Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Time-Max (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7423DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-si7423dnt1e3-datasheets-7837.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | Неизвестный | 18мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C5 | 11 нс | 10 нс | 10 нс | 74 нс | -11,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | -1В | 1,5 Вт Та | 7,4А | 30А | -30В | P-канал | -1 В | 18 мОм при 11,7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 7.4А Та | 56 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHB30N60E-GE3 | Вишай Силиконикс | $4,69 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihb30n60ee3-datasheets-9414.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 1,437803г | Неизвестный | 125 мОм | 3 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 250 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 19 нс | 32нс | 36 нс | 63 нс | 29А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 250 Вт Тс | 65А | 690 мДж | 600В | N-канал | 2600пФ при 100В | 125 мОм при 15 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 29А Тц | 130 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7108DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7108dnt1ge3-datasheets-8585.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 5 | 14 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C5 | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 60 нс | 22А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 1,5 Вт Та | 60А | 0,0049Ом | 24 мДж | 20 В | N-канал | 4,9 мОм при 22 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 14А Та | 30 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA430DJ-T4-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sia430djt4ge3-datasheets-5346.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 Одиночный | 20 В | 3,5 Вт Ta 19,2 Вт Tc | N-канал | 800пФ при 10В | 13,5 мОм при 7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 12А Та 12А Тс | 18 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ488EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqj488ept1ge3-datasheets-8574.pdf | 8-PowerTDFN | 4,9 мм | 1,07 мм | 4,37 мм | Без свинца | 4 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г4 | 4 нс | 11нс | 4,6 нс | 20 нс | 32А | 2В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 100 В | 83 Вт Тс | 42А | N-канал | 979пФ при 25 В | 21 мОм при 7,4 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 42А Тк | 27 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI614GPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-irfi614g-datasheets-8520.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Содержит свинец | 8 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 2кОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220-3 | 140пФ | 7 нс | 7,6 нс | 7 нс | 16 нс | 2.1А | 20 В | 250 В | 250 В | 4В | 23 Вт Тс | 2Ом | N-канал | 140пФ при 25В | 4 В | 2 Ом при 1,3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,1 А Тс | 8,2 нК при 10 В | 2 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7790DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7790dpt1ge3-datasheets-9703.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 15 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 4,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 30 | 5,2 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C5 | 42 нс | 34 нс | 28 нс | 45 нс | 50А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 2,5 В | 5,2 Вт Та 69 Вт Тс | 70А | N-канал | 4200пФ при 20 В | 4,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 50А Тс | 95 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHA6N65E-E3 | Вишай Силиконикс | $7,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siha6n65ee3-datasheets-3221.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | ТО-220 Полный пакет | 650В | 31 Вт Тс | N-канал | 1640пФ при 100В | 600 мОм при 3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7А Тк | 48 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHH120N60E-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihh120n60et1ge3-datasheets-1103.pdf | 8-PowerTDFN | 18 недель | PowerPAK® 8 x 8 | 600В | 156 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 100В | 120 мОм при 12 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 24А Тк | 44 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHG17N80E-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | /files/vishaysiliconix-sihg17n80ege3-datasheets-3823.pdf | ТО-247-3 | 24,99 мм | 14 недель | 1 | 208 Вт | 150°С | 22 нс | 71 нс | 15А | 30 В | 208 Вт Тк | 800В | N-канал | 2408пФ при 100 В | 290 мОм при 8,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 15А Тс | 122 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA432DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sia432djt1ge3-datasheets-2595.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 3 | 14 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 6 | 1 | 40 | Полномочия общего назначения FET | С-ПДСО-С3 | 15 нс | 11нс | 10 нс | 15 нс | 10.1А | 20 В | Одинокий | 30 В | 3В | 3,5 Вт Ta 19,2 Вт Tc | N-канал | 800пФ при 15В | 20 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 12А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM120P04-04L_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm120p0404lge3-datasheets-6730.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | ТО-263 (Д2Пак) | 40В | 375 Вт Тс | P-канал | 13980пФ при 20В | 4 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 120А Тс | 330 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJA76EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqja76ept1ge3-datasheets-3560.pdf | 8-PowerTDFN | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 40В | 68 Вт Тк | N-канал | 5250пФ при 25В | 2,4 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 75А Тс | 100 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ7415AEN-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq7415aent1ge3-datasheets-8196.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 12 недель | PowerPAK® 1212-8 | 60В | 53 Вт Тс | 65мОм | P-канал | 1385пФ при 25В | 65 мОм при 5,7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Тс | 38 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7172DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si7172dpt1ge3-datasheets-5597.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 70мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 30 | 5,4 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-C5 | 15 нс | 11нс | 9 нс | 26 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 5,4 Вт Та 96 Вт Тс | 5,9А | 30А | 200В | N-канал | 2250пФ при 100В | 70 мОм при 5,9 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 25А Тс | 77 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sq4850eyt1ge3-datasheets-8598.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8-СО | 60В | 6,8 Вт Тс | N-канал | 1250пФ при 25В | 22 мОм при 6 А, 5 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7148DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7148dpt1e3-datasheets-4845.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Одинокий | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 28А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 5,4 Вт Та 96 Вт Тс | 60А | 75В | N-канал | 2900пФ при 35В | 90 нс | 96нс | 2 В | 11 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 28А ТЦ | 100 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР186ДП-Т1-РЕ3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sir186dpt1re3-datasheets-1807.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 1,17 мм | 14 недель | EAR99 | S17-0173-Одиночный | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 150°С | 10 нс | 14 нс | 23А | 20 В | 57 Вт Тс | 60В | N-канал | 1710пФ при 30 В | 4,5 мОм при 15 А, 10 В | 3,6 В @ 250 мкА | 60А Тс | 37 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7738DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7738dpt1ge3-datasheets-5509.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 5 | 14 недель | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 5,4 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-C5 | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 7,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,4 Вт Та 96 Вт Тс | 30А | 30А | 45 мДж | 150 В | N-канал | 2100пФ при 75В | 38 мОм при 7,7 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Тс | 53 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB46EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Вишай Силиконикс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBF30STRLPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-irfbf30strlpbf-datasheets-7017.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 11 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-263 (Д2Пак) | 1,2 нФ | 14 нс | 25нс | 30 нс | 90 нс | 3,6А | 20 В | 900В | 125 Вт Тс | 3,7 Ом | N-канал | 1200пФ при 25В | 3,7 Ом @ 2,2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,6 А Тс | 78 нК при 10 В | 3,7 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2343DS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si2343dst1ge3-datasheets-3348.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,12 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 33 недели | 1,437803г | Неизвестный | 53мОм | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 750 мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 10 нс | 15нс | 15 нс | 31 нс | -4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | -1В | 750мВт Та | -30В | P-канал | 540пФ при 15В | -1 В | 53 мОм при 4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3.1А Та | 21 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР158ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sir158dpt1re3-datasheets-9659.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | 1,8 МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 5,4 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 28 нс | 36нс | 16 нс | 47 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 60А | 30 В | N-канал | 4980пФ при 15 В | 1,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 60А Тс | 130 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4124dyt1ge3-datasheets-3524.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 30 нс | 14 нс | 11 нс | 38 нс | 13,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 2,5 Вт Ta 5,7 Вт Tc | 20,5А | 0,0075Ом | N-канал | 3540пФ при 20В | 7,5 мОм при 14 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 20,5 А Тс | 77 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE820DF-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie820dft1ge3-datasheets-4394.pdf | 10-ПоларПАК® (С) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-N4 | 30А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Та 104 Вт Тс | 50А | 80А | 0,0035Ом | 45 мДж | 20 В | N-канал | 4300пФ при 10 В | 3,5 мОм при 18 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 50А Тс | 143 нК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF830BPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-irf830bpbf-datasheets-8568.pdf | ТО-220-3 | 3 | 8 недель | 6.000006г | 3 | Нет | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | 1 | Одинокий | 1 | 8,2 нс | 16 нс | 16 нс | 42 нс | 5.3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 104 Вт Тс | ТО-220АБ | 500В | N-канал | 325пФ при 100В | 1,5 Ом при 2,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 5,3 А Тс | 20 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1013cxt1ge3-datasheets-9530.pdf | СК-89, СОТ-490 | 3 | 14 недель | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | 1 | 190мВт | 1 | Другие транзисторы | 1 нс | 8нс | 5 нс | 9 нс | 450 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 190мВт Та | 0,45 А | 0,76 Ом | -20В | P-канал | 45пФ при 10В | 760 мОм при 400 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 450 мА Та | 2,5 нК @ 4,5 В | 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA436DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sia436djt1ge3-datasheets-0775.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 3 | 14 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 1 | Одинокий | 3,5 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | С-ПДСО-Н3 | 11 нс | 10 нс | 8 нс | 30 нс | 12А | 5В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350 мВ | 3,5 Вт Та 19 Вт Тс | 50А | 0,0094Ом | 8В | N-канал | 1508пФ при 4В | 9,4 мОм при 15,7 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 12А Тс | 25,2 нК при 5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBC30PBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-irfbc30pbf-datasheets-1456.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 11 недель | 6.000006г | Неизвестный | 2,2 Ом | 3 | Нет | 44А | 600В | 1 | Одинокий | 74 Вт | 1 | ТО-220АБ | 660пФ | 11 нс | 13нс | 14 нс | 35 нс | 3,6А | 20 В | 600В | 4В | 74 Вт Тс | 810 нс | 2,2 Ом | 600В | N-канал | 660пФ при 25В | 4 В | 2,2 Ом при 2,2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,6 А Тс | 31 нК при 10 В | 2,2 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФП150ПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-irfp150pbf-datasheets-2018.pdf | 100 В | 41А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 8 недель | 38.000013г | Неизвестный | 55мОм | 3 | 1 | Одинокий | 230 Вт | 1 | ТО-247-3 | 2,8 нФ | 16 нс | 120 нс | 81 нс | 60 нс | 41А | 20 В | 100 В | 2В | 230 Вт Тс | 55мОм | 100 В | N-канал | 2800пФ при 25В | 4 В | 55 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 41А Тц | 140 нК при 10 В | 55 мОм | 10 В | ±20 В |
