Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Тип аксессуара | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Оценочный комплект | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Тип логической микросхемы | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Функция | Архитектура | Частота (макс.) | Количество выходов | Количество входов | Выход | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Используемая микросхема/деталь | fмакс-мин | Выходная функция | Same Edge Skew-Max (tskwd) | Вход | ФАПЧ | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество эквивалентных ворот | Количество CLB | Поставляемый контент | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Тип модуля/платы | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков | Делитель/Множитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFXP2-30E-6F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | LFXP2-30 | 484 | 55,4 КБ | 363 | 48,4 КБ | 29000 | 396288 | 3625 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОРСО42Г5-1БМ484И | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КАСАТКА® 4 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-orso42g51bm484c-datasheets-5562.pdf | 484-ББГА | 1,5 В | 484 | 484 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,425 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | ОРСО42G5 | 484 | Не квалифицирован | 204 | 1226 КЛБС, 333000 ВОРОТ | 643000 | 10368 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 333000 | 1226 | 113664 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP6C-4Q208I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 208-БФКФП | 1,8 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | 360 МГц | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,8 В | 0,5 мм | LFXP6 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 11,9 КБ | 142 | 9 КБ | 142 | 2 | 6000 | 750 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,53 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15C-5F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LFXP15 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 188 | 188 | 188 | 375 МГц | 1932 КЛБС | 15000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1932 год | 1932 год | 331776 | 0,44 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP2K-UWG20ITR50 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 20-УФБГА, ВЛЦП | 1,26 В | 73,000022мг | 20 | 25 МГц | 1,14 В~1,26 В | ICE5LP2K | 20-WLCSP (1,71x2,06) | 80 КБ | 12 | 10 КБ | 2048 | 256 | 81920 | 256 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP20E-3F388C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 388 | 388 | нет | EAR99 | 320 МГц | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFXP20 | 388 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 59,4 КБ | 268 | 49,5 КБ | 268 | 4 | 20000 | 2500 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 405504 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2128ВЭ-135ЛТ176И | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000VE | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2128ve135lt176-datasheets-2255.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 176 | 10 недель | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2128 | 176 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 3,3 В | Не квалифицирован | S-PQFP-G176 | 128 | 10 нс | 100 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 3В~3,6В | 7,5 нс | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512C-10FT256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 125 МГц | 4мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 1,95 В | 1,65 В | 256 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 4мА | LC4512 | 256 | 208 | ЭСППЗУ | 10 нс | 512 | 36 | В системном программировании | 1,65 В~1,95 В | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ16В8Д-25QJNI | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®16В8 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | КМОП | 41,6 МГц | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal16v8d7lp-datasheets-9519.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 5В | Без свинца | 20 | 5,5 В | 4,5 В | 20 | да | EAR99 | Нет | 65 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 250 | 5В | 1,27 мм | ГАЛ16В8 | 20 | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | 8 | 25 нс | 25 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 8 | 64 | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5312S-01TN48I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тактовый генератор, разветвленное распределение, буфер с нулевой задержкой | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5308s01tn48i-datasheets-0437.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | да | EAR99 | Нет | 1 | 150 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK53 | 48 | 3,6 В | 3В | 40 | Драйверы часов | 1 | 267 МГц | eHSTL, HSTL, LVCMOS, LVTTL, SSTL | 267 МГц | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 2:12 | Да/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5320S-01T64C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тактовый генератор, разветвленное распределение, буфер с нулевой задержкой | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5308s01tn48i-datasheets-0437.pdf | 64-LQFP | Без свинца | 64 | 64 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK53 | 64 | 3,6 В | 3В | 30 | Драйверы часов | 3,3 В | 1 | Не квалифицирован | 5320 | 267 МГц | eHSTL, HSTL, LVCMOS, LVTTL, SSTL | 267 МГц | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 2:20 | Да/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5510V-01T48I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5520v01tn100c-datasheets-8146.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | 48 | 48 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 150 мА | е0 | Оловянный свинец | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK5510 | 48 | 3,6 В | 3В | 30 | Драйверы часов | 1 | 5500 | ДРАЙВЕР ЧАСОВ НА ОСНОВЕ ФАПЧ | 320 МГц | 10 | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | 320 МГц | 0,05 нс | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 1:10 | Да/Да | Да/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PACCLK5312S-EVN | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тайминг | ispClock™ | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-pacclk5312sevn-datasheets-9571.pdf | Да | Многоцелевой | ispClock 5300S | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-H-IC-EV | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | Интерфейсная плата | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПССН-УМ64-ЛИФ-МД | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КроссЛинк™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/latticesemiconductorcorporation-pssnsg48lcmxo2-datasheets-5200.pdf | Модуль разъема - BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-3FTN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | КМОП | 420 МГц | 17 мА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf&product=latticesemiconductorcorporation-lcmxo640c3ftn256c-7536845 | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 159 | СРАМ | 0Б | 4,9 нс | 4,9 нс | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LAE5UM-25F-7BG381E | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-ECP5 | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 381-ФБГА | 8 недель | 1,04 В~1,155 В | 197 | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40HX4K-BG121 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ HX | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 121-ТФБГА | 9 мм | 9 мм | 121 | 8 недель | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,8 мм | ICE40 | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б121 | 93 | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 440 | 81920 | 440 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400E-5BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 8 недель | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 206 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP1K-SG48ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 1,14 В~1,26 В | 39 | 8 КБ | 1100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 138 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-3SG32I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 32-UFQFN Открытая площадка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | 21 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-4MG132C2U | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfc2pevn-datasheets-7997.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 недель | 2,375 В~3,465 В | 79 | 640 | 18432 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-4300E-5MG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 206 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-4300E-6MG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 268 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-1300C-6BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HC-4QN84C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 84-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 68 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-1300C-6BG256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-7MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 118 | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-3BN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 4,9 нс | 159 | 159 | 420 МГц | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-6900C-5BG400C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 400-LFBGA | 17 мм | 17 мм | Без свинца | 400 | 8 недель | 400 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO3L-6900 | НЕ УКАЗАН | 335 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 |
