Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактРешетка полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Эксплуатационный ток снабжения | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Базовый номер детали | Подсчет штифтов | Время@Пиковой температуру (я) | Подкатегория | Питания | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Номер в/вывода | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Задержка распространения | Количество выходов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроэлементов | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (лаборатории) | Программируемый логический тип | Количество логических ячеек | Количество CLBS | Количество выделенных входов | Всего битов RAM | Количество лабораторий/CLBS | Комбинаторная задержка CLB-MAX |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFE2-12SE-6F484I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-BBGA | 23 мм | 23 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 484 | 484 | нет | Ear99 | 320 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2-12 | 484 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 30,6 КБ | 297 | 27,6 КБ | 297 | 12000 | Полевой программируемый массив ворот | 226304 | 1500 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200E-3T144C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 18ma | 1,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 144 | 144 | нет | Ear99 | 500 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 18ma | E0 | Олово/свинец (SN85PB15) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 225 | 1,2 В. | 0,5 мм | LCMXO1200 | 144 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 113 | Шрам | 5,1 нс | 113 | 600 | Макроселл | 1200 | Flash Pld | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4M132I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 17ma | 1,35 мм | Не совместимый с ROHS | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-LFBGA, CSPBGA | 8 мм | 8 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 132 | 132 | нет | Ear99 | Он также может работать при 2,5 В и 3,3 В | 550 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 17ma | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,8 В. | 0,5 мм | LCMXO640 | 132 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 101 | Шрам | 4,2 нс | 101 | 320 | Макроселл | 640 | Flash Pld | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||
| LFE2-20SE-7F484C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-BBGA | 23 мм | 23 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 484 | 484 | нет | Ear99 | 420 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2-20 | 484 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 39,8 КБ | 331 | 34,5 КБ | 331 | 21000 | Полевой программируемый массив ворот | 20000 | 282624 | 2625 | 0,304 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-35E-6F672C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-BBGA | 27 мм | 27 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 672 | 672 | нет | Ear99 | 357 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2-35 | 672 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 49,5 КБ | 450 | 41,5 КБ | 450 | 32000 | Полевой программируемый массив ворот | 35000 | 339968 | 4000 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-6E-6T144C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 144 | 144 | нет | Ear99 | 357 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN85PB15) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 225 | 1,2 В. | 0,5 мм | LFE2-6 | 144 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 90 | 6,9 КБ | 90 | 6000 | Полевой программируемый массив ворот | 56320 | 750 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-20SE-6F672C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-BBGA | 27 мм | 27 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 672 | 672 | нет | Ear99 | 357 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2-20 | 672 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 39,8 КБ | 402 | 34,5 КБ | 402 | 21000 | Полевой программируемый массив ворот | 20000 | 282624 | 2625 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-70SE-6F900C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-BBGA | 31 мм | 31 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 900 | 900 | нет | Ear99 | 357 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2-70 | 900 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 146 КБ | 583 | 129 КБ | 583 | 68000 | Полевой программируемый массив ворот | 70000 | 1056768 | 8500 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M100SE-7F1152C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2M | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 1152-BBGA | 35 мм | 35 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 1152 | нет | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Оловянный свинец | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2M100 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 688,8 КБ | 520 | 663,5 КБ | 520 | 420 МГц | 95000 | Полевой программируемый массив ворот | 100000 | 5435392 | 11875 | 0,304 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35E-5F256C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2M | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не совместимый с ROHS | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-BGA | 17 мм | 17 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 256 | 256 | нет | Ear99 | 311 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2M35 | 256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 271,5 КБ | 140 | 262,6 КБ | 140 | 34000 | Полевой программируемый массив ворот | 35000 | 2151424 | 4250 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35SE-7F672C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2M | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-BBGA | 27 мм | 27 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 672 | 672 | нет | Ear99 | 320 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2M35 | 672 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 271,5 КБ | 410 | 262,6 КБ | 410 | 34000 | Полевой программируемый массив ворот | 35000 | 2151424 | 4250 | 0,304 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50SE-7F900C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2M | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 85 ° C. | 0 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-BBGA | 1,2 В. | Свободно привести | 900 | 1,14 В ~ 1,26 В. | LFE2M50 | 900-FPBGA (31x31) | 531 КБ | 410 | 518,4KB | 48000 | 6000 | 4246528 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50SE-5F672I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2M | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-BBGA | 27 мм | 27 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 672 | 672 | нет | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2M50 | 672 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 531 КБ | 372 | 518,4KB | 372 | 311 МГц | 48000 | Полевой программируемый массив ворот | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-6FF1152C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | В | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 3,5 мм | Не совместимый с ROHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BBGA | 35 мм | 35 мм | 1152 | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В. | 1 мм | LFSC3GA115 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,21,2/3.32,5 В. | Не квалифицирован | 660 | 975 КБ | 660 | 1000 МГц | 115000 | Полевой программируемый массив ворот | 424 | 7987200 | 28750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-5ff1152i | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | В | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 3,5 мм | Не совместимый с ROHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BBGA | 35 мм | 35 мм | 1152 | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В. | 1 мм | LFSC3GA115 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,21,2/3.32,5 В. | Не квалифицирован | 660 | 975 КБ | 660 | 1000 МГц | 115000 | Полевой программируемый массив ворот | 424 | 7987200 | 28750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA80E-6FF1704C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | В | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 3,25 мм | Не совместимый с ROHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | 1704 | Ear99 | Нет | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В. | 1 мм | LFSC3GA80 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,21,2/3.32,5 В. | 904 | 693 КБ | 904 | 1000 МГц | 80000 | Полевой программируемый массив ворот | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-70SE-7F900C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-BBGA | 31 мм | 31 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 900 | 900 | нет | Ear99 | 420 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2-70 | 900 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 146 КБ | 583 | 129 КБ | 583 | 68000 | Полевой программируемый массив ворот | 70000 | 1056768 | 8500 | 0,304 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA40E-6FFA1020C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | В | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | Не совместимый с ROHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-BBGA, FCBGA | Свободно привести | 1020 | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | LFSC3GA40 | 562 | 497,5 КБ | 40000 | 4075520 | 10000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-5FFA1020C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SCM | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | Не совместимый с ROHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-BBGA, FCBGA | Свободно привести | 1020 | Ear99 | Нет | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | LFSCM3GA40 | 562 | 486 КБ | 40000 | 4075520 | 10000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA80EP1-6FF1704C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SCM | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 3,25 мм | Не совместимый с ROHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | 1704 | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В. | 1 мм | LFSCM3GA80 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,21,2/3.32,5 В. | Не квалифицирован | 904 | 710 КБ | 904 | 1000 МГц | 80000 | Полевой программируемый массив ворот | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15E-4F256I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,1 мм | Не совместимый с ROHS | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-BGA | 17 мм | 17 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 256 | 256 | нет | Ear99 | 360 МГц | not_compliant | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFXP15 | 256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 48,1 КБ | 188 | 40,5 КБ | 188 | 1932 CLBS | 4 | 15000 | 1875 | Полевой программируемый массив ворот | 1932 | 1932 | 331776 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFXP15E-3F484C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 484-BBGA | 23 мм | 23 мм | 1,2 В. | 484 | 484 | нет | Ear99 | 320 МГц | not_compliant | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFXP15 | 484 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 48,1 КБ | 300 | 40,5 КБ | 300 | 1932 CLBS | 4 | 15000 | 1875 | Полевой программируемый массив ворот | 1932 | 1932 | 331776 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||
| LFXP20C-4F256C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,1 мм | Не совместимый с ROHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-BGA | 17 мм | 17 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 256 | 256 | нет | Ear99 | 360 МГц | not_compliant | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В. | 1 мм | LFXP20 | 256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,8/2,5/3,3 В. | Не квалифицирован | 59,4 КБ | 188 | 49,5 КБ | 188 | 4 | 20000 | 2500 | Полевой программируемый массив ворот | 405504 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-5E-6FT256C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 85 ° C. | 0 ° C. | Не совместимый с ROHS | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfc2pevn-datasheets-7997.pdf | 256-lbga | 1,2 В. | Свободно привести | 256 | 1,14 В ~ 1,26 В. | LFXP2-5 | 256-ftbga (17x17) | 22 КБ | 172 | 20,8 КБ | 5000 | 625 | 169984 | 625 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP3E-3T144I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 1,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 144-LQFP | 1,2 В. | Свободно привести | 144 | 144 | нет | Ear99 | 320 МГц | not_compliant | E0 | Олово/свинец (SN85PB15) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 225 | 1,2 В. | 0,5 мм | LFXP3 | 144 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 8,3 КБ | 100 | 6,8 КБ | 100 | 384 CLBS | 2 | 3000 | 375 | Полевой программируемый массив ворот | 384 | 384 | 55296 | 0,63 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFXP6E-4F256I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | Не совместимый с ROHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-BGA | 17 мм | 17 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 256 | 256 | нет | Ear99 | 360 МГц | not_compliant | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFXP6 | 256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 11,9 КБ | 188 | 9 КБ | 188 | 2 | 6000 | 750 | Полевой программируемый массив ворот | 720 | 720 | 73728 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFXP6C-3F256C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,1 мм | Не совместимый с ROHS | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-BGA | 17 мм | 17 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 256 | 256 | нет | Ear99 | 320 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В. | 1 мм | LFXP6 | 256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,8/2,5/3,3 В. | Не квалифицирован | 11,9 КБ | 188 | 9 КБ | 188 | 720 CLBS | 6000 | 750 | Полевой программируемый массив ворот | 720 | 720 | 73728 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||
| ORSO82G5-3F680C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Orca® 4 | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-orso42g51bm484c-datasheets-5562.pdf | 680-BBGA | 1,5 В. | 680 | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | ДА | 1,425 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | Orso82g5 | 680 | Не квалифицирован | S-XBGA-B680 | 372 | 643000 | 10368 | Полевой программируемый массив ворот | 113664 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR50 | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | 56 мкА | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemyonductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 25-UFBGA, WLCSP | 1,2 В. | Свободно привести | 25 | 8 недель | 25 | Ear99 | Нет | 400 МГц | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В. | 0,4 мм | LCMXO2-1200 | 25 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 17,3 КБ | 18 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 19 | 1200 | 640 | 1280 | Полевой программируемый массив ворот | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300E-5UWG8150 | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 0,567 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 81-UFBGA, WLCSP | 3,797 мм | 3,693 мм | Свободно привести | 81 | 7 недель | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В. | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B81 | 63 | 11,5 КБ | 4320 | Полевой программируемый массив ворот | 540 | 94208 | 540 |
