Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Санкен

Санкен (3138)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Технология Операционный режим Высота сидя (максимум) Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Длина Ширина Свободно привести Количество терминаций Время выполнения завода Количество булавок PBFREE CODE Код ECCN Дополнительная функция Достичь кода соответствия HTS -код Количество функций Полярность Поверхностное крепление Максимальная диссипация власти Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Напряжение снабжения Терминал Подсчет штифтов Рабочая температура (макс) Аналоговый IC - другой тип Время@Пиковой температуру (я) Количество элементов Подкатегория Квалификационный статус Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Непрерывный ток дренажа (ID) Материал транзистора Конфигурация Случайный соединение Приложение транзистора Полярность/Тип канала Power Dissipation-Max (ABS) Слейте до источника напряжения (VDS) Приложение Сила (ватты) DS Breakdown Trastage-Min Технология FET Скорость Защита от неисправностей Сила - Макс Входное напряжение-ном Входное напряжение (мин) Входное напряжение (макс) Диодный элемент материал Power Dissipation-Max Rep PK обратное напряжение-макс Jedec-95 код Время восстановления обратного восстановления Диод тип Напряжение разбивки излучателя коллекционера Напряжение насыщения насыщения коллекционера Незащитный PK-обратный ток-ток-макс Количество этапов Вывод тока-макс Напряжение излучателя коллекционера (VCEO) Макс Коллекторный ток Частота перехода Топология Работник Напряжение - разбивка Режим управления Техника управления Дренажный ток-ток (ABS) (ID) Импульсный ток сливного тока (IDM) Дренажный источник на сопротивлении-макс Переключение частоты-макс Внутренний переключатель (ы) Рейтинг Evalanche Energy (EAS) Функции управления Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) Напряжение - Поставка (VCC/VDD) Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) Current - Collector (IC) (макс) Тип FET Входная емкость (ciss) (max) @ vds Базовое напряжение коллекционера (VCBO) Напряжение базового излучения (Vebo) Ток - обратная утечка @ vr Напряжение - вперед (vf) (max) @ if Частота - переключение Ток - средний исправление (IO) Рабочая температура - соединение Ток - срез коллекционера (макс) Тип транзистора DC ток усиление (HFE) (min) @ IC, VCE Частота - переход Выходная изоляция Напряжение - запустить Vce saturation (max) @ ib, ic Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C Заряд затвора (qg) (max) @ vgs FET функция Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) VGS (макс)
RA 13 Ра 13 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT /files/sanken-ra13v-datasheets-2400.pdf Осевой 2 да 8541.10.00.80 НЕТ ПРОВОЛОКА НЕ УКАЗАН 2 125 ° C. НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован O-Palf-W2 ОДИНОКИЙ Изолирован Общее назначение Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний Шоткий 40a 1 2A 30 В 3ma @ 30 В. 360 МВ @ 2a 2A -40 ° C ~ 125 ° C.
RL 2 RL 2 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Масса 1 (неограниченный) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-rl2v-datasheets-1214.pdf Осевой Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) 50NS Стандартный 400 В. 10 мкА @ 400 В. 1,3 В @ 2a 2A -40 ° C ~ 150 ° C.
RM 2A RM 2A Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-rm2av1-datasheets-9341.pdf Осевой 2 да 8541.10.00.80 НЕТ ПРОВОЛОКА НЕ УКАЗАН 2 150 ° C. НЕ УКАЗАН 1 Выпрямители диоды Не квалифицирован O-Palf-W2 ОДИНОКИЙ Изолирован Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 600 В. Стандартный 100А 1 1.2a 600 В. 10 мкА @ 600V 910MV @ 1.5A 1.2a -40 ° C ~ 150 ° C.
RO 2C RO 2C Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-ro2cv-datasheets-8707.pdf Осевой 2 да Ear99 8541.10.00.80 НЕТ ПРОВОЛОКА НЕ УКАЗАН 2 150 ° C. НЕ УКАЗАН 1 Выпрямители диоды Не квалифицирован O-Palf-W2 ОДИНОКИЙ Изолирован Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний 1000 В. Стандартный 80A 1 1.2a 1000 В. 10 мкА @ 1000 В 920 мВ @ 1,5а 1.2a -40 ° C ~ 150 ° C.
RU 3AM Ру 3 утра Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2000 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-ru3amv1-datasheets-0014.pdf Осевой 2 12 недель да Ear99 8541.10.00.80 НЕТ ПРОВОЛОКА НЕ УКАЗАН 2 150 ° C. НЕ УКАЗАН 1 Выпрямители диоды Не квалифицирован O-Xalf-W2 ОДИНОКИЙ Изолирован Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 600 В. 400NS Стандартный 50а 1 1,5а 600 В. 10 мкА @ 600V 1.1V @ 1,5a 1,5а -40 ° C ~ 150 ° C.
RG 10A RG 10A Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-rg10av1-datasheets-9068.pdf Осевой 2 12 недель да Ear99 8541.10.00.80 НЕТ ПРОВОЛОКА НЕ УКАЗАН 2 150 ° C. НЕ УКАЗАН 1 Выпрямители диоды Не квалифицирован O-Xalf-W2 ОДИНОКИЙ Изолирован Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 600 В. 100ns Стандартный 50а 1A 600 В. 500 мкА @ 600V 2v @ 1a 1A -40 ° C ~ 150 ° C.
RX 10Z RX 10Z Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-rx10zv1-datasheets-8691.pdf Осевой 2 12 недель да Ear99 8541.10.00.80 НЕТ ПРОВОЛОКА НЕ УКАЗАН 2 150 ° C. НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован O-Xalf-W2 ОДИНОКИЙ Изолирован Ультра быстрого восстановления Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) Кремний 200 В 30ns Стандартный 30A 1 2A 200 В 50 мкА @ 200 В 980MV @ 2A 2A -40 ° C ~ 150 ° C.
RM 10V1 RM 10V1 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Лента и коробка (TB) 1 (неограниченный) 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-rm10v-datasheets-2364.pdf Осевой 2 12 недель Ear99 8541.10.00.80 НЕТ ПРОВОЛОКА 150 ° C. 1 Не квалифицирован O-Palf-W2 ОДИНОКИЙ Изолирован Общее назначение Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) Кремний Стандартный 150a 1 1.2a 400 В. 10 мкА @ 400 В. 910MV @ 1.5A 1.2a -40 ° C ~ 150 ° C.
STR-A6153E STR-A6153E Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать STR-A6100 Через дыру -20 ° C ~ 125 ° C TA Масса 1 (неограниченный) 4,2 мм ROHS COMPARINT 2014 /files/sanken-stra6153e-datasheets-7827.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 мм), 7 свинц 9,4 мм 7,62 мм 8 12 недель да Ear99 8542.39.00.01 1 НЕТ Двойной НЕ УКАЗАН 2,54 мм 8 Переключение регулятора НЕ УКАЗАН Не квалифицирован R-PDIP-T8 22W Ограничение тока, нагрузки, над температурой, над напряжением 230 В. 85 В 264V Летающий 650 В. Текущий режим 120 кГц Да 10 В ~ 35 В. Изолирован 17,5 В.
STR-X6737 STR-X6737 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать STR-X6700 Через дыру -20 ° C ~ 125 ° C TA Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2012 /files/sanken-sthrx6737-datasheets-4535.pdf TO-3P-7 FULLPACK, сформированные лиды 7 12 недель да Ear99 При необходимости можно установить радиатор 8542.39.00.01 1 НЕТ Зигзаг НЕ УКАЗАН Переключение регулятора НЕ УКАЗАН R-XZFM-T7 290 Вт Ограничение тока, нагрузку, на напряжение 20 В Летающий 500 В. Резонансный контроль Да Мягкий старт 9,7 В ~ 35 В. 19 кГц ~ 25 кГц Изолирован 18.2v
STR3A161HD Str3a161hd Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Str3a100 Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 115 ° C TA Масса 1 (неограниченный) 4,5 мм ROHS COMPARINT 2012 /files/sanken-sthr3a151d-datasheets-7858.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 мм) 9,4 мм 7,62 мм 8 12 недель да Ear99 8542.39.00.01 1 36 Вт Двойной НЕ УКАЗАН 18В 2,54 мм Переключение регулятора НЕ УКАЗАН R-PDIP-T8 Ограничение тока, нагрузки, над температурой, над напряжением Летающий 83% 700 В. Текущий режим Модуляция ширины пульса Да 8,1 В ~ 32 В. 100 кГц Изолирован 15,3 В.
STR3A153D Str3a153d Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Str3a100 Через дыру Через дыру -40 ° C ~ 115 ° C TA Масса 1 (неограниченный) 4,5 мм ROHS COMPARINT 2010 год /files/sanken-sthr3a151d-datasheets-7858.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 мм) 9,4 мм 7,62 мм Свободно привести 8 12 недель да Ear99 8542.39.00.01 1 53 Вт Двойной НЕ УКАЗАН 18В 2,54 мм Переключение регулятора НЕ УКАЗАН R-PDIP-T8 Ограничение тока, нагрузки, над температурой, над напряжением Летающий 74% 650 В. Текущий режим Модуляция ширины пульса Да 8,1 В ~ 32 В. 67 кГц Изолирован 15,3 В.
STR-W6753 STR-W6753 Санкен $ 1,63
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать STR-W6700 Через дыру -20 ° C ~ 115 ° C TA Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2005 /files/sanken-srw6753-datasheets-5745.pdf TO-220-6 Full Pack, сформированные лиды 12 недель да Ear99 8542.39.00.01 НЕ УКАЗАН Переключение регулятора НЕ УКАЗАН 58 Вт Ограничение тока, нагрузку, на напряжение Летающий 650 В. Да Мягкий старт 9,7 В ~ 35 В. 19 кГц ~ 25 кГц Изолирован 18.2v
STR-X6757 STR-X6757 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать STR-X6700 Через дыру -20 ° C ~ 125 ° C TA Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2012 /files/sanken-sthrx6757n-datasheets-5850.pdf TO-3P-7 FULLPACK, сформированные лиды 12 недель да Ear99 8542.39.00.01 НЕ УКАЗАН Переключение регулятора НЕ УКАЗАН 320 Вт Ограничение тока, нагрузку, на напряжение Летающий 650 В. Да Мягкий старт 9,7 В ~ 35 В. 19 кГц ~ 25 кГц Изолирован 18.2v
STR-X6429A STR-X6429A Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Масса Непригодный
SLA4060 SLA4060 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2000 /files/sanken-sla4060-datasheets-5421.pdf 12-sip 12 12 недель да Ear99 Встроенный коэффициент устойчивости к смещению составляет 0,08 неизвестный 8541.29.00.95 5 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 12 НЕ УКАЗАН 4 BIP Extance Power Не квалифицирован R-PSFM-T12 Кремний 4 банка, Дарлингтон со встроенным диодом и резистором Npn 5 Вт 120 В 1,5 В. 5A 10 мкА ICBO 4 NPN Darlington (Quad) 2000 @ 3a 2v 1,5 В @ 3MA, 3A
SLA4070 SLA4070 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) 150 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2001 /files/sanken-sla4070-datasheets-5672.pdf 12-sip Свободно привести 12 недель 12 Pnp 5 Вт 4 12-sip w/fin 5 Вт 100 В 1,5 В. 1,5 В. 5A 100 В 5A 100 В 6 В 10 мкА ICBO 4 PNP Darlington (Quad) 1000 @ 3a 2v 1,5 В @ 6ma, 3a
STA431A STA431A Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 1999 /files/sanken-sta431a-datasheets-7134.pdf 10-sip Свободно привести 10 36 недель да Ear99 неизвестный 8541.29.00.95 4 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 10 НЕ УКАЗАН 4 Не квалифицирован R-PSIP-T10 Кремний 2 банка, общий излучение, 2 элемента Переключение NPN и PNP 4 Вт 60 В 1V 3A 100 мкА ICBO 2 npn, 2 pnp (H-мост) 40 @ 1a 4v 1 В @ 200 мА, 2а
2SC5130 2SC5130 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2001 /files/sanken-------lsc5130-datasheets-7575.pdf До 220-3 полная упаковка Свободно привести 12 недель да 30 Вт НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН Не квалифицирован 30 Вт 400 В. 500 мВ 5A 100 мкА ICBO Npn 10 @ 1,5a 4v 20 МГц 500 мВ при 300 мА, 1,5а
STD03P Std03p Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2006 /files/sanken-std03p-datasheets-7814.pdf TO-3P-5 Свободно привести 4 12 недель да Ear99 неизвестный 160 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 5 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован R-PSFM-T4 Кремний Дарлингтон со встроенным диодом и резистором Усилитель Pnp 160 Вт 160В 2 В 15A 100 мкА ICBO PNP - Дарлингтон 5000 @ 10a 4v 2V @ 10ma, 10a
STD01P Std01p Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2007 /files/sanken-std01p-datasheets-9864.pdf TO-3P-5 Свободно привести 4 12 недель да Ear99 100 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 5 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован R-PSFM-T4 Кремний Дарлингтон со встроенным диодом и резистором Усилитель Pnp 100 Вт 150 В. 2 В 10а 100 мкА ICBO PNP - Дарлингтон 5000 @ 6a 4v 2V @ 6ma, 6a
2SD2016 2SD2016 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2001 /files/sanken-2sd2016-datasheets-3659.pdf До 220-3 полная упаковка Свободно привести 3 12 недель да Ear99 Встроенный в резистор смещения неизвестный 25 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован R-PSFM-T3 Кремний Дарлингтон со встроенным диодом и резистором Изолирован Переключение Npn 25 Вт До-220AB 200 В 1,5 В. 3A 90 МГц 10 мкА ICBO NPN - Дарлингтон 1000 @ 1a 4v 90 МГц 1,5 В при 1,5 мА, 1a
2SC2921 2SC2921 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2007 /files/sanken---2sc2921-datasheets-3855.pdf 3-ESIP 3 12 недель да Ear99 НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован R-PSFM-T3 Кремний ОДИНОКИЙ Усилитель Npn 150 Вт 150 Вт 60 МГц 160В 15A 100 мкА ICBO Npn 50 @ 5A 4V 60 МГц 2V @ 500 мА, 5A
2SD2141 2SD2141 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2001 /files/sanken-2sd2141-datasheets-4735.pdf До 220-3 полная упаковка Свободно привести 3 12 недель да Встроенное соотношение резистора смещения составляет 0,067 неизвестный 35 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован R-PSFM-T3 Кремний Дарлингтон со встроенным диодом и резистором Изолирован Переключение Npn 35 Вт 380 В. 1,5 В. 6A 20 МГц 10 мкА ICBO NPN - Дарлингтон 1500 @ 3a 2v 20 МГц 1,5 В @ 20 мА, 4a
2SB1588 2SB1588 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 1999 /files/sanken-2sb1588-datasheets-4977.pdf TO-3P-3 Full Pack Свободно привести 3 36 недель да Ear99 Встроенный резистор смещения 80 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован R-PSFM-T3 Кремний ОДИНОКИЙ Изолирован Усилитель Pnp 80 Вт 150 В. 2,5 В. 10а 50 МГц 100 мкА ICBO PNP - Дарлингтон 5000 @ 7a 4v 50 МГц 2,5 В @ 7ma, 7a
2SC2922 2SC2922 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Масса 1 (неограниченный) ROHS COMPARINT 2007 /files/sanken---2sc2922-datasheets-2603.pdf 3-ESIP Свободно привести 3 12 недель 3 да Ear99 200 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Кремний ОДИНОКИЙ Усилитель Npn 200 Вт 180В 2 В 17а 50 МГц 100 мкА ICBO Npn 30 @ 8 В 4 В 50 МГц 2V @ 800ma, 8a
SLA5086 SLA5086 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) Режим улучшения ROHS COMPARINT 2001 /files/sanken-sla5086-datasheets-9667.pdf 12-sip 12 12 недель да Ear99 8541.29.00.95 5 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 12 НЕ УКАЗАН 5 Не квалифицирован R-PSFM-T12 5A Кремний Общий источник, 5 элементов со встроенным диодом Изолирован 60 В 60 В Металлический полупроводник 5 Вт 5A 10а 0,22 гм 5 P-канал, общий источник 790pf @ 10v 220 мм ω @ 3A, 10 В 2 В @ 250 мкА Логический уровень затвора
SLA5041 SLA5041 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) Режим улучшения ROHS COMPARINT 2001 /files/sanken-sla5041-datasheets-0286.pdf 12-sip 12 12 недель да Ear99 неизвестный 8541.29.00.95 5 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 12 НЕ УКАЗАН 4 Не квалифицирован R-PSFM-T12 10а Кремний Отдельные, 4 элемента со встроенным диодом 200 В 200 В Металлический полупроводник 5 Вт 40a 0,175om 120 MJ 4 N-канал 850pf @ 10 В. 175 м ω @ 5a, 10 В 4 В @ 1MA Логический уровень затвора
FKI10300 FKI10300 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2014 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-fki10300-datasheets-1150.pdf До 220-3 полная упаковка Свободно привести 12 недель неизвестный НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 23а 100 В 38W TC N-канал 2540pf @ 25V 27,9 м ω @ 17.1a, 10v 2,5 В при 650 мкА 23a tc 35,8NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
FKI06075 FKI06075 Санкен
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS COMPARINT 2014 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-fki06075-datasheets-0018.pdf До 220-3 полная упаковка 12 недель НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 52а 60 В 40 Вт TC N-канал 3810PF @ 25V 6,3 метра ω @ 39a, 10 В 2,5 В @ 1MA 52A TC 53,6NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.