Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СИР802ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-sir802dpt1ge3-datasheets-3524.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 13 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 5мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 4,6 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-С5 | 19 нс | 14 нс | 13 нс | 36 нс | 30А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600мВ | 4,6 Вт Ta 27,7 Вт Tc | 70А | 20 мДж | 20 В | N-канал | 1785пФ при 10В | 5 м Ом при 10 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 32 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4626ADY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4626adyt1ge3-datasheets-4309.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | 44 нс | 21нс | 18 нс | 45 нс | 21,5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3 Вт Та 6 Вт Тс | 0,0033Ом | N-канал | 5370пФ при 15 В | 3,3 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 125 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9220TRRPBF | Вишай Силиконикс | 2,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9220pbf-datasheets-1966.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 8 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | Д-Пак | 340пФ | 8,8 нс | 27нс | 19 нс | 7,3 нс | 3,6А | 20 В | 200В | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | 1,5 Ом | P-канал | 340пФ при 25В | 1,5 Ом @ 2,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,6 А Тс | 20 нК при 10 В | 1,5 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1070xt1e3-datasheets-7798.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 99мОм | Одинокий | 236мВт | СК-89-6 | 385пФ | 22нс | 22 нс | 14 нс | 1,2А | 12 В | 30 В | 236мВт Та | 99мОм | 30 В | N-канал | 385пФ при 15В | 99 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1,55 В @ 250 мкА | 8,3 нК при 5 В | 99 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1410EDH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1410edht1e3-datasheets-7914.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,05 мм | 900 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | Неизвестный | 70мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 30 | 1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 150 нс | 400 нс | 400 нс | 1,9 мкс | 3,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1 Вт Та | 2,9 А | 20 В | N-канал | 450 мВ | 70 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 2,9А Та | 8 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1471DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1471dht1e3-datasheets-8016.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | 6 | 13 недель | 7,512624 мг | Неизвестный | 100МОм | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 нс | 20нс | 9 нс | 20 нс | -1,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | -1,6 В | 1,5 Вт Ta 2,78 Вт Tc | 2,8А | -30В | P-канал | 445пФ при 15В | 100 мОм при 2 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 2,7 А Тс | 9,8 нК @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3473DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si3473dvt1e3-datasheets-8163.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 19,986414мг | Нет СВХК | 23мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 25 нс | 50 нс | 50 нс | 130 нс | -5,9А | 8В | -12В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | -1В | 1,1 Вт Та | P-канал | -1 В | 23 мОм при 7,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,9А Та | 33 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4446DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 1,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4446dyt1e3-datasheets-8321.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 40мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,1 Вт | 1 | 7 нс | 11нс | 11 нс | 27 нс | 5.2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 В | 1,1 Вт Та | 3,9 А | 30А | 40В | N-канал | 700пФ при 20В | 1,6 В | 40 мОм при 5,2 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 3,9А Та | 12 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4835BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4835bdyt1e3-datasheets-8440.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 186,993455мг | 8 | 1 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | 8-СО | 15 нс | 13нс | 13 нс | 60 нс | 7,4А | 25 В | 30 В | 1,5 Вт Та | 18мОм | -30В | P-канал | 18 мОм при 9,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7.4А Та | 37 нК при 5 В | 18 мОм | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5433BDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si5433bdct1e3-datasheets-8454.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 нс | 25нс | 25 нс | 80 нс | 4,8А | 8В | КРЕМНИЙ | 20 В | 1,3 Вт Та | 0,037Ом | -20В | P-канал | 37 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,8А Та | 22 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФИБ5Н50ЛПБФ | Вишай Силиконикс | 1,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-irfib5n50lpbf-datasheets-0405.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | 3 | 6.000006г | Неизвестный | 3 | 3 | 1 | Одинокий | 1 | Не квалифицирован | 13 нс | 17нс | 10 нс | 26 нс | 4,7А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 42 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,8 Ом | 500В | N-канал | 1000пФ при 25В | 800 мОм при 2,4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4,7 А Тс | 45 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФР224 | Вишай Силиконикс | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu224pbf-datasheets-5033.pdf | 250 В | 3,8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Д-Пак | 260пФ | 7 нс | 13нс | 12 нс | 20 нс | 3,8А | 20 В | 250 В | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | 1,1 Ом | 250 В | N-канал | 260пФ при 25В | 1,1 Ом @ 2,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,8 А Тс | 14 нК при 10 В | 1,1 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR224TRL | Вишай Силиконикс | $5,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu224pbf-datasheets-5033.pdf | 250 В | 3,8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д-Пак | 260пФ | 7 нс | 13нс | 12 нс | 20 нс | 3,8А | 20 В | 250 В | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | 1,1 Ом | N-канал | 260пФ при 25В | 1,1 Ом @ 2,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,8 А Тс | 14 нК при 10 В | 1,1 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9120TRL | Вишай Силиконикс | $3,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9120trpbf-datasheets-5334.pdf | -100В | -5,6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д-Пак | 390пФ | 9,6 нс | 29нс | 25 нс | 21 нс | 5,6А | 20 В | 100В | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | 600мОм | P-канал | 390пФ при 25В | 600 мОм при 3,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,6 А Тс | 18 нК @ 10 В | 600 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФУ9120 | Вишай Силиконикс | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9120trpbf-datasheets-5334.pdf | -100В | -5,6А | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | Содержит свинец | 3 | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | ТО-251АА | 390пФ | 9,6 нс | 29нс | 25 нс | 21 нс | 5,6А | 20 В | 100В | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | 600мОм | -100В | P-канал | 390пФ при 25В | 600 мОм при 3,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,6 А Тс | 18 нК @ 10 В | 600 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLL014TR | Вишай Силиконикс | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irll014trpbf-datasheets-2710.pdf | 60В | 2,7А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,8 мм | 3,7 мм | Содержит свинец | 3 | 250,212891мг | 4 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | 2А | е0 | Оловянный свинец | 55В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 4 | 1 | 30 | 2 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | 9,3 нс | 110 нс | 26 нс | 17 нс | 2,7А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт Та 3,1 Вт Тс | 0,2 Ом | N-канал | 400пФ при 25В | 200 мОм при 1,6 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 2,7 А Тс | 8,4 нК при 5 В | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI9520G | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfi9520gpbf-datasheets-2429.pdf | -100В | -5,2А | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Содержит свинец | 6.000006г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220-3 | 390пФ | 9,6 нс | 29нс | 25 нс | 21 нс | 5.2А | 20 В | 100В | 37 Вт Тс | 600мОм | -100В | P-канал | 390пФ при 25В | 600 мОм при 3,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,2 А Тс | 18 нК @ 10 В | 600 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFZ44STRR | Вишай Силиконикс | 1,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz44spbf-datasheets-3540.pdf | 60В | 50А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 1,9 нФ | 14 нс | 110 нс | 92 нс | 45 нс | 50А | 20 В | 60В | 3,7 Вт Та 150 Вт Тс | 28мОм | N-канал | 1900пФ при 25В | 28 мОм при 31 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 50А Тс | 67 нК при 10 В | 28 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBC40L | Вишай Силиконикс | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbc40spbf-datasheets-1879.pdf | 600В | 6.2А | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,67 мм | 9,65 мм | 4,83 мм | Содержит свинец | 2.387001г | 1 | Одинокий | 130 Вт | И2ПАК | 1,3 нФ | 13 нс | 18нс | 20 нс | 55 нс | 6.2А | 20 В | 600В | 3,1 Вт Ta 130 Вт Tc | 1,2 Ом | 600В | N-канал | 1300пФ при 25В | 1,2 Ом @ 3,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,2 А Тс | 60 нК при 10 В | 1,2 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF644L | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf644pbf-datasheets-1274.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3,1 Вт | И2ПАК | 1,3 нФ | 14А | 250 В | N-канал | 1300пФ при 25В | 280 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Тс | 68 нК при 10 В | 280 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF620STRL | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf620strlpbf-datasheets-3318.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1,437803г | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 260пФ | 7,2 нс | 22нс | 13 нс | 19 нс | 5.2А | 20 В | 200В | 3 Вт Та 50 Вт Тс | 800мОм | N-канал | 260пФ при 25В | 800 мОм при 3,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,2 А Тс | 14 нК при 10 В | 800 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF644STRR | Вишай Силиконикс | 1,72 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | 1,3 нФ | 14А | 250 В | 3,1 Вт Ta 125 Вт Tc | N-канал | 1300пФ при 25В | 280 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Тс | 68 нК при 10 В | 280 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF820ASTRR | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf820alpbf-datasheets-4820.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 50 Вт Тс | 10А | 3Ом | 140 мДж | N-канал | 340пФ при 25В | 3 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 17 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ830Л | Вишай Силиконикс | $8,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf830strlpbf-datasheets-8512.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 1,437803г | неизвестный | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | 500В | 500В | 3,1 Вт Та 74 Вт Тс | ТО-220АБ | N-канал | 610пФ при 25 В | 1,5 Ом при 2,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4,5 А Тс | 38 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9520STRR | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf9520spbf-datasheets-1890.pdf | -100В | -6,8А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | Д2ПАК | 390пФ | 29нс | 6,8А | 100В | 3,7 Вт Та 60 Вт Тс | P-канал | 390пФ при 25В | 600 мОм при 4,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,8 А Тс | 18 нК @ 10 В | 600 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ540Л | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf540pbf-datasheets-2998.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | нет | EAR99 | 3,7 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 28А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | ТО-220АБ | 0,077Ом | N-канал | 1700пФ при 25В | 77 мОм при 17 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 28А ТЦ | 72 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6410DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6410dqt1ge3-datasheets-2843.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 70 нс | 7,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | 30А | 30 В | N-канал | 14 мОм при 7,8 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 33 нК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBE20STRR | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbe20pbf-datasheets-1770.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 54 Вт | 1,8 А | 800В | N-канал | 530пФ при 25В | 6,5 Ом при 1,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1,8 А Тс | 38 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI9520N | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfi9520n-datasheets-4448.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 5,5 А | 100В | 30 Вт Тс | P-канал | 350пФ при 25В | 480 мОм при 4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,5 А Тс | 27 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФР11Н25Д | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 250 В | N-канал |
