Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO3L-9400C-5BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 256 | 8 недель | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б256 | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-4300C-6BG400I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 400-LFBGA | 17 мм | 17 мм | Без свинца | 400 | 8 недель | 400 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 335 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-4300ZC-3SG72C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаXO3D | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 72-КФН | 8 недель | 2,375 В~3,465 В | 58 | 4300 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 538 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400E-6BG400C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 400-LFBGA | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 335 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LM4K-SWG25TR50 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ ЛМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 100°С | -40°С | 100 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40lm4kcm49-datasheets-4108.pdf | 25-XFBGA, WLCSP | 1,2 В | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | ICE40LM4K | 25-ВЛЦП (1,7х1,7) | 10 КБ | 18 | 10 КБ | 3520 | 440 | 81920 | 440 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-85F-7BG756C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 756-ФБГА | Без свинца | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 365 | 468КБ | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-4300ZC-3BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаXO3D | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | 3 (168 часов) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 256-ЛФБГА | 8 недель | совместимый | 2,375 В~3,465 В | 206 | 4300 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 538 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP2K-CM36ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 36-ВФБГА | 8 недель | 36 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | 26 | 10 КБ | 2048 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 256 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP1K-CM81TR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 81-ВФБГА | 4 мм | 4 мм | 1,2 В | 81 | 8 недель | 81 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | 63 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256HC-6SG48I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 40 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-1300E-5MG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-1300 | НЕ УКАЗАН | 206 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP1K-CB81TR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 81-ВФБГА, ЦСПБГА | 5 мм | 5 мм | 81 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | ICE40LP1K | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б81 | 62 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-4MN132I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 23 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 23 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 101 | СРАМ | 4,4 нс | 101 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-4SG32I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 32-UFQFN Открытая площадка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 2,375 В~3,465 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | 21 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LAXP2-8E-5MN132E | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-laxp25e5ftn256e-datasheets-7358.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | LAXP2 | 132 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 29,9 КБ | 86 | 9 КБ | 86 | 435 МГц | 8000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 226304 | 1000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LAE3-17EA-6FTN256E | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-ECP3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 49,4 мА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lae317ea6mg328e-datasheets-7603.pdf | 256-БГА | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | 256 | EAR99 | 375 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛАЭ3-17ЕА | 92КБ | 133 | 87,5 КБ | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 716800 | 2125 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-17EA-7LFN484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 29,8 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-17 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 92КБ | 222 | 87,5 КБ | 222 | 420 МГц | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 716800 | 2125 | 0,335 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-85F-7MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 118 | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-85F-8MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,045 В~1,155 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 10500 КЛБС | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 10500 | 3833856 | 21000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-3TN144I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 21 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf&product=latticesemiconductorcorporation-lcmxo1200c3tn144i-7539579 | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | 21 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 113 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 113 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-1300C-5BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | Без свинца | 8 недель | 256 | 2,375 В~3,465 В | 256-КАБГА (14х14) | 206 | 8 КБ | 1280 | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-85F-7BG381I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | Без свинца | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 205 | 468КБ | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-85F-7BG554I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 554-ФБГА | Без свинца | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 259 | 468КБ | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-6LFTN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 133 | 165,9 КБ | 133 | 375 МГц | 33000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,379 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-7LFTN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 133 | 165,9 КБ | 133 | 133 | 420 МГц | 33000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,335 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-4BN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 21 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 21 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LCMXO1200 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 211 | СРАМ | 4,4 нс | 211 | 211 | 420 МГц | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||
| LFE5U-45F-7BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 256-ЛФБГА | 8 недель | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,045 В~1,155 В | 197 | 44000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1990656 | 11000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HE-5FTG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 128 мкА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 206 | 207 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400C-5BG484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 484-ЛФБГА | 484 | 8 недель | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | ДА | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б484 | 384 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-9400HC-6SG72C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаXO3D | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 72-КФН | 8 недель | 2,375 В~3,465 В | 58 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 |
