Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактWeen Semiconductors (2134)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Статус ROHS | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Количество терминаций | Время выполнения завода | Код ECCN | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | HTS -код | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Справочный стандарт | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Базовый номер детали | Подсчет штифтов | Рабочая температура (макс) | Время@Пиковой температуру (я) | Количество элементов | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение | Скорость | Сила - Макс | Диодный элемент материал | Rep PK обратное напряжение-макс | Обратный ток-макс | Jedec-95 код | Время восстановления обратного восстановления | Диод тип | Незащитный PK-обратный ток-ток-макс | Количество этапов | Повторное пиковое обратное напряжение | Запустить тип устройства | Напряжение - Off State | Повторное пиковое напряжение вне штата | Current - On State (It (RMS)) (макс) | Current - Hold (ih) (макс) | Емкость @ vr, f | Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) | Напряжение - триггер затвора (VGT) (макс) | Current - Non Rep. Surge 50, 60 Гц (ITSM) | Ток - затворный триггер (IGT) (макс) | Current - On State (It (av)) (макс) | Тип SCR | Напряжение - на состоянии (VTM) (макс) | Ток - вне штата (макс) | Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) | Current - Collector (IC) (макс) | Тип триака | Ток - обратная утечка @ vr | Напряжение - вперед (vf) (max) @ if | Ток - средний исправление (IO) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Ток - срез коллекционера (макс) | Тип транзистора | DC ток усиление (HFE) (min) @ IC, VCE | Vce saturation (max) @ ib, ic | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYC100W-1200PQ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | EEPP ™ | Через дыру | Непригодный | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weensemyonductors-byc100w1200pq-datasheets-6692.pdf | До-247-2 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | 90ns | Стандартный | 1200 В. | 250 мкА @ 1200 В. | 3,3 В @ 100a | 100А | 175 ° C Макс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYR29-600,127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | До-220-2 | 2 | not_compliant | E3 | Олово (SN) | IEC-134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150 ° C. | 1 | R-PSFM-T2 | ОДИНОКИЙ | Катод | Ультра быстрое мягкое восстановление | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Кремний | 600 В. | 10 мкА | До-220AC | 75NS | Стандартный | 66а | 1 | 600 В. | 10 мкА @ 600V | 1,5 В @ 8a | 8а | 150 ° C Макс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nur460p, 133 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Лента и коробка (TB) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weensemiconductors-nur460pl04u-datasheets-3019.pdf | Do-201ad, осевой | 2 | Низкий ток утечки | not_compliant | E3 | Олово (SN) | IEC-60134 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | Nur460 | 175 ° C. | 1 | O-Palf-W2 | ОДИНОКИЙ | Изолирован | Высокое напряжение ультра быстрого мягкого восстановления мощности | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Кремний | 600 В. | 10 мкА | 75NS | Стандартный | 110a | 1 | 600 В. | 10 мкА @ 600V | 1.05V @ 3A | 4а | 175 ° C Макс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC5-600PQ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | До-220-2 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | 25NS | Стандартный | 600 В. | 10 мкА @ 600V | 3,3 В @ 5a | 5A | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC30-600P, 127 | Ween полупроводники | $ 7,89 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | До-220-2 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | 35NS | Стандартный | 600 В. | 10 мкА @ 600V | 1,8 В @ 30a | 30A | 175 ° C Макс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXPSC06650DJ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 190pf @ 1v 1MHz | 650 В. | 200 мкА @ 650V | 1.7V @ 6a | 6A | 175 ° C Макс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYT79B-600PJ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | 60ns | Стандартный | 600 В. | 10 мкА @ 600V | 1,38 В @ 15a | 15A | 175 ° C Макс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHD13003C, 126 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 150 ° C TJ | Лента и коробка (TB) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | /files/weensemiconductors-phd13003c126-datasheets-4730.pdf | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (сформированные отведения) | Ear99 | 2,1 Вт | 400 В. | 1,5а | 100 мкА | Npn | 5 @ 1a 2v | 1,5 В при 500 мА, 1,5а | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHE13003A, 126 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 150 ° C TJ | Лента и коробка (TB) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | /files/weensemiconductors-phe13003a126-datasheets-3919.pdf | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (сформированные отведения) | Ear99 | 2,1 Вт | 400 В. | 1A | 1MA | Npn | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В @ 250 мА, 750 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDPB760ENX | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV32EB-300PJ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 8 недель | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | 35NS | Стандартный | 300 В. | 20 мкА @ 300 В. | 1,25 В @ 10a | 20А | 175 ° C Макс | 1 пара общий катод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tyn30y-800tq | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-220-3 Изолированная вкладка | 8 недель | 800 В. | 30A | 60 мА | 1V | 350a 385a | 15 мА | 19а | Стандартное восстановление | 1,5 В. | 1MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT234-800D, 127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | Ear99 | not_compliant | E3 | Олово (SN) | 4 квадрантного логического уровня Triac | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OB2051V | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA425X-800BT | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | Железнодорожный | Да с исключениями | /files/weensemiconductors-bta425x800bt-datasheets-1779.pdf | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT138X-600G | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | /files/weensemiconductors-bt138x600g127-datasheets-6686.pdf | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT155W-1400TQ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | - | Через дыру | 150 ° C (TJ) | До 247-3 | До 247-3 | 1,4 кВ | 79 а | 200 мА | 1 V. | 650a, 715a | 50 мА | 50 а | Стандартное восстановление | 1,6 В. | 10 мкА | Ween полупроводники | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA202W-1000ETF | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | - | Поверхностное крепление | 150 ° C (TJ) | До 261-4, до 261AA | SC-73 | Одинокий | 1 кВ | 2 а | 25 мА | 1 V. | 25а, 27,5а | 10 мА | Alericistor - Snubberless | Ween полупроводники | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT150-500R, 127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | До 220-3 | 3 | 8541.30.00.80 | E3 | Олово | IEC-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | R-PSFM-T3 | ОДИНОКИЙ | Анод | До-220AB | 500 В. | Скрипт | 500 В. | 500 В. | 4а | 6ma | 1,5 В. | 35a 38a | 200 мкА | 2.5A | Чувствительные затворы | 1,8 В. | 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT151X-800R, 127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 3 | Ear99 | not_compliant | 8541.30.00.80 | E3 | Олово (SN) | IEC-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | BT151 | 1 | R-PSFM-T3 | ОДИНОКИЙ | До-220AB | 800 В. | Скрипт | 800 В. | 800 В. | 12A | 20 мА | 1,5 В. | 120a 132a | 15 мА | 7,5а | Стандартное восстановление | 1,75 В. | 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT169G-MQP | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 125 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (сформированные отведения) | 600 В. | 800 мА | 5 мА | 800 мВ | 9а 10а | 60 мкА | 500 мА | Чувствительные затворы | 1,7 В. | 100 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCR100-8MR | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 125 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | /files/weensemiconductors-ncr1008mr-datasheets-3971.pdf | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 600 В. | 800 мА | 3MA | 800 мВ | 8а 9а | 100 мкА | 500 мА | Чувствительные затворы | 1,7 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT151-650R, 127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C. | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | /files/weensemiconductors-bt151650r127-datasheets-4313.pdf | До 220-3 | 3 | Ear99 | Высокая надежность | 8541.30.00.80 | IEC-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | BT151 | 1 | R-PSFM-T3 | ОДИНОКИЙ | Анод | До-220AB | 650 В. | Скрипт | 650 В. | 650 В. | 12A | 20 мА | 1,5 В. | 120a 132a | 15 мА | 7,5а | Стандартное восстановление | 1,75 В. | 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT169G/DG, 126 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Лента и коробка (TB) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | /files/weensemiconductors-bt169d116-datasheets-5431.pdf | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (сформированные отведения) | Ear99 | BT169 | Скрипт | 600 В. | 800 мА | 5 мА | 800 мВ | 8а 9а | 200 мкА | 500 мА | Чувствительные затворы | 1,7 В. | 100 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT155W-1200TQ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 150 ° C TJ | Трубка | Непригодный | До 247-3 | Скрипт | 1,2 кВ | 79а | 200 мА | 1V | 650a 715a | 50 мА | 50а | Стандартное восстановление | 1,5 В. | 3MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT258X-600R, 127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 125 ° C. | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 3 | Ear99 | not_compliant | 8541.30.00.80 | E3 | Олово (SN) | IEC-134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | BT258 | 1 | R-PSFM-T3 | ОДИНОКИЙ | 600 В. | Скрипт | 600 В. | 600 В. | 8а | 6ma | 1,5 В. | 75A 82а | 200 мкА | 5A | Чувствительные затворы | 1,6 В. | 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT139B-600,118 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 125 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | /files/weensemiconductors-bt139b600118-datasheets-0954.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 2 | not_compliant | 8541.30.00.80 | E3 | Олово (SN) | IEC-60134 | ДА | Крыло Печата | BT139 | 1 | R-PSSO-G2 | Одинокий | Основной терминал 2 | 4 квадрантного логического уровня Triac | 600 В. | 600 В. | 16A | 45 мА | 1,5 В. | 155a 170a | 35 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT137X-600,127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 125 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 3 | not_compliant | 8541.30.00.80 | E3 | Олово (SN) | IEC-60134 | НЕТ | BT137 | 1 | R-PSFM-T3 | Одинокий | До-220AB | 4 квадрантного логического уровня Triac | 600 В. | 600 В. | 8а | 20 мА | 1,5 В. | 65a 71a | 35 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Z0107NA/DG, 116 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 125 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (сформированные отведения) | Ear99 | Z0107 | Одинокий | 4 квадрантного логического уровня Triac | 800 В. | 1A | 10 мА | 1,3 В. | 8a 8.5a | 5 мА | Логика - чувствительные затворы | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT137-800,127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 125 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | /files/weensemiconductors-bt137800127-datasheets-4026.pdf | До 220-3 | 3 | 8541.30.00.80 | IEC-60134 | НЕТ | BT137 | 1 | R-PSFM-T3 | Одинокий | Основной терминал 2 | До-220AB | 4 квадрантного логического уровня Triac | 800 В. | 800 В. | 8а | 20 мА | 1,5 В. | 65a 71a | 35 мА | Стандартный |
