3lfz-datasheets-2740.pdf SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 2,9 мм Свободно привести 6 16 недель 36.003894mg 6 да Ear99 Нет 1 5,5 В. E3 Матовая олова (SN) 570 МВт Двойной Крыло Печата 260 0,95 мм 6 40 Другие регуляторы 2,5 В. 1,8 В. 220 мВ Зафиксированный 57 дБ 1 Положительный 1,8 В. 155 мкА Давать возможность 300 мА 2% 6 В 1 Над током, выше температуры, короткий замыкание 0,22 В @ 300 мА 57 дБ (1 кГц)
MPQ2013AGQ-18-AEC1-Z MPQ2013AGQ-18-AEC1-Z Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mpq2013agq33aec1z-datasheets-8234.pdf 19 недель Ear99 соответствие 8542.39.00.01 НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН Фиксированный/регулируемый положительный регулятор LDO с множественным выходом LDO
MP20045DQ-18-LF-Z MP20045DQ-18-LF-Z Monolithic Power Systems Inc. $ 0,39
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C. Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp20045dqlfz-datasheets-0546.pdf 8-VDFN открытая площадка 3 мм 3 мм Свободно привести 8 12 недель да Ear99 1 5,5 В. E3 Матовая олова (SN) Двойной Нет лидерства 260 0,65 мм 8 40 Не квалифицирован S-PDSO-N8 1,8 В. 140 мВ Зафиксированный Положительный 1,8 В. 2,5 В. 110 мкА Включить, питание хорошо 1A 1 Над током, выше температуры 0,28 В @ 1a 56 дБ (1 кГц)
MP2015AGQ-33-P MP2015AGQ-33-P Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует 2016 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp2015agjez-datasheets-5205.pdf 8-VQFN открытая площадка 16 недель 24 В 8-qfn (3x3) Зафиксированный Положительный 25 мкА 15 мкА Давать возможность 150 мА 3,3 В. 1 0,7 В при 150 мА 55 дБ (100 кГц)
MP20043DGT-A-LF-P MP20043DGT-A-LF-P Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C. Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 125 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp20043dgtalfz-datasheets-7903.pdf 8-VFDFN открытая площадка 12 недель 5,5 В. 8-TQFN (2x2) 3,3 В. 180 мВ Программируемый Положительный 150 мкА 2,8 В 3,3 В. 90 мкА Давать возможность 300 мА 300 мА 1,5 В 2,8 В. 2 Над током, выше температуры, короткий замыкание 0,28 В при 300 мА 0,28 В при 300 мА 75 дБ (100 Гц ~ 1 кГц)
MP2009EE-1.8-LF-Z MP2009E-1.8-LF-Z Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -20 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует /files/monolithicpowersystemsinc-mp2009ee40lfp-datasheets-1887.pdf&product=monolithicpowersystemsinc-mp2009ee18lfz-5524638 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Свободно привести 12 недель да 6 В 1,8 В. 172 мВ Зафиксированный Положительный 90 мкА Давать возможность 120 мА 130 мА 1 Над током, выше температуры 0,172V при 120 мА тип 78 дБ ~ 55 дБ (1 кГц ~ 100 кГц)
MP2013AGQ-18-Z MP2013AGQ-18-Z Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp2013agqp-datasheets-7438.pdf 8-VDFN открытая площадка 12 недель соответствие 40 В Зафиксированный Положительный 50 мкА 10 мкА Давать возможность 150 мА 1,8 В. 1 Над током, выше температуры 0,95 В при 100 мА 58 дБ ~ 41 дБ (100 Гц ~ 1 кГц)
MP20042DG-MG-LF-Z MP20042DG-MG-LF-Z Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C. Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) CMOS 1,05 мм ROHS3 соответствует 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp20042dgddlfz-datasheets-9443.pdf 8-TFDFN открытая площадка Свободно привести 8 12 недель да Ear99 1 6 В E3 Матовая олова (SN) Двойной Нет лидерства 260 0,5 мм 8 40 Не квалифицирован S-PDSO-N8 2,8 В. 250 мВ Зафиксированный 2 Положительный 2,8 В. 1,8 В. Давать возможность 200 мА 200 мА 1,8 В 2,8 В. 2 Над током, выше температуры 0,25 В при 200 мА тип 0,25 В при 200 мА 72db ~ 47 дБ (100 Гц ~ 100 кГц)
MP20041DGT-SL-LF-Z MP20041DGT-SL-LF-Z Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C. Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 0,85 мм ROHS3 соответствует 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp20041dgtgjlfp-datasheets-7073.pdf 8-VFDFN открытая площадка Свободно привести 8 12 недель да Ear99 1 6 В E3 Матовая олова (SN) Двойной Нет лидерства 260 0,5 мм 8 40 Не квалифицирован S-PDSO-N8 3,3 В. Зафиксированный 2 Положительный 3,3 В. 2,7 В. Давать возможность 300 мА 300 мА 2,7 В 3,3 В. 2 Над током, выше температуры 0,22 В при 300 мА тип - 72db ~ 68 дБ (10 кГц ~ 100 Гц)
MPQ2013AGJE-25-AEC1C672-P MPQ2013AGJE-25-AEC1C672-P Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать -40 ° C ~ 125 ° C TJ Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует 16 недель 40 В Зафиксированный Положительный 50 мкА 10 мкА Давать возможность 150 мА 2,5 В. 1 Над током, выше температуры 1,3 В @ 150 мА 58 дБ ~ 41 дБ (100 Гц ~ 1 кГц)
MPQ2013AGQ-18-AEC1-P MPQ2013AGQ-18-AEC1-P Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mpq2013agq33aec1z-datasheets-8234.pdf 16 недель
MP20041DGT-PP-LF-P MP20041DGT-PP-LF-P Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mp20041dgtgjlfp-datasheets-7073.pdf 8-wfdfn открытая площадка 16 недель 6 В 8-TQFN (2x2) Зафиксированный Положительный Давать возможность 300 мА 300 мА 3V 3V 2 Над током, выше температуры 0,22 В при 300 мА тип - 72db ~ 68 дБ (10 кГц ~ 100 Гц)
MPQ8903DJ-2.85-LF-P MPQ8903DJ-2,85-LF-P Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C. Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 125 ° C. -40 ° C. ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mpq8903dj33lfz-datasheets-7568.pdf SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 16 недель 29,993795 мг 6,5 В. TSOT-23-5 2,85 В. Зафиксированный Положительный Давать возможность 150 мА 2,85 В. 1 Над температурой 50 дБ ~ 20 дБ (1 кГц ~ 1 МГц)
MPQ20056GJ-AEC1-P MPQ20056GJ-AEC1-P Monolithic Power Systems Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Автомобиль, AEC-Q100 -40 ° C ~ 125 ° C. Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-mpq20056gg18aec1z-datasheets-2791.pdf 16 недель 5,5 В. Регулируемый Положительный 330 мкА 5 В 250 мкА Давать возможность 250 мА 0,8 В. 1 Над током, над температурой, под блокировкой напряжения (UVLO) 0,2 В при 250 мА 65 дБ ~ 33 дБ (100 Гц ~ 1 МГц)

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.