Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактРешетка полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Эксплуатационный ток снабжения | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Базовый номер детали | Подсчет штифтов | Время@Пиковой температуру (я) | Подкатегория | Питания | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Номер в/вывода | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроэлементов | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (лаборатории) | Программируемый логический тип | Количество логических ячеек | Количество эквивалентных ворот | Количество CLBS | Количество выделенных входов | Всего битов RAM | Количество лабораторий/CLBS | Комбинаторная задержка CLB-MAX |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFEC1E-5T100C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ЕС | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 420 МГц | 1,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 100 | 100 | нет | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 240 | 1,2 В. | 0,5 мм | LFEC1 | 100 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 1.21.2/3.33.3V | Не квалифицирован | 3KB | 67 | 2,3 КБ | 67 | 192 CLBS | 10200 | 1500 | 1280 | Полевой программируемый массив ворот | 192 | 18432 | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP6E-4QN208C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Экп | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 208-BFQFP | 28 мм | 28 мм | 1,2 В. | 208 | 208 | да | Ear99 | 378 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | E3 | Матовая олова (SN) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 245 | 1,2 В. | 0,5 мм | LFECP6 | 208 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 1.21.2/3.33.3V | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 147 | 11,5 КБ | 147 | 6100 | 768 | Полевой программируемый массив ворот | 768 | 94208 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-3TN100I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ЕС | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 100 | 100 | да | Ear99 | 340 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | E3 | Матовая олова (SN) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 260 | 1,2 В. | 0,5 мм | LFEC3 | 100 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 1.21.2/3.33.3V | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 67 | 6,9 КБ | 67 | 384 CLBS | 3100 | Полевой программируемый массив ворот | 384 | 56320 | 0,56 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP10E-3QN208I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Экп | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 208-BFQFP | 28 мм | 28 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 208 | 208 | да | Ear99 | 340 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | E3 | Матовая олова (SN) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 245 | 1,2 В. | 0,5 мм | LFECP10 | 208 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 1.21.2/3.33.3V | Не квалифицирован | 39,6 КБ | 147 | 34,5 КБ | 147 | 1280 CLBS | 10200 | 1275 | Полевой программируемый массив ворот | 1280 | 282624 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP15E-5FN256C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Экп | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | ROHS COMPARINT | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 256-BGA | 17 мм | 17 мм | 1,2 В. | 256 | 256 | да | Ear99 | 420 МГц | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В. | 1 мм | LFECP15 | 256 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 1.21.2/3.33.3V | Не квалифицирован | 51,4 КБ | 195 | 43,8 КБ | 195 | 15400 | 1920 | Полевой программируемый массив ворот | 15300 | 358400 | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP20E-4FN484C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Экп | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-BBGA | 1,2 В. | Свободно привести | 484 | да | Ear99 | 378 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В ~ 1,26 В. | LFECP20 | 484 | 62,9 КБ | 360 | 53 КБ | 19700 | 2464 | 434176 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA15E-5FN900C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | В | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,6 мм | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 900-BBGA | 31 мм | 31 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 900 | 8 недель | 900 | да | Ear99 | 700 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (SN96.5AG3.0cu0.5) | 0,95 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В. | 1 мм | LFSC3GA15 | 900 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,21,2/3.32,5 В. | Не квалифицирован | 300 | 128,8 КБ | 300 | 15000 | Полевой программируемый массив ворот | 15200 | 56 | 1054720 | 3750 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA25E-5FN900C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | В | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,6 мм | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 900-BBGA | 31 мм | 31 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 900 | 8 недель | 900 | да | Ear99 | 700 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (SN96.5AG3.0cu0.5) | 0,95 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В. | 1 мм | LFSC3GA25 | 900 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,21,2/3.32,5 В. | Не квалифицирован | 378 | 240 КБ | 378 | 25000 | Полевой программируемый массив ворот | 25400 | 104 | 1966080 | 6250 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA80E-6FFN1152I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | В | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BBGA | Свободно привести | 8 недель | 1152 | Ear99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | LFSC3GA80 | 660 | 710 КБ | 80000 | 5816320 | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA80E-6FFN1704I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | В | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 3,25 мм | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | 1704 | Ear99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В. | 1 мм | LFSC3GA80 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,21,2/3.32,5 В. | Не квалифицирован | 904 | 710 КБ | 904 | 1000 МГц | 80000 | Полевой программируемый массив ворот | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-6FFN1152C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SCM | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 3,5 мм | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BBGA | 35 мм | 35 мм | Свободно привести | 8 недель | 1152 | Ear99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В. | 1 мм | LFSCM3GA40 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,21,2/3.32,5 В. | Не квалифицирован | 604 | 497,5 КБ | 604 | 1000 МГц | 40000 | Полевой программируемый массив ворот | 40400 | 216 | 4075520 | 10000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-5FFAN1020C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SCM | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 4 (72 часа) | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-BBGA, FCBGA | Свободно привести | 8 недель | 1020 | Ear99 | Нет | 8542.39.00.01 | 0,95 В ~ 1,26 В. | LFSCM3GA40 | 562 | 486 КБ | 40000 | 4075520 | 10000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP6E-3TN144I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 1,6 мм | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 144-LQFP | 1,2 В. | Свободно привести | 144 | 144 | да | Ear99 | 320 МГц | неизвестный | E3 | Матовая олова (SN) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 260 | 1,2 В. | 0,5 мм | LFXP6 | 144 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 11,9 КБ | 100 | 9 КБ | 100 | 2 | 6000 | 750 | Полевой программируемый массив ворот | 720 | 720 | 73728 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP3E-5QN208C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 400 МГц | 4,1 мм | ROHS COMPARINT | 2000 | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 208-BFQFP | 1,2 В. | Свободно привести | 208 | 208 | да | Ear99 | неизвестный | E3 | Матовая олова (SN) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 245 | 1,2 В. | 0,5 мм | LFXP3 | 208 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 8,3 КБ | 136 | 6,8 КБ | 136 | 384 CLBS | 2 | 3000 | 375 | Полевой программируемый массив ворот | 384 | 384 | 55296 | 0,44 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15C-4FN388I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,6 мм | ROHS COMPARINT | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-BBGA | 23 мм | 23 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 388 | 388 | да | Ear99 | 360 МГц | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,8 В. | 1 мм | LFXP15 | 388 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,8/2,5/3,3 В. | Не квалифицирован | 48,1 КБ | 268 | 40,5 КБ | 268 | 1932 CLBS | 4 | 15000 | 1875 | Полевой программируемый массив ворот | 1932 | 1932 | 331776 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15E-4FN388I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,6 мм | ROHS COMPARINT | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-BBGA | 23 мм | 23 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 388 | 388 | да | Ear99 | 360 МГц | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В. | 1 мм | LFXP15 | 388 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 48,1 КБ | 268 | 40,5 КБ | 268 | 1932 CLBS | 4 | 15000 | 1875 | Полевой программируемый массив ворот | 1932 | 1932 | 331776 | 0,53 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP20C-3FN256I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 2,1 мм | ROHS COMPARINT | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-BGA | 17 мм | 17 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 256 | 256 | да | Ear99 | 320 МГц | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,8 В. | 1 мм | LFXP20 | 256 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 1,8/2,5/3,3 В. | Не квалифицирован | 59,4 КБ | 188 | 49,5 КБ | 188 | 4 | 20000 | 2500 | Полевой программируемый массив ворот | 405504 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ORSO42G5-2BMN484C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Orca® 4 | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-orso42g51bm484c-datasheets-5562.pdf | 484-BBGA | 1,5 В. | 484 | 484 | Ear99 | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 1,425 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В. | Orso42g5 | 484 | Не квалифицирован | 204 | 1226 CLBS, 333000 ворот | 643000 | 10368 | Полевой программируемый массив ворот | 333000 | 1226 | 113664 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ORT8850H-1BMN680I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Orca® 4 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ort8850l1bm680c-datasheets-5583.pdf | 680-BBGA | 2,3 В. | 680 | 1,425 В ~ 3,6 В. | ORT8850 | 680-FPBGA (35x35) | 297 | 899000 | 16192 | 151552 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-5M132C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 21ma | 1,35 мм | Не совместимый с ROHS | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-LFBGA, CSPBGA | 8 мм | 8 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 132 | 132 | нет | Ear99 | Он также может работать при 2,5 В и 3,3 В | 600 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 21ma | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,8 В. | 0,5 мм | LCMXO1200 | 132 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 101 | Шрам | 3,6 нс | 101 | 600 | Макроселл | 1200 | Flash Pld | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-4B256I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 23ma | 1,7 мм | Не совместимый с ROHS | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfc2pevn-datasheets-7997.pdf | 256-LFBGA, CSPBGA | 14 мм | 14 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 256 | 10 недель | 256 | нет | Ear99 | Он также может работать при 2,5 В и 3,3 В | Нет | 8542.39.00.01 | 23ma | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,8 В. | 0,8 мм | LCMXO2280 | 256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | 211 | Шрам | 4,4 нс | 4,4 нс | 211 | 420 МГц | 1140 | Макроселл | 2280 | Flash Pld | 7 | 28262 | 285 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-3B256C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 23ma | 1,7 мм | Не совместимый с ROHS | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-LFBGA, CSPBGA | 14 мм | 14 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 256 | нет | Ear99 | Он также может работать при 2,5 В и 3,3 В | not_compliant | 8542.39.00.01 | 23ma | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,8 В. | 0,8 мм | LCMXO2280 | 256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | S-PBGA-B256 | 211 | Шрам | 5,1 нс | 211 | 211 | 420 МГц | 1140 | Макроселл | 2280 | Flash Pld | 7 | 28262 | 285 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-5T144C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 20 мА | 1,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 144 | 144 | нет | Ear99 | 600 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 20 мА | E0 | Олово/свинец (SN85PB15) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 225 | 1,2 В. | 0,5 мм | LCMXO2280 | 144 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 113 | Шрам | 3,6 нс | 113 | 1140 | Макроселл | 2280 | Flash Pld | 7 | 28262 | 285 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256E-3M100I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 10 мА | 1,35 мм | Не совместимый с ROHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LFBGA, CSPBGA | 8 мм | 8 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 100 | 100 | нет | Ear99 | 500 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 10 мА | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,2 В. | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 256b | 78 | Шрам | 4,9 нс | 78 | 128 | Макроселл | 256 | Flash Pld | 256 | 7 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-3M100I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 14ma | 1,35 мм | Не совместимый с ROHS | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LFBGA, CSPBGA | 8 мм | 8 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 100 | 100 | нет | Ear99 | 500 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 14ma | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,2 В. | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 74 | Шрам | 4,9 нс | 74 | 320 | Макроселл | 640 | Flash Pld | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-4M100C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 14ma | 1,35 мм | Не совместимый с ROHS | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LFBGA, CSPBGA | 8 мм | 8 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 100 | 100 | нет | Ear99 | 550 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 14ma | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,2 В. | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 74 | Шрам | 4,2 нс | 74 | 320 | Макроселл | 640 | Flash Pld | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-4M132I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 14ma | 1,35 мм | Не совместимый с ROHS | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-LFBGA, CSPBGA | 8 мм | 8 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 132 | 132 | нет | Ear99 | 550 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 14ma | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,2 В. | 0,5 мм | LCMXO640 | 132 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 101 | Шрам | 4,2 нс | 101 | 320 | Макроселл | 640 | Flash Pld | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-12SE-6Q208I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 208-BFQFP | 28 мм | 28 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 208 | 208 | нет | Ear99 | 320 МГц | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN85PB15) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 225 | 1,2 В. | 0,5 мм | LFE2-12 | 208 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 30,6 КБ | 131 | 27,6 КБ | 131 | 12000 | Полевой программируемый массив ворот | 226304 | 1500 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-12SE-5F484C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-BBGA | 23 мм | 23 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 484 | 484 | нет | Ear99 | 320 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/свинец (SN63PB37) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В. | 1 мм | LFE2-12 | 484 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 30,6 КБ | 297 | 27,6 КБ | 297 | 12000 | Полевой программируемый массив ворот | 226304 | 1500 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-3T144I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 20 мА | 1,6 мм | Не совместимый с ROHS | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 144 | 144 | нет | Ear99 | 500 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 20 мА | E0 | Олово/свинец (SN85PB15) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 225 | 1,2 В. | 0,5 мм | LCMXO2280 | 144 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 113 | Шрам | 5,1 нс | 113 | 1140 | Макроселл | 2280 | Flash Pld | 7 | 28262 | 285 |
