Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Задержка распространения | Количество выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFSC3GA80E-6FC1704I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,3 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BCBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | 1,2 В | Без свинца | 1704 г. | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA80 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 904 | 710КБ | 904 | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA25EP1-5FF1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA25 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 476 | 240 КБ | 476 | 25000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 25400 | 104 | 1966080 | 6250 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA80EP1-5FC1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-BCBGA, FCBGA | 35 мм | 35 мм | 1152 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA80 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 710КБ | 660 | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 58 мкА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 1,2 В | 132 | 132 | EAR99 | 141,645 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 132 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 105 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-5MG132IR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,49 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 2,5 В | 132 | 132 | EAR99 | 141,645 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 132 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 104 | 105 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L01F-TCB132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | $92,92 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 132-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | 132 | 132 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8 КБ | 93 | 8 КБ | 93 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L01F-LVQ100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мкА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-TQFP | 1,2 В | 100 | 100 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | 1В | Не квалифицирован | 8 КБ | 72 | 8 КБ | 72 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-3F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | 256 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 500 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 4,9 нс | 159 | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||
| LFE3-70E-6FN1156C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe370e6fn1156i-datasheets-1461.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | 1156 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 570,6кБ | 490 | 552,5 КБ | 490 | 375 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-150EA-7FN672CTW | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 672 | 672 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-150 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | 380 | 856,3 КБ | 380 | 420 МГц | 149000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 7014400 | 18625 | 0,335 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95E-8FN1156I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe370e6fn1156i-datasheets-1461.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | 1156 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 576КБ | 490 | 552,5 КБ | 490 | 500 МГц | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95E-6FN484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe370e6fn1156i-datasheets-1461.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | 484 | 484 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | 484 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 576КБ | 295 | 552,5 КБ | 295 | 375 МГц | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC1E-4Q208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | 208 | 208 | нет | EAR99 | 378 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭК1 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 3КБ | 112 | 2,3 КБ | 112 | 192 КЛБС | 1500 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 192 | 18432 | 0,48 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFEC15E-5F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕК15 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 51,4 КБ | 195 | 43,8 КБ | 195 | 15400 | 1920 год | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 15300 | 358400 | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-5FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | 420 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕК3 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 160 | 6,9 КБ | 160 | 3100 | 384 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-4TN144I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 144 | да | EAR99 | 378 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕК3 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 97 | 6,9 КБ | 97 | 384 КЛБС | 3100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFEC15E-3FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | 340 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕК15 | 484 | 51,4 КБ | 352 | 43,8 КБ | 15400 | 1925 год | 358400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC10E-3FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | 340 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭК10 | 484 | 39,6 КБ | 288 | 34,5 КБ | 10200 | 1275 | 282624 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC20E-4FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | 378 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭК20 | 484 | 62,9 КБ | 360 | 53КБ | 19700 | 2462 | 434176 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP20E-3FN484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | 340 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭЦП20 | 484 | 62,9 КБ | 360 | 53КБ | 19700 | 2464 | 434176 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA15E-7FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA15 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 139 | 128,8 КБ | 139 | 15000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 15200 | 56 | 1054720 | 3750 | ||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA80E-6FFN1704C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,25 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-ББГА, ФКБГА | 42,5 мм | 42,5 мм | 1704 г. | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA80 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 904 | 710КБ | 904 | 1000 МГц | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-6FFN1704C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,25 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-ББГА, ФКБГА | 42,5 мм | 42,5 мм | 1704 г. | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 942 | 975КБ | 942 | 1000 МГц | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 115200 | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA25EP1-5FFAN1020I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 8 недель | 1020 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSCM3GA25 | 476 | 240 КБ | 25000 | 1966080 | 6250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA80EP1-6FFN1704C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,25 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-ББГА, ФКБГА | 42,5 мм | 42,5 мм | 1704 г. | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA80 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 904 | 710КБ | 904 | 1000 МГц | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP3E-4TN144I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 144-LQFP | 1,2 В | Без свинца | 144 | 144 | да | EAR99 | 360 МГц | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP3 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,3 КБ | 100 | 6,8 КБ | 100 | 384 КЛБС | 2 | 3000 | 375 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 384 | 55296 | 0,53 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFXP3E-5TN144C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 400 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 144-LQFP | 1,2 В | Без свинца | 144 | 144 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP3 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,3 КБ | 100 | 6,8 КБ | 100 | 384 КЛБС | 2 | 3000 | 375 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 384 | 55296 | 0,44 нс | |||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA115EP1-6FFN1704I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,25 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-ББГА, ФКБГА | 42,5 мм | 42,5 мм | 1704 г. | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA115 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 942 | 975КБ | 942 | 1000 МГц | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 115200 | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP20C-5FN388C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-ББГА | 1,8 В | Без свинца | 388 | да | EAR99 | 400 МГц | 1,71 В~3,465 В | LFXP20 | 388 | 59,4 КБ | 268 | 49,5 КБ | 4 | 20000 | 2500 | 405504 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15E-3FN388C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 388 | да | EAR99 | 320 МГц | 1,14 В~1,26 В | LFXP15 | 388 | 48,1 КБ | 268 | 40,5 КБ | 4 | 15000 | 1875 г. | 331776 |
