Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Оценочный комплект | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Семья | Тип логической микросхемы | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Скорость | Задержка распространения | Функция | Архитектура | Частота (макс.) | Количество выходов | Рабочий цикл | Выход | Организация | Количество макроячеек | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | fмакс-мин | Выходная функция | Same Edge Skew-Max (tskwd) | Вход | ФАПЧ | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Поставляемый контент | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | Встроенный | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Источник напряжения — внутренний | Делитель/Множитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГАЛ18В10Б-20ЛДЖ | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®18В10 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~75°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 62,5 МГц | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal18v10b20lp-datasheets-9855.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,9662 мм | 8,9662 мм | 5В | Без свинца | 20 | 5,25 В | 4,75 В | 20 | EAR99 | РЕГИСТРАЦИЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЗАГРУЗКИ; СБРОС ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ ПИТАНИЯ | Нет | 8542.39.00.01 | 115 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | ГАЛ18В10 | 20 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 10 | 20 нс | 20 нс | PAL-ТИП | 10 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 7 | 96 | 4,75 В~5,25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5316S-01T64I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тактовый генератор, разветвленное распределение, буфер с нулевой задержкой | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5308s01tn48i-datasheets-0437.pdf | 64-LQFP | 64 | 64 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK53 | 64 | 3,6 В | 3В | 30 | Драйверы часов | 3,3 В | 1 | Не квалифицирован | 267 МГц | eHSTL, HSTL, LVCMOS, LVTTL, SSTL | 267 МГц | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 2:16 | Да/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5620V-01TN100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5610v01tn48c-datasheets-0827.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | Без свинца | 100 | 10 недель | 100 | да | EAR99 | Нет | 1 | 160 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK5620 | 100 | 3,6 В | 3В | 40 | Драйверы часов | 1 | 5600 | ДРАЙВЕР ТАКТОВ НА ОСНОВЕ ФАПЧ | 320 МГц | 20 | 50 % | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | 0,05 нс | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 2:20 | Да/Да | Да/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HE-DSIB-EVN | Решётчатая полупроводниковая корпорация | $268,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Эталонный дизайн | МахаХО2 | 1 (без ограничений) | 55°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 5В | Без свинца | 8 недель | Параллельный, последовательный | Да | Интерфейс моста с двумя датчиками | MACHXO2 | USB-интерфейс | Совет(ы) | Да, ПЛИС/CPLD | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PAC-POWR1220AT8-HS-EVN | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ispPAC®, MachXO, Геркулес | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-pacpowr1220at8haevn-datasheets-0238.pdf | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | USB | Да | Контроллер ORing/контроллер горячей замены | ispPAC-POWR1220AT8, LCMXO2280 | Плата(ы), кабель(и), блок питания | Да, Другое | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCI-MT64-O4-N1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pcimt64pmu6-datasheets-4608.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-7BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 256-ЛФБГА | 8 недель | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,045 В~1,155 В | 197 | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-6BG381I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 197 | 126 КБ | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300C-5BG400I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 400-LFBGA | 17 мм | 17 мм | Без свинца | 400 | 8 недель | 400 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 335 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40UL640-CM36AI | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 УльтраЛайт™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 35 мкА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40ul640cm36ai-datasheets-2703.pdf | 36-ВФБГА | 1,2 В | Без свинца | 36 | 8 недель | 227,986865мг | 36 | EAR99 | 48 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 7 КБ | 26 | 7 КБ | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80 | 57344 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-9400HC-6SG72I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаXO3D | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | 3 (168 часов) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 72-КФН | 8 недель | совместимый | 2,375 В~3,465 В | 58 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP4K-SG48ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 1,14 В~1,26 В | 39 | 10 КБ | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256E-4TN100I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 10 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 10 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 0Б | 4,2 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP4K-CM36ITR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 36-ВФБГА | 8 недель | 36 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | 26 | 10 КБ | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-5MG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100C-5BG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ЛФБГА | 15 мм | 15 мм | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 279 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 49-УФБГА, ВЛЦП | 3,185 мм | 3,106 мм | Без свинца | 49 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б49 | 38 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900E-6MG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 281 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400E-5MG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б256 | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4MN100I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 74 | СРАМ | 4,2 нс | 74 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-12F-8MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,045 В~1,155 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 1500 КЛБС | 12000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1500 | 589824 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100C-6BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-3BN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 21 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LCMXO1200 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 211 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 211 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400E-6BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 8 недель | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400E-5BG484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 484-ЛФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 384 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400C-5BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 256 | 8 недель | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б256 | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LAE5UM-45F-7BG381E | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-ECP5 | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | 400 МГц | Соответствует ROHS3 | 381-ФБГА | 1,76 мм | 8 недель | 1,04 В~1,155 В | 125°С | 243КБ | 203 | БАРАН | 43,9 КБ | 7 | 44000 | 1990656 | 5500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LAE5U-12F-6BG381E | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-ECP5 | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 381-ФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,04 В~1,155 В | 197 | 12000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 589824 | 1500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP384-SG32TR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | ICE40LP384 | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | 21 | 384 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-1300E-5UWG36ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,576 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 36-УФБГА, ВЛЦП | 2,541 мм | 2,487 мм | 36 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | LCMXO3L-1300 | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б36 | 28 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 |
