Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное напряжение питания-номинальное (Vsup) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Количество входов | Выход | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном режиме Match-Nom | Переключение | Время выключения-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Схема переключателя | Напряжение питания, двойное (В±) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7113ADN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si7113adnt1ge3-datasheets-3802.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 1,17 мм | 5 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 3,5 Вт | 1 | 150°С | С-ПДСО-Ф5 | 10 нс | 20 нс | -3,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 27,8 Вт Тс | 20А | -100В | P-канал | 515пФ при 50В | 132 мОм при 3,8 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 10,8 А Тс | 16,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ201БДИ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 50 мкА | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-dg201bdyt1e3-datasheets-0360.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 50 мкА | 16 | 13 недель | 665,986997мг | Неизвестный | 25 В | 4,5 В | 160Ом | 16 | да | Нет | 4 | 100 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | Инвертирование | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ201 | 16 | 1 | 40 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 12/+-15 В | СПСТ | 300 нс | 200 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -15В | 30 мА | 4 | 85Ом | 45Ом | 90 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2316DS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si2316dst1e3-datasheets-5080.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,02 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 1,437803г | Неизвестный | 50мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | 2А | е3 | Матовый олово (Sn) | 30 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 700мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 9нс | 9 нс | 14 нс | 3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700мВт Та | N-канал | 215пФ при 15В | 800 мВ | 50 мОм при 3,4 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА (мин) | 2,9А Та | 7 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411HSDJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg411hsdnt1e4-datasheets-3972.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 1 мкА | 16 | 12 недель | 1,627801г | 44В | 13В | 80Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 470мВт | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДГ411 | 16 | 1 | НЕ УКАЗАН | Мультиплексор или коммутаторы | 4 | Не квалифицирован | СПСТ | 105 нс | 105 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 35Ом | 91 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 90 нс | Северная Каролина | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 12пФ 12пФ | 105 нс, 80 нс | 22 шт. | -88 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4966DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si4966dyt1ge3-datasheets-2310.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 25мОм | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4966 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Не квалифицирован | 40 нс | 40 нс | 40 нс | 90 нс | 7.1А | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 600 мВ | 25 мОм при 7,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 50 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG419LDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | БИКМОС | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg419ldqt1e3-datasheets-6551.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | 3 мм | 850 мкм | 3 мм | Без свинца | 1 мкА | 8 | 139,989945мг | Неизвестный | 12 В | 2,7 В | 20Ом | 8 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | Нет | 1 | 20нА | е3 | Матовый олово (Sn) | 5В | 320мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | ДГ419 | 8 | 1 | 40 | 320мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 41 нс | 32 нс | 6В | Двойной, Одинарный | 3В | -5В | 2 | 1 | 20Ом | 35Ом | 71 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 33нс | 44нс | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 2:1 | SPDT | 1нА | 5пФ | 43нс, 31нс | 1 шт. | -71 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1001P | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-vq1001p2-datasheets-6118.pdf | КРИС | 15 недель | 1.200007г | 14 | Нет | 2 Вт | 4 | 1,3 Вт | 14-ДИП | 110пФ | 830 мА | 20 В | 30 В | 2 Вт | 1Ом | 30 В | 4 N-канала | 110пФ при 15В | 1,75 Ом при 200 мА, 5 В | 2,5 В при 1 мА | 830 мА | Ворота логического уровня | 1,75 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ405ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg405dy-datasheets-7457.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | нет | неизвестный | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 16 | Мультиплексор или коммутаторы | 5+-15В | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 45Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 150 нс | НЕТ | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 500пА | 12пФ 12пФ | 150 нс, 100 нс | 60ПК | -90 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRA16DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir662dpt1ge3-datasheets-0190.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | 3,9 Вт | НЕ УКАЗАН | СИРА16 | НЕ УКАЗАН | 16А | 30 В | N-канал | 2060пФ при 15В | 6,8 мОм при 15 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 16А Та | 47 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20В, -16В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ412ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/vishaysiliconix-dg413dj-datasheets-7502.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Содержит свинец | 1 мкА | 16 | 665,986997мг | Нет СВХК | 36В | 13В | 35Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 16 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 35Ом | 25 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 250 нс | НЕТ | 5В~44В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 250пА | 9пФ 9пФ | 175 нс, 145 нс | 5 шт. | -85 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИШ101ДН-Т1-ГЕ3 | Вишай Силиконикс | 0,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sish101dnt1ge3-datasheets-7796.pdf | PowerPAK® 1212-8SH | 14 недель | PowerPAK® 1212-8SH | 30 В | 3,7 Вт Та 52 Вт Тс | P-канал | 3595пФ при 15 В | 7,2 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16,9 А Та 35 А Тс | 102 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ411ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/vishaysiliconix-dg413dj-datasheets-7502.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 8 недель | 665,986997мг | 36В | 13В | 35Ом | 16 | нет | Свинец, Олово | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 16 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 30 мА | 4 | 35Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 250 нс | Северная Каролина | 5В~44В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 9пФ 9пФ | 175 нс, 145 нс | 5 шт. | -85 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4447DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysiliconix-si4447dyt1e3-datasheets-8864.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 54мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 8 нс | 12нс | 12 нс | 74 нс | -4,5 А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | -2,2 В | 1,1 Вт Та | 3,3А | 30А | -40В | P-канал | 805пФ при 20 В | 72 мОм при 4,5 А, 15 В | 2,2 В @ 250 мкА | 3.3А Та | 14 нК при 4,5 В | 15В 10В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ200БДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg200bdje3-datasheets-2765.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,3 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | 50 мкА | 14 | 8 недель | 1,620005г | Неизвестный | 36В | 13В | 85Ом | 14 | нет | Нет | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 470мВт | 15 В | 14 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 1 мкс | 425 нс | 22В | 15 В | Двойной | 7В | -15В | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 70Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 1000 нс | Северная Каролина | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 2нА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9014TRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-irfr9014trpbf-datasheets-0184.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 1,437803г | 500мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 63нс | 31 нс | 9,6 нс | 5.1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | 20А | -60В | P-канал | 270пФ при 25В | 500 мОм при 3,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5.1А Тс | 12 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ202БАК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-dg201bdyt1e3-datasheets-0360.pdf | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 50 мкА | 15 недель | 25 В | 4,5 В | 85Ом | 16 | Нет | 900мВт | 4 | 16-ЦЕРДИП | 300 нс | 200 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | 85Ом | 85Ом | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2Ом | -95 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР826ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sir826dpt1ge3-datasheets-1559.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 6,25 Вт | 1 | ПауэрПАК® СО-8 | 2,9 нФ | 15 нс | 14 нс | 8 нс | 36 нс | 60А | 20 В | 80В | 1,2 В | 6,25 Вт Та 104 Вт Тс | 4мОм | N-канал | 2900пФ при 40В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 60А Тс | 90 нК при 10 В | 4,8 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ213ДИ-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg213dy-datasheets-7631.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 547,485991мг | 40В | 3В | 60Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Оловянный свинец | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 15 В | 1,27 мм | 16 | 1 | 30 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 512/+-15В | 130 нс | 100 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 3В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 60Ом | 90 дБ | 1Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 3В~40В ±3В~22В | 1:1 | SPST - НО/НЗ | 500пА | 5пФ 5пФ | 130 нс, 100 нс | 1 шт. | 1 Ом | -95 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ640СПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-irf640spbf-datasheets-2368.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 180мОм | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 1 | Одинокий | 40 | 130 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 51 нс | 36 нс | 45 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 3,1 Вт Ta 130 Вт Tc | 72А | 580 мДж | 200В | N-канал | 1300пФ при 25В | 4 В | 180 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 18А Тк | 70 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ300БДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg303bdye3-datasheets-5523.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,3 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | 1 мА | 1,620005г | 36В | 13В | 50Ом | 14 | нет | Нет | 470мВт | 14 | 470мВт | 150 нс | 130 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 2 | 50Ом | 50Ом | 1:1 | СПСТ - НЕТ | ±15 В | 5нА | 14пФ 14пФ | 150 нс, 130 нс (тип.) | 8 шт. | -74 дБ при 500 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUP50020EL-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup50020elge3-datasheets-3779.pdf | ТО-220-3 | 3 | 14 недель | EAR99 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 120А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 375 Вт Тс | ТО-220АБ | 300А | 0,0023Ом | 281 мДж | N-канал | 11113пФ при 30 В | 2,3 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 120А Тс | 126 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ302БДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg303bdye3-datasheets-5523.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,3 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | 1 мА | 1,620005г | 36В | 13В | 50Ом | 14 | нет | неизвестный | 470мВт | 14 | 470мВт | 2 | 150 нс | 130 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 4 | 50Ом | 50Ом | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 1нА | 14пФ 14пФ | 300 нс, 250 нс | 8 шт. | -74 дБ при 500 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ486EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj486ept1ge3-datasheets-4622.pdf | 8-PowerTDFN | 4 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 75В | 75В | 56 Вт Тс | 30А | 120А | 0,026Ом | 9 мДж | N-канал | 1386пФ при 15 В | 26 мОм при 51 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 30А Тс | 34 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ308БДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg309bdqt1-datasheets-7732.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 1 мкА | 16 | 8 недель | 1,627801г | Неизвестный | 44В | 4В | 85Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 470мВт | 15 В | 16 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | 200 нс | 150 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 85Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 300 нс | НЕТ | 4В~44В ±4В~22В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 200 нс, 150 нс | 1 шт. | 1,7 Ом | -95 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4874BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4874bdyt1e3-datasheets-5760.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 7мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 нс | 10 нс | 10 нс | 57 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30 В | 30 В | 3В | 1,6 Вт Та | N-канал | 3230пФ при 15 В | 7 мОм при 16 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Та | 25 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ308ADY-T1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg309dy-datasheets-7535.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 15 В | 10 мкА | 16 | 12 недель | 36В | 13В | 100Ом | 16 | нет | Нет | 4 | 1нА | е3 | Матовый олово (Sn) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 1,27 мм | 16 | 1 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 4 | 200 нс | 150 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 100Ом | 78 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 1:1 | СПСТ - НЕТ | ±15 В | 11пФ 8пФ | 200 нс, 150 нс | -10ПК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRA20DP-T1-RE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sira20dpt1re3-datasheets-7583.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 В | 6,25 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 10850пФ при 10В | 0,58 мОм при 20 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 81,7 А Та 100 А Тс | 200 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +16В, -12В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ403BDY-T1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg403bdy-datasheets-7786.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | 500 мкА | 16 | 6 недель | 665,986997мг | 36В | 13В | 45Ом | 16 | нет | неизвестный | 2 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 15 В | 1,27 мм | 16 | 1 | SPDT | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 4 | Не квалифицирован | 150 нс | 100 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 45Ом | 72 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 1:1 | SPST - НО/НЗ | ±15 В | 500пА | 12пФ 12пФ | 150 нс, 100 нс | 60ПК | -94,8 дБ при 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR692DP-T1-RE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТандерФЕТ® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir692dpt1re3-datasheets-8661.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250 В | 104 Вт Тс | N-канал | 1405пФ при 125В | 63 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 24,2 А Тс | 30 нК при 7,5 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ403ДИ-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg405dy-datasheets-7457.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | 1 мкА | 16 | 8 недель | 665,986997мг | 36В | 13В | 45Ом | 16 | нет | неизвестный | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 16 | SPDT | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | 150 нс | 100 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 45Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 5В~34В ±5В~17В | 1:1 | SPST - НО/НЗ | 500пА | 12пФ 12пФ | 150 нс, 100 нс | 60ПК | 3 Ом | -90 дБ @ 1 МГц |
