Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Входная емкость | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное напряжение питания-номинальное (Vsup) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Количество входов | Выход | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выключения-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Максимальный ток сигнала | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Переключатель цепи | Напряжение питания, двойное (В±) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DG403DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 10нА | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-dg403dje3-datasheets-0863.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,43 мм | 4,45 мм | 7,87 мм | 12 В | Без свинца | 1 мкА | 16 | 12 недель | 1,627801г | Неизвестный | 30В | 10 В | 45Ом | 16 | да | Нет | 2 | 10нА | е3 | Матовый олово (Sn) | Неинвертирующий | 450мВт | 15 В | ДГ403 | 16 | 1 | 450мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | SPDT | 150 нс | 100 нс | 20 В | 5В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -15В | 4 | 30 мА | 45Ом | 30Ом | 72 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 1:1 | SPST - НО/НЗ | ±15 В | 500пА | 12пФ 12пФ | 150 нс, 100 нс | 10 шт. | -90 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5904DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5904dct1e3-datasheets-4621.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5904 | 8 | 30 | 1,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 12 нс | 35 нс | 9 нс | 19 нс | 3.1А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,075Ом | 2 N-канала (двойной) | 75 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG418DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1нА | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-dg417dyt1e3-datasheets-1245.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10,92 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | Без свинца | 1 мкА | 8 | 12 недель | 930,006106мг | Неизвестный | 36В | 13В | 35Ом | 8 | да | 1 | 1нА | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | 260 | 15 В | 2,54 мм | ДГ418 | 8 | 1 | 30 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | СПСТ | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 1 | 35Ом | 35Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 250 нс | НЕТ | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 250пА | 8пФ 8пФ | 175 нс, 145 нс | 60ПК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3909DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si3909dvt1ge3-datasheets-2192.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 19,986414мг | 200мОм | 1,15 Вт | 2 | Двойной | 6-ЦОП | 1,8 А | 12 В | 20 В | 1,15 Вт | 200мОм | 2 P-канала (двойной) | 200 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 500 мВ при 250 мкА (мин) | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 200 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG441LEDQ-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg442ledyt1ge3-datasheets-7337.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 недель | Нет СВХК | 26Ом | 16 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | 26Ом | 3В~16В ±3В~8В | 1:1 | СПСТ - НК | 1нА | 5пФ 6пФ | 60 нс, 35 нс | 6,6 ПК | 100 м Ом | -114 дБ при 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4834CDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4834cdyt1e3-datasheets-2250.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15 недель | 8 | Нет | 2 Вт | СИ4834 | 2 Вт | 2 | 8-СО | 950пФ | 17 нс | 12нс | 10 нс | 18 нс | 8А | 20 В | 30В | 30В | 2,9 Вт | 20мОм | 2 N-канала (двойной) | 950пФ при 15 В | 3 В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 8А | 25 нК при 10 В | Стандартный | 20 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ212БДИ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 10 мкА | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg211bdyt1e3-datasheets-9940.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 10 мкА | 16 | 13 недель | 547,485991мг | 25 В | 4,5 В | 160Ом | 16 | да | Нет | 4 | 50 мкА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ212 | 16 | 1 | 40 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 512/+-15В | СПСТ | 300 нс | 200 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 90 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4916DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-si4916dyt1e3-datasheets-4536.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 13 недель | 186,993455мг | 18мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 3,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4916 | 8 | 2 | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 10,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,3 Вт 3,5 Вт | 10А | 30В | 2 N-канала (полумост) | 18 мОм при 10 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 10А 10,5А | 10 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG417LEDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-dg419ledqt1ge3-datasheets-7465.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) | 16 недель | 1 | 8-МСОП | 9Ом | 3В~16В ±3В~8В | 1:1 | СПСТ | 10нА | 11пФ 32пФ | 40 нс, 35 нс | 26 шт. | -72 дБ при 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4933DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4933dyt1e3-datasheets-4569.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4933 | 8 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 35 нс | 47нс | 260 нс | 320 нс | -7,4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,014 Ом | 12 В | 2 P-канала (двойной) | 14 мОм при 9,8 А, 4,5 В | 1 В при 500 мкА | 7,4А | 70 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG441DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 15 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg441dje3-datasheets-4856.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 100 мкА | 13 недель | 665,986997мг | 36В | 13В | 85Ом | 16 | Олово | Нет | 15 мкА | Неинвертирующий | 44В | 900мВт | ДГ441 | 4 | 900мВт | 4 | 16-СОИК | СПСТ | 250 нс | 120 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 4 | 30 мА | 4 | 85Ом | 50Ом | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 4пФ 4пФ | 220 нс, 120 нс | -1ПК | 4 Ом (макс.) | -100 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5933DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5933dct1e3-datasheets-4639.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 1,1 Вт | СИ5933 | 1206-8 ЧипFET™ | 2,7А | 20 В | 1,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 110 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,7А | 7,7 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 110 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ721ДН-Т1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg723dqt1ge3-datasheets-5589.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 2,05 мм | 550 мкм | 2,05 мм | 2мкА | 8 | 6 недель | 50,008559мг | Нет СВХК | 5,5 В | 1,8 В | 4,5 Ом | 8 | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | Нет | 2 | е4 | 842 МВт | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 8 | 1 | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | 2 | 366 МГц | 30 нс | 35 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 4,5 Ом | 47 дБ | 0,3 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 40 нс | 55нс | НЕТ | 1:1 | 1,8 В~5,5 В | СПСТ - НЕТ | 250пА | 8пФ 9пФ | 30 нс, 35 нс | 2,2 ПК | 200 м Ом | -90 дБ @ 10 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7224DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7224dnt1ge3-datasheets-5443.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,3 мм | 1,04 мм | 3,3 мм | 6 | 25 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 23 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7224 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | S-XDSO-C6 | 20 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 17,8 Вт 23 Вт | 6А | 0,035 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 570пФ при 15В | 35 мОм при 6,5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 14,5 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2788ADN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2788adnt1ge4-datasheets-3411.pdf | 16-UFQFN | 12 недель | 2 | 16-миниQFN (1,8х2,6) | 338 МГц | 500мОм | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 100нА | 50 мкс, 1 мкс | -245пК | 50мОм | -61 дБ при 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMA511DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-smma511djt1ge3-datasheets-2383.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | Нет СВХК | 70 | да | EAR99 | Нет | 6,5 Вт | С ИЗГИБ | 6 | 2 | Другие транзисторы | S-XDSO-C6 | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 0,04 Ом | N и P-канал | 400пФ при 6В | 400 мВ | 40 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12 нК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ445БДЖ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 5 мкА | 5,08 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg444bdnt1e4-datasheets-2687.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20,13 мм | 7,62 мм | 1 мкА | 16 | 10 недель | 36В | 13В | 160Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДГ445 | 16 | 1 | НЕ УКАЗАН | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | СПСТ | 300 нс | 200 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 80Ом | 90 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | -95 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9936BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si9936bdyt1ge3-datasheets-2479.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | СИ9936 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 15 нс | 10 нс | 25 нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,035 Ом | 2 N-канала (двойной) | 35 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 13 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ445БДН-Т1-Е4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 5 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg444bdnt1e4-datasheets-2687.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 12 недель | 57,09594 мг | 36В | 13В | 160Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е4 | ПАЛЛАДИЕВОЕ ЗОЛОТО ПО НИКЕЛЮ | 850мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 15 В | 0,65 мм | ДГ445 | 16 | 1 | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 4 | Не квалифицирован | СПСТ | 300 нс | 200 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 80Ом | 90 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | -95 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3442BDV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si3442bdvt1e3-datasheets-3334.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Нет СВХК | 57мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 20мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 35 нс | 50 нс | 15 нс | 20 нс | 3А | 12 В | КРЕМНИЙ | 1,8 В | 860мВт Та | 3А | 20 В | N-канал | 295 пФ при 10 В | 1,8 В | 57 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,8 В @ 250 мкА | 3А Та | 5нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ202БДЖ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 50 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg201bdyt1e3-datasheets-0360.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | Без свинца | 50 мкА | 16 | 12 недель | 1,627801г | Неизвестный | 25 В | 4,5 В | 160Ом | 16 | да | Нет | 4 | 50 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 15 В | ДГ202 | 16 | 1 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 12/+-15 В | СПСТ | 300 нс | 200 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 85Ом | 90 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2303CDS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si2303cdst1ge3-datasheets-4410.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,12 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 190мОм | 3 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 150°С | 4 нс | 37нс | 37 нс | 11 нс | -2,7 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | -3В | 1 Вт Та 2,3 Вт Тс | -30В | P-канал | 155пФ при 15В | -3 В | 190 мОм при 1,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,7 А Тс | 8 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411HSDY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg411hsdnt1e4-datasheets-3972.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 13 недель | 547,485991мг | 44В | 13В | 80Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ411 | 16 | 1 | 40 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | СПСТ | 105 нс | 105 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 35Ом | 91 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 90 нс | Северная Каролина | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 12пФ 12пФ | 105 нс, 80 нс | 22 шт. | -88 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9936BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si9936bdyt1ge3-datasheets-2479.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 186,993455мг | 35мОм | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ9936 | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | 8-СО | 10 нс | 15 нс | 15 нс | 25 нс | 6А | 20 В | 30В | 1,1 Вт | 35мОм | 30В | 2 N-канала (двойной) | 35 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,5 А | 13 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | 35 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ407БДН-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 30 мкА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-dg406bdnt1e3-datasheets-9186.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 12,57 мм | 3,69 мм | 12,57 мм | 15 В | 500 мкА | 28 | 12 недель | 1,182714г | 36В | 7,5 В | 100Ом | 28 | да | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 450мВт | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 15 В | ДГ407 | 28 | 8 | 40 | 450мВт | 2 | Не квалифицирован | 125 нс | 94 нс | 20 В | Мультиплексор | 148 нс | Двойной, Одинарный | 5В | -15В | 16 | 60Ом | 86 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 0,03 А | 8:1 | 500пА | 6пФ 54пФ | 107 нс, 88 нс | 11 шт. | 3 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1001P-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1001p2-datasheets-6118.pdf | Без свинца | 14 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 4 | 14-ДИП | 110пФ | 830 мА | 20 В | 30В | 2 Вт | 1,75 Ом | 4 N-канала | 110пФ при 15В | 1,75 Ом при 200 мА, 5 В | 2,5 В при 1 мА | 830 мА | Ворота логического уровня | 1,75 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ2012ДЛ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 10нА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 1 мкА | 6 | Нет СВХК | 5,5 В | 1,8 В | 1,8 Ом | 6 | да | Олово | Нет | 1 | 10нА | е3 | Неинвертирующий | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2В | ГД2012 | 6 | 1 | 40 | 250 мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 63 нс | 45 нс | Одинокий | 2 | 100 мА | 1 | 1,8 Ом | 1 Ом | 63 дБ | 0,25 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 500пА | 20пФ | 38нс, 32нс | 20 шт. | 250 м Ом (макс.) | -64 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8497DB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8497dbt2e1-datasheets-7015.pdf | 6-УФБГА | 21 неделя | 6 | Нет | 1 | Одинокий | 6 микрофутов | 1,32 нФ | 50 нс | 10 нс | 22 нс | 75 нс | 13А | 12 В | 30В | 2,77 Вт Ta 13 Вт Tc | 53мОм | P-канал | 1320пФ при 15В | 53 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 13А Тк | 49 нК при 10 В | 53 мОм | 2В 4,5В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG1413EQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg1413ent1ge4-datasheets-3369.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | Без свинца | 1 мкА | 16 | 172,98879мг | Неизвестный | 24В | 4,5 В | 1,8 Ом | 16 | Нет | 4 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | ДГ1413 | 1 | 210 МГц | 150 нс | 120 нс | 16,5 В | 15 В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -5В | 4 | 1,8 Ом | 80 дБ | 0,08 Ом | 380 нс | 510 нс | 4,5 В~24 В ±4,5 В~15 В | 1:1 | SPST - НО/НЗ | 550пА | 11пФ 24пФ | 150 нс, 120 нс | -20пК | 80 м Ом | -100 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИШ114АДН-Т1-ГЕ3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sish114adnt1ge3-datasheets-7794.pdf | PowerPAK® 1212-8SH | 14 недель | PowerPAK® 1212-8SH | 30В | 3,7 Вт Та 39 Вт Тс | N-канал | 1230пФ при 15В | 7,5 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 18А Та 35А Тс | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
