GeneSiC Полупроводник

ГенеСиК Полупроводник(3996)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree Количество контактов Ориентация ECCN-код Дополнительная функция Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) Код HTS Контактное сопротивление Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Подкатегория Код JESD-30 Подача Прямой ток Прямое напряжение Максимальный импульсный ток Непрерывный ток стока (ID) Максимальный обратный ток утечки Конфигурация Соединение корпуса Полярность/Тип канала Напряжение стока к источнику (Vdss) Приложение Естественное термическое сопротивление Скорость Материал диодного элемента Рассеиваемая мощность-Макс. Пиковый обратный ток Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) Обратное напряжение Обратный ток-Макс. Обратное время восстановления Время восстановления Тип диода Макс. обратное напряжение (постоянный ток) Средний выпрямленный ток Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. Количество фаз Выходной ток-Макс. Емкость @ Вр, Ф Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Ток – обратная утечка @ Vr Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Рабочая температура - соединение Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
1N6097R 1N6097R GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке Масса 1 (без ограничений) 150°С -65°С Соответствует RoHS 2010 год ДО-203АБ, ДО-5, шпилька 1 10 недель ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) да ВЕРХНИЙ НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ 1N6097R 1 О-МУПМ-Д1 50А 400А 1 мкА ОДИНОКИЙ АНОД ВЛАСТЬ 1 °С/Вт Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 30В Шоттки, Обратная полярность 30В 50А 1 5 мА при 30 В 700 мВ при 50 А -65°К~150°К
MBR6030 МБР6030 GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке Масса 1 (без ограничений) 150°С -65°С Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbr6030-datasheets-2476.pdf ДО-203АБ, ДО-5, шпилька 1 10 недель Нет СВХК ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) да ВЕРХНИЙ НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ НЕ УКАЗАН Одинокий НЕ УКАЗАН 1 О-МУПМ-Д1 60А 650 мВ 700А 1 мкА КАТОД ВЛАСТЬ 1 °С/Вт Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 30В Шоттки 30В 60А 1 5 мА при 20 В 650 мВ при 60 А -65°К~150°К
S400Q S400Q GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке Масса 1 (без ограничений) 105°С -40°С Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s400q-datasheets-4002.pdf ДО-205АБ, ДО-9, шпилька 6 недель ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) да 6 Прямой EAR99 8541.10.00.80 1 Выпрямительные диоды 5,03 мм 400А 8,64 кА ОДИНОКИЙ 0,14 °С/Вт Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 10 мкА 1,2 кВ 1,2 кВ Стандартный 1,2 кВ 400А 1200В 10 мкА при 50 В 1,2 В при 400 А -60°К~200°К
150K60A 150К60А GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2013 год /files/genesicemiconductor-150k60a-datasheets-4634.pdf ДО-205АА, ДО-8, Шпилька 1 6 недель ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) да ВЕРХНИЙ СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ НЕ УКАЗАН 150К60 200°С НЕ УКАЗАН 1 О-МУПМ-H1 ОДИНОКИЙ КАТОД ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ 0,25 °С/Вт Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) КРЕМНИЙ 35000мкА Стандартный 600В 150А 3740А 1 600В 35 мА при 600 В 1,33 В при 150 А -40°К~200°К
1N3297A 1N3297A GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n3297a-datasheets-4671.pdf ДО-205АА, ДО-8, Шпилька 1 6 недель ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) да ВЕРХНИЙ СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ 1N3297 150°С 1 О-МУПМ-H1 ОДИНОКИЙ КАТОД ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ 0,4 °С/Вт Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) КРЕМНИЙ 7000мкА Стандартный 1,4 кВ 100А 2300А 1 1400В 7 мА при 1400 В 1,5 В при 100 А -40°К~200°К
MURH7040R МУРХ7040Р GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS Д-67 1 6 недель ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) да EAR99 8541.10.00.80 ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 150°С 1 Р-ПУФМ-X1 ОДИНОКИЙ АНОД СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 25 мкА 90 нс Стандартный 400В 70А 1500А 1 400В 25 мкА при 400 В 1,3 В при 70 А -55°К~155°К
GKR130/18 ГКР130/18 GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS ДО-205АА, ДО-8, Шпилька 6 недель ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) да EAR99 8541.10.00.80 150°С 1 Выпрямительные диоды ОДИНОКИЙ Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартная, обратная полярность 1,8 кВ 165А 2500А 1800В 22 мА при 1800 В 1,5 В при 60 А -55°К~150°К
MBRH120100R МБРХ120100Р GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Кабель, крепление на шасси Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) ИДТ 175°С -40°С Соответствует RoHS 2017 год Д-67 1 6 недель 67 ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) да 18 Прямой угол EAR99 250,25кВ 8541.10.00.80 20мОм ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 1 Р-ПУФМ-X1 2,54 мм 120А 2кА 1 мкА ОДИНОКИЙ АНОД ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 100 В Шоттки, Обратная полярность 100 В 120А 1 4 мА при 20 В 840 мВ при 120 А
MBRH20035R МБРХ20035Р GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) 175°С -40°С Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbrh20035r-datasheets-4845.pdf Д-67 1 6 недель 67 ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) да EAR99 8541.10.00.80 ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 1 Р-ПУФМ-X1 200А 3кА 1 мкА ОДИНОКИЙ АНОД ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 35В Шоттки, Обратная полярность 35В 200А 1 5 мА при 20 В 650 мВ при 200 А
MBRH24040 МБРХ24040 GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS Д-67 1 6 недель ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) да EAR99 8541.10.00.80 ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 150°С 1 Р-ПУФМ-X1 240А ОДИНОКИЙ КАТОД ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 40В Шоттки 40В 240А 1 1 мА при 40 В 720 мВ при 240 А -55°К~150°К
MBRH200150R МБРХ200150Р GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbrh200150r-datasheets-5042.pdf Д-67 1 6 недель ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) да ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 150°С 1 Р-ПУФМ-X1 ОДИНОКИЙ АНОД ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 1000 мкА Шоттки, Обратная полярность 200В 200А 3000А 1 200В 1 мА при 200 В 920 мВ при 200 А -55°К~150°К
FR85M05 ФР85М05 GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Шасси, Шпилька Шасси, Крепление на шпильке Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS ДО-203АБ, ДО-5, шпилька 1 10 недель ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) да EAR99 8541.10.00.80 ВЕРХНИЙ НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ 150°С 1 О-МУПМ-Д1 85А 1,369 кА ОДИНОКИЙ КАТОД Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 25 мкА 1кВ 1кВ 500 нс 500 нс Стандартный 1кВ 85А 1 1000В 25 мкА при 100 В 1,3 В при 85 А -40°К~125°К
GKN26/14 ГКН26/14 GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Шасси, Крепление на шпильке Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-gkn2616-datasheets-1131.pdf ДО-203АА, ДО-4, Шпилька 10 недель EAR99 8541.10.00.80 150°С 1 Выпрямительные диоды ОДИНОКИЙ Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) Стандартный 1,4 кВ 25А 375А 1400В 4 мА при 1400 В 1,55 В при 60 А -40°К~180°К
GB05SLT12-220 ГБ05SLT12-220 GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Масса 1 (без ограничений) 175°С -55°С Соответствует RoHS 2015 год ТО-220-2 2 18 недель Нет СВХК 2 EAR99 PD-CASE 8541.10.00.80 42 Вт НЕ УКАЗАН ГБ05SLT12 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 32А 26 мкА КАТОД ЭФФЕКТИВНОСТЬ Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1,2 кВ 0нс 25 нс Карбид кремния Шоттки 1,2 кВ 1 260пФ @ 1В 1МГц 1200В 50 мкА при 1200 В 1,8 В при 2 А -55°К~175°К
MBRH15020L МБРХ15020Л GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbrh15020l-datasheets-2855.pdf Д-67 1 ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 150°С -55°С 1 Р-ПУФМ-X1 ОДИНОКИЙ КАТОД ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 3000мкА Шоттки 20 В 150А 2000А 1 20 В 3 мА при 20 В 580 мВ при 150 А
MBRH15045L МБРХ15045Л GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Крепление на шасси Крепление на шасси Масса 1 (без ограничений) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbrh15045l-datasheets-2910.pdf Д-67 1 EAR99 8541.10.00.80 ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 150°С -55°С 1 Р-ПУФМ-X1 ОДИНОКИЙ КАТОД ВЛАСТЬ Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) КРЕМНИЙ 5000мкА Шоттки 45В 150А 2000А 1 45В 5 мА при 45 В 600 мВ при 150 А
2N7637-GA 2N7637-GA GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~225°C, ТДж Трубка 1 (без ограничений) SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) Не соответствует требованиям RoHS 2013 год ТО-257-3 18 недель Нет СВХК 3 EAR99 Другие транзисторы N-КАНАЛЬНЫЙ 650В 80 Вт Тс 720пФ при 35В 170 мОм при 7 А 7А Тс 165°С
GA05JT01-46 GA05JT01-46 GeneSiC Полупроводник
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~225°C, ТДж Масса 1 (без ограничений) SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-ga05jt0146-datasheets-2708.pdf ТО-46-3 18 недель 3 100 В 20 Вт Тс 240 мОм при 5 А 9А Тц

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.