Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор упаковки производителя | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИРФП22Н60КПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-irfp22n60kpbf-datasheets-2968.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | 8 недель | 38.000013г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 370 Вт | 1 | ТО-247-3 | 3,57 нФ | 26 нс | 99нс | 37 нс | 48 нс | 22А | 30 В | 600В | 370 Вт Тс | 240мОм | N-канал | 3570пФ при 25В | 5 В | 280 мОм при 13 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 22А Тк | 150 нК при 10 В | 280 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2314EDS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si2314edst1e3-datasheets-8750.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 14 недель | 1,437803г | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 750 мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 530 нс | 1,4 мкс | 5,9 мкс | 13,5 мкс | 3,77А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 750мВт Та | N-канал | 33 мОм при 5 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 3,77А Та | 14 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHFR420TRL-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr420pbf-datasheets-7930.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 14 недель | Д-ПАК (ТО-252АА) | 500В | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | N-канал | 360пФ при 25В | 3 Ом @ 1,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,4 А Тс | 19 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5458DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5458dut1ge3-datasheets-4945.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 3 | 14 недель | 41мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Р-ПДСО-Н3 | 12 нс | 13нс | 11 нс | 11 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,5 Вт Ta 10,4 Вт Tc | 6А | 20А | N-канал | 325пФ при 15В | 3 В | 41 мОм при 7,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А Тс | 9 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2316DS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si2316dst1e3-datasheets-5080.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 14 недель | 1,437803г | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 9 нс | 14 нс | 3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 700мВт Та | 2,9 А | 0,05 Ом | N-канал | 215пФ при 15В | 50 мОм при 3,4 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА (мин) | 2,9А Та | 7 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQA470EJ-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqa470ejt1ge3-datasheets-7167.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 850 мкм | 12 недель | C-07431-ОДИНОЧНЫЙ | 1 | 13,6 Вт | 175°С | PowerPAK® SC-70-6 Одиночный | 7,3 нс | 21 нс | 2,25 А | 12 В | 30 В | 13,6 Вт Тс | 38мОм | 30 В | N-канал | 440пФ при 20В | 65 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 2,25 А Тс | 6 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ530СТРРПБФ | Вишай Силиконикс | 1,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irl530strrpbf-datasheets-7905.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 8 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | Д2ПАК | 930пФ | 4,7 нс | 100 нс | 48 нс | 22 нс | 15А | 10 В | 100В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | 160мОм | N-канал | 930пФ при 25В | 160 мОм при 9 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 15А Тс | 28 нК при 5 В | 160 мОм | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIJH440E-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sijh440et1ge3-datasheets-8715.pdf | 8-PowerTDFN | 14 недель | PowerPAK® 8 x 8 | 40В | 158 Вт Тс | N-канал | 20330пФ при 20 В | 0,96 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 200А Тс | 195 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ24СТРЛПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-irfz24pbf-datasheets-1307.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 11 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 30 | 1 | Р-ПССО-Г2 | 13 нс | 58нс | 42 нс | 25 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 3,7 Вт Та 60 Вт Тс | 68А | 0,1 Ом | 100 мДж | N-канал | 640пФ при 25В | 100 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 17А Тк | 25 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ510СПБФ | Вишай Силиконикс | $5,99 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irl510strlpbf-datasheets-6331.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,02 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | 220 | Нет | 1 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | Д2ПАК | 250пФ | 9,3 нс | 47нс | 18 нс | 16 нс | 5,6А | 10 В | 100В | 3,7 Вт Та 43 Вт Тс | 130 нс | 540мОм | 100В | N-канал | 250пФ при 25В | 540 мОм при 3,4 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 5,6 А Тс | 6,1 нК при 5 В | 540 мОм | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР800ДП-Т1-РЕ3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen III | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 20 В | 69 Вт Тс | N-канал | 5125пФ при 10 В | 2,3 мОм при 15 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 50А Тс | 133 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR420ATRLPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-irfr420apbf-datasheets-7258.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 12 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 83 Вт | 1 | Д-Пак | 340пФ | 8,1 нс | 12нс | 13 нс | 16 нс | 3,3А | 30 В | 500В | 83 Вт Тс | 3Ом | 500В | N-канал | 340пФ при 25В | 3 Ом @ 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 3,3 А Тс | 17 нК при 10 В | 3 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF740ASTRLPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-irf740alpbf-datasheets-5440.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | 550мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | Д2ПАК | 1,03 нФ | 10 нс | 35 нс | 22 нс | 24 нс | 10А | 30 В | 400В | 125 Вт Тс | 550мОм | N-канал | 1030пФ при 25В | 550 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 10А Тс | 36 нК при 10 В | 550 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9630STRLPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-irf9630spbf-datasheets-1938.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,02 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 800мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 1 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 27нс | 24 нс | 28 нс | 6,5 А | 20 В | -200В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | -2В | 3 Вт Та 74 Вт Тс | 26А | 500 мДж | -200В | P-канал | 700пФ при 25В | 4 В | 800 мОм при 3,9 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,5 А Тс | 29 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| SIHW73N60E-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihw73n60ege3-datasheets-3976.pdf | ТО-247-3 | 3 | 19 недель | 38.000013г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 1 | 63 нс | 105 нс | 120 нс | 290 нс | 73А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 520 Вт Тс | ТО-247АД | 600В | N-канал | 7700пФ при 100В | 39 мОм при 36 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 73А Тк | 362 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9530 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf9530pbf-datasheets-1865.pdf | -100В | -12А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Содержит свинец | 6.000006г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 88 Вт | 1 | ТО-220АБ | 860пФ | 12 нс | 52нс | 39 нс | 31 нс | 12А | 20 В | 100В | 88 Вт Тс | 300мОм | -100В | P-канал | 860пФ при 25В | 300 мОм при 7,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Тс | 38 нК при 10 В | 300 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ20 | Вишай Силиконикс | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz20pbf-datasheets-1493.pdf | 50В | 15А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Содержит свинец | 3 | 6.000006г | 3 | нет | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е0 | Оловянный свинец | 240 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 45нс | 15 нс | 20 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 60А | 5 мДж | N-канал | 850пФ при 25В | 100 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 15А Тс | 17 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ14 | Вишай Силиконикс | 0,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz14pbf-datasheets-9763.pdf | 60В | 10А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Содержит свинец | 6.000006г | 3 | 1 | Одинокий | 43 Вт | ТО-220АБ | 300пФ | 10 нс | 50 нс | 19 нс | 13 нс | 10А | 20 В | 60В | 43 Вт Тс | 200мОм | 60В | N-канал | 300пФ при 25В | 200 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 10А Тс | 11 нК при 10 В | 200 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFP9240 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfp9240pbf-datasheets-9137.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | 38.000013г | 3 | 1 | Одинокий | 150 Вт | 1 | ТО-247-3 | 1,2 нФ | 14 нс | 43нс | 38 нс | 39 нс | 12А | 20 В | 200В | 150 Вт Тс | 500мОм | -200В | P-канал | 1200пФ при 25В | 500 мОм при 7,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Тс | 44 нК при 10 В | 500 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF740S | Вишай Силиконикс | 0,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf740spbf-datasheets-9653.pdf | 400В | 10А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 1,4 нФ | 14 нс | 27нс | 24 нс | 50 нс | 10А | 20 В | 400В | 3,1 Вт Ta 125 Вт Tc | 550мОм | 400В | N-канал | 1400пФ при 25В | 550 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 10А Тс | 63 нК при 10 В | 550 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF530S | Вишай Силиконикс | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf530strlpbf-datasheets-7596.pdf | 100В | 14А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 6.000006г | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 670пФ | 10 нс | 34 нс | 24 нс | 23 нс | 14А | 20 В | 100В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | 160мОм | 100В | N-канал | 670пФ при 25В | 160 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Тс | 26 нК при 10 В | 160 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ640С | Вишай Силиконикс | 0,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf640spbf-datasheets-2368.pdf | 200В | 18А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 2.240009г | 180мОм | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 1,3 нФ | 14 нс | 51 нс | 36 нс | 45 нс | 18А | 20 В | 200В | 3,1 Вт Ta 130 Вт Tc | 180мОм | 200В | N-канал | 1300пФ при 25В | 180 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 18А Тк | 70 нК при 10 В | 180 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9Z34S | Вишай Силиконикс | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf9z34strrpbf-datasheets-5811.pdf | -60В | -18А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 1,1 нФ | 18 нс | 120 нс | 58 нс | 20 нс | 18А | 20 В | 60В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | 140мОм | -60В | P-канал | 1100пФ при 25В | 140 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 18А Тк | 34 нК при 10 В | 140 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBC30S | Вишай Силиконикс | 1,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbc30strlpbf-datasheets-6482.pdf | 600В | 3,6А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 1 | Одинокий | 74 Вт | Д2ПАК | 660пФ | 11 нс | 13нс | 14 нс | 35 нс | 3,6А | 20 В | 600В | 3,1 Вт Ta 74 Вт Tc | 2,2 Ом | 600В | N-канал | 660пФ при 25В | 2,2 Ом при 2,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,6 А Тс | 31 нК при 10 В | 2,2 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI9540G | Вишай Силиконикс | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfi9540gpbf-datasheets-3946.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Без свинца | 6.000006г | 200МОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220-3 | 1,4 нФ | 24 нс | 110 нс | 86 нс | 51 нс | 11А | 20 В | 100В | 48 Вт Тс | 200мОм | P-канал | 1400пФ при 25В | 200 мОм при 6,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11А Тк | 61 нК при 10 В | 200 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЛ9110 | Вишай Силиконикс | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfl9110trpbf-datasheets-9205.pdf | -100В | -1,1 А | ТО-261-4, ТО-261АА | Содержит свинец | 4 | 2 Вт | 1 | СОТ-223 | 200пФ | 27нс | 17 нс | 15 нс | 1,1А | 20 В | 100В | 2 Вт Та 3,1 Вт Тс | 1,2 Ом | -100В | P-канал | 200пФ при 25В | 1,2 Ом при 660 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1,1 А Тс | 8,7 нК при 10 В | 1,2 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFP460A | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfp460apbf-datasheets-4261.pdf | 500В | 20А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Содержит свинец | 38.000013г | Нет | 1 | Одинокий | 280 Вт | 1 | ТО-247-3 | 3,1 нФ | 18 нс | 55нс | 39 нс | 45 нс | 20А | 30 В | 500В | 280 Вт Тс | 270мОм | 500В | N-канал | 3100пФ при 25 В | 270 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 20А Тс | 105 нК при 10 В | 270 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI510G | Вишай Силиконикс | 0,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfi510gpbf-datasheets-3853.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | 6.000006г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220-3 | 180пФ | 6,9 нс | 16 нс | 9,4 нс | 15 нс | 4,5 А | 20 В | 100В | 27 Вт Тс | 540мОм | 100В | N-канал | 180пФ при 25В | 540 мОм при 2,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4,5 А Тс | 8,3 нК при 10 В | 540 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИХГ24Н65Е-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-sihg24n65ege3-datasheets-9723.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 19 недель | 38.000013г | Неизвестный | 145 мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 250 Вт | 1 | ТО-247АС | 2,74 нФ | 24 нс | 84нс | 69 нс | 70 нс | 24А | 20 В | 650В | 2В | 250 Вт Тс | 145 мОм | N-канал | 2740пФ при 100В | 145 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 24А Тк | 122 нК при 10 В | 145 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHB11N80E-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihb11n80ege3-datasheets-1395.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | Д2ПАК (ТО-263) | 800В | 179 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 100В | 440 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Тс | 88 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
