Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактVishay Siliconix (12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Эксплуатационный ток снабжения | Операционный режим | Тип ввода | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Свободно привести | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Достичь SVHC | Сопротивление | Количество булавок | Количество водителей | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Максимальная диссипация власти | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Базовый номер детали | Подсчет штифтов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Питания | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Время падения (тип) | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | Задержка распространения | DS Breakdown Trastage-Min | Поломное напряжение | Пороговое напряжение | Сила - Макс | Power Dissipation-Max | Jedec-95 код | Выходной предел тока пика | Включите время | Выключить время | Время подъема / падения (тип) | Поставка напряжения1-нома | Высокий боковой драйвер | Тип канала | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Утечь к сопротивлению источника | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток - пик вывода (источник, раковина) | Высокое боковое напряжение - макс (начальная загрузка) | Логическое напряжение - vil, vih | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Напряжение - отсечение (VGS OFF) @ ID | Напряжение - разбивка (v (br) gss) | Ток - дренаж (idss) @ vds (vgs = 0) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | RDS на макс | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU120 | Вишай Силиконикс | $ 0,27 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu120pbf-datasheets-9324.pdf | 100 В | 7.7A | До 251-3 короткие лиды, ipak, до 251AA | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,39 мм | Содержит свинец | 329,988449 мг | 3 | 1 | Одинокий | До 251аа | 360pf | 6,8 нс | 27ns | 17 нс | 18 нс | 7.7A | 20 В | 100 В | 2,5 Вт TA 42W TC | 270mohm | 100 В | N-канал | 360pf @ 25V | 270mohm @ 4,6a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7.7a tc | 16NC @ 10V | 270 МОм | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFZ30 | Вишай Силиконикс | $ 10,01 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz30pbf-datasheets-8746.pdf | До 220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | 6.000006G | 3 | Нет | 1 | Одинокий | До-220AB | 1,6NF | 12 нс | 16ns | 16 нс | 23 нс | 30A | 20 В | 50 В | 74W TC | 45 мох | 50 В | N-канал | 1600pf @ 25v | 50mohm @ 16a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30A TC | 30NC @ 10V | 50 МОм | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irlz44strr | Вишай Силиконикс | $ 1,42 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 175 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2017 | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,02 мм | 1.437803G | 1 | Одинокий | D2Pak | 3.3nf | 17 нс | 230ns | 110 нс | 42 нс | 50а | 10 В | 60 В | 3,7 Вт TA 150W TC | 28 мом | 60 В | N-канал | 3300PF @ 25V | 28mohm @ 31a, 5v | 2 В @ 250 мкА | 50A TC | 66NC @ 5V | 28 МОм | 4 В 5 В. | ± 10 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBC20S | Вишай Силиконикс | $ 1,32 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbc20strlpbf-datasheets-2593.pdf | 600 В. | 2.2a | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 1.437803G | 3 | 1 | Одинокий | D2Pak | 350pf | 10 нс | 23ns | 25 нс | 30 нс | 2.2a | 20 В | 600 В. | 3,1 Вт TA 50W TC | 4,4 Ом | N-канал | 350pf @ 25V | 4,4om @ 1.3a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2.2A TC | 18NC @ 10V | 4,4 Ом | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFB9N30A | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbb9n30apbf-datasheets-8916.pdf | 300 В. | 9.3a | До 220-3 | Содержит свинец | До-220AB | 920pf | 25NS | 9.3a | 300 В. | 96W TC | N-канал | 920pf @ 25V | 450MOM @ 5.6a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 9.3a tc | 33NC @ 10V | 450 МОм | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFIBC40GLC | Вишай Силиконикс | $ 2,26 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfibc40glcpbf-datasheets-2127.pdf | 600 В. | 4а | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 10,6 мм | 9,8 мм | 4,8 мм | Содержит свинец | 6.000006G | 3 | Нет | 1 | Одинокий | До 220-3 | 1.1NF | 12 нс | 20ns | 17 нс | 27 нс | 3.5a | 20 В | 600 В. | 40 Вт TC | 1,2 Ом | 600 В. | N-канал | 1100pf @ 25V | 1,2 Ом @ 2.1a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3.5a tc | 39NC @ 10V | 1,2 Ом | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF520strr | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf520spbf-datasheets-0907.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 9.2a | 100 В | 3,7 Вт TA 60 Вт TC | N-канал | 360pf @ 25V | 270 м ω @ 5,5a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 9.2A TC | 16NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF610strl | Вишай Силиконикс | $ 6,36 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | /files/vishaysiliconix-irf610spbf-datasheets-3266.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1.437803G | 1 | Одинокий | D2Pak | 140pf | 8,2 нс | 17ns | 8,9 нс | 14 нс | 3.3a | 20 В | 200 В | 3 Вт TA 36W TC | 1,5 Ом | 200 В | N-канал | 140pf @ 25V | 1,5om @ 2a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3.3a tc | 8.2NC @ 10V | 1,5 Ом | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF820ASTRL | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf820alpbf-datasheets-4820.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 2 | неизвестный | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | 3 | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 2.5A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 В. | 500 В. | 50 Вт TC | 10а | 3 Ом | 140 MJ | N-канал | 340pf @ 25V | 3 ω @ 1,5a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 2.5A TC | 17nc @ 10v | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF840Strr | Вишай Силиконикс | $ 0,19 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf840spbf-datasheets-1527.pdf | 500 В. | 8а | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 1.437803G | 3 | 1 | Одинокий | D2Pak | 1.3nf | 14 нс | 23ns | 20 нс | 49 нс | 8а | 20 В | 500 В. | 3,1 Вт TA 125W TC | 850moh | 500 В. | N-канал | 1300pf @ 25v | 850MOM @ 4,8a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8A TC | 63NC @ 10V | 850 МОм | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF730strl | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf730spbf-datasheets-3742.pdf | 400 В. | 5,5а | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | Содержит свинец | 3 | Одинокий | 3,1 Вт | D2Pak | 700pf | 15NS | 14 нс | 38 нс | 5,5а | 20 В | 400 В. | 3,1 Вт TA 74W TC | 1 Ом | 400 В. | N-канал | 700pf @ 25v | 1om @ 3,3а, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5.5A TC | 38NC @ 10V | 1 Ом | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBC30STRR | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbc30strlpbf-datasheets-6482.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | D2Pak | 660pf | 3.6a | 600 В. | 3,1 Вт TA 74W TC | N-канал | 660pf @ 25V | 2,2 Ом @ 2,2A, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3.6a tc | 31NC @ 10V | 2,2 Ом | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9530Strr | Вишай Силиконикс | $ 0,44 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 175 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1.437803G | 1 | Одинокий | D2Pak | 860pf | 12 нс | 52ns | 39 нс | 31 нс | 12A | 20 В | 100 В | 3,7 Вт TA 88W TC | 300 мох | -100 В. | P-канал | 860pf @ 25V | 300mohm @ 7.2a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12A TC | 38NC @ 10V | 300 МОм | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6463BDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trenchfet® | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2006 | /files/vishaysiliconix-si6463bdqt1ge3-datasheets-2888.pdf | 8-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | Свободно привести | Неизвестный | 8 | да | Ear99 | Нет | 1,05 Вт | 8 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | 35 нс | 40ns | 40 нс | 190 нс | -7.4a | 8 В | 20 В | -800 мВ | -20v | P-канал | 15m ω @ 7,4a, 4,5 В | 800 мВ @ 250 мкА | 6.2a ta | 60NC @ 5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfbc40strl | Вишай Силиконикс | $ 0,28 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbc40spbf-datasheets-1879.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 1.437803G | 1,2 Ом | 3 | 1 | Одинокий | D2Pak | 1.3nf | 13 нс | 18ns | 20 нс | 55 нс | 6,2а | 20 В | 600 В. | 3,1 Вт TA 130W TC | 1,2 Ом | 600 В. | N-канал | 1300pf @ 25v | 1,2 Ом @ 3,7а, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6.2a tc | 60NC @ 10 В. | 1,2 Ом | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFL214TR | Вишай Силиконикс | $ 0,12 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfl214trpbf-datasheets-2472.pdf | 250 В. | 790 мА | До 261-4, до 261AA | Содержит свинец | 4 | SOT-223 | 140pf | 7 нс | 7,6NS | 7 нс | 16 нс | 790 мА | 20 В | 250 В. | 2 Вт TA 3.1W TC | 2 Ом | N-канал | 140pf @ 25V | 2om @ 470ma, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 790ma tc | 8.2NC @ 10V | 2 Ом | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR310TRL | Вишай Силиконикс | $ 0,53 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr310trpbf-datasheets-0789.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 1.437803G | 3 | 1 | Одинокий | D-PAK | 170pf | 7,9 нс | 9.9ns | 11 нс | 21 нс | 1.7a | 20 В | 400 В. | 2,5 Вт TA 25W TC | 3,6 Ом | 400 В. | N-канал | 170pf @ 25v | 3,6 Ом @ 1A, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1.7a tc | 12NC @ 10V | 3,6 Ом | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFS11N50ATRL | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfs11n50atrlp-datasheets-5178.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1.437803G | 3 | 1 | Одинокий | D2Pak | 1.423nf | 14 нс | 35NS | 28 нс | 32 нс | 11A | 30 В | 500 В. | 170 Вт TC | 520 мох | N-канал | 1423pf @ 25V | 520mohm @ 6,6a, 10v | 4 В @ 250 мкА | 11a tc | 52NC @ 10V | 520 МОм | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFU010 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu010-datasheets-4685.pdf | 50 В | 8.2a | До 251-3 короткие лиды, ipak, до 251AA | Содержит свинец | 8.2a | 25 Вт TC | N-канал | 250pf @ 25V | 200 м ω @ 4,2а, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8.2A TC | 10NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFZ24L | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz24s-datasheets-0641.pdf | До 262-3 Long Hads, i2pak, до 262AA | До 262-3 | 640pf | 17а | 60 В | 3,7 Вт TA 60 Вт TC | N-канал | 640pf @ 25V | 100mohm @ 10a, 10v | 4 В @ 250 мкА | 17a tc | 25NC @ 10V | 100 МОм | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP41104DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 125 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 1 МГц | 3,5 мА | Не инвертинг | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2011 год | /files/vishaysiliconix-sip41104dyt1e3-datasheets-5421.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,5 мА | 8 | 8 | 2 | да | Ear99 | Нет | 1 | E3 | Матовая олова | 770 МВт | 4,5 В ~ 5,5 В. | Двойной | Крыло Печата | 260 | 5 В | SIP41104 | 8 | 40 | 770 МВт | Драйверы МОСФЕТА | 5 В | 1,5а | 30 нс | 55NS | 45 нс | 30 нс | 1,5а | 0,055 мкс | 0,03 мкс | 32NS 36NS | 5 В | ДА | Синхронно | Полу моста | N-канальный MOSFET | 900 мА 1.1A | 50 В | 0,5 В 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3103D1Strr | Вишай Силиконикс | $ 9,40 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Fetky ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 3,1 Вт | 64а | 30 В | N-канал | 1900pf @ 25v | 14m ω @ 34a, 10 В | 1 В @ 250 мкА | 64A TC | 43NC @ 4,5 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2n4118a | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | 175 ° C. | -55 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2009 | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | 50 мА | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN | 10 недель | 4 | Нет | 300 МВт | Одинокий | 300 МВт | TO-206AF (TO-72) | 3PF | -40V | -40V | 300 МВт | 7 кум | N-канал | 3pf @ 10 В. | 1V @ 1NA | 40 В | 80 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL540L | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | 175 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | Не совместимый с ROHS | До 262-3 Long Hads, i2pak, до 262AA | 10,54 мм | 8,76 мм | 4,7 мм | 3 | 6.000006G | Ear99 | Совместимый с логическим уровнем, высокая надежность | 3,7 Вт | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 8,5 нс | 170ns | 80 нс | 35 нс | 28а | 10 В | ОСУШАТЬ | Переключение | До-220AB | 0,077 Ом | 100 В | N-канал | 2200PF @ 25V | 77 м ω @ 17a, 5v | 28A TC | 64NC @ 5V | 4 В 5 В. | ± 10 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2n4856jtxl02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | До 206aa, до 18-3 металла банка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irlz24strl | Вишай Силиконикс | $ 10,48 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irlz24lpbf-datasheets-7621.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 17а | 60 В | 3,7 Вт TA 60 Вт TC | N-канал | 870pf @ 25V | 100 м ω @ 10a, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 17a tc | 18NC @ 5V | 4 В 5 В. | ± 10 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5115 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2004 | /files/vishay-2n5115-datasheets-7783.pdf | -50MA | До 206aa, до 18-3 металла банка | 3 | Одинокий | До 206AA (до 18) | -60ma | 30 В | 30 В | 100ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL530Strl | Вишай Силиконикс | $ 12,48 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irl530strrpbf-datasheets-7905.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 15A | 100 В | 3,7 Вт TA 88W TC | N-канал | 930pf @ 25V | 160 м ω @ 9a, 5v | 2 В @ 250 мкА | 15a tc | 28NC @ 5V | 4 В 5 В. | ± 10 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5114Jan02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | До 206aa, до 18-3 металла банка | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfiz46g | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 50 В | N-канал |
