Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor и Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Метод измерения | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Напряжение — вход (макс.) | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Точность | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Максимальный выходной ток | поляризация | Минимальное входное напряжение | Выходное напряжение | Падение напряжения | Прямой ток | Тип выхода | Максимальный импульсный ток | Конфигурация | Коэффициент отклонения источника питания (PSRR) | Функция | Количество выходов | Ток покоя | Скорость | Конфигурация выхода | Ток-выход (макс.) | Выходное напряжение 1 | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Выходной ток-Макс. | Режим | Диапазон чувствительности | Ток-питание (макс.) | Напряжение - Выход (Макс.) | Ток – состояние покоя (Iq) | Падение напряжения1-ном. | Емкость @ Вр, Ф | Функции управления | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток - Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Допуск по напряжению-Макс. | Минимальный предел тока | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Количество регуляторов | Функции защиты | Падение напряжения (макс.) | ПСРР | Условия испытания | Частота — переключение | Текущий – запуск | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТКР2ЕН105,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2EN | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 4-XFDFN Открытая площадка | 12 недель | 4 | 5,5 В | 1,05 В | 490 мВ | Зафиксированный | 60 мкА | Позитивный | 60 мкА | Давать возможность | 200 мА | 1 | Перегрузка по току | 0,75 В при 150 мА | 73 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF18,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКР3ДФ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 5,5 В | 1,8 В | 290 мВ | Зафиксированный | 125 мкА | Позитивный | 78 мкА | 65 мкА | Давать возможность | 300 мА | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,4 В при 300 мА | 70 дБ (1 кГц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТАР5СБ50(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 5 | 15 В | 380мВт | 380мВт | 5,2 В | 5В | 130 мВ | Зафиксированный | 70 дБ | 850 мкА | Позитивный | Давать возможность | 200 мА | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,2 В при 50 мА | 70 дБ (1 кГц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LF33,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2LF | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 5,5 В | 3,3 В | 220 мВ | Зафиксированный | Позитивный | 2мкА | Давать возможность | 200 мА | 1 | Перегрузка по току | 0,3 В при 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LF12,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2LF | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 5,5 В | 1,2 В | 700мВ | Зафиксированный | Позитивный | 2мкА | Давать возможность | 200 мА | 1 | Перегрузка по току | 1,25 В @ 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5AM065,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR5AM | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | 4-XDFN Открытая площадка | 12 недель | 5,5 В | 5-ДФНБ (1,2х1,2) | 650 мВ | 150 мВ | Зафиксированный | Позитивный | 68 мкА | 55 мкА | Давать возможность | 500 мА | 0,65 В | 1 | Блокировка перегрузки по току, перегрева, пониженного напряжения (UVLO) | 0,2 В при 500 мА | 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТАР5С49(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | БИПОЛЯРНЫЙ | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-74А, СОТ-753 | 5 | 11 недель | ЛЕНТА И КАТУШКА | 15 В | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,95 мм | Другие регуляторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г5 | Зафиксированный | 1 | Позитивный | 4,9 В | 850 мкА | 0,13 В | ВКЛ/ВЫКЛ | 200 мА | 4,9 В | 2,65% | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,2 В при 50 мА | 70 дБ (1 кГц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКР2ЕН25,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2EN | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 4-XFDFN Открытая площадка | 12 недель | 4 | Нет | 5,5 В | 300мВт | 1 % | 200 мА | 1,5 В | 2,5 В | 160 мВ | Зафиксированный | 60 мкА | Позитивный | 60 мкА | Давать возможность | 1 | Перегрузка по току | 0,21 В при 150 мА | 73 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКР2ЛН25,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКР2ЛН | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 4-XFDFN Открытая площадка | 12 недель | 5,5 В | 2,5 В | 250 мВ | Зафиксированный | Позитивный | 2мкА | Давать возможность | 200 мА | 1 | Перегрузка по току | 0,36 В при 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТА78Л15Ф(ТЕ12Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | БИПОЛЯРНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/toshiba-ta78l15fte12lf-datasheets-0083.pdf&product=toshibasemiconductorandstorage-ta78l15fte12lf-5541092 | ТО-243АА | 3 | 4 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 500мВт | ТА78Л | 500мВт | Другие регуляторы | 150 мА | 35В | 15 В | 1,7 В | Зафиксированный | 1 | 6,5 мА | Позитивный | 15 В | 6мА | 1,7 В | 15 В | 7% | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 40 дБ (120 Гц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТА48S025AF(T6L1,К) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 2,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | БИПОЛЯРНЫЙ | 2,7 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-6, ДПак (5 отведений + вкладка) | 5,5 мм | Без свинца | 5 | 6 | EAR99 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 16 В | 1 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ТА48С | 5 | 3 % | 1кВт | Другие регуляторы | Р-ПССО-Г5 | 1А | 3,45 В | 2,5 В | 880мВ | Зафиксированный | 1 | 1,7 мА | Позитивный | 2,5 В | 20 мА | 0,88 В | Давать возможность | 3% | 2А | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,88 В при 1 А, тип. | 65 дБ (120 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF33,ЛМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКР3ДФ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 2013 год | СК-74А, СОТ-753 | 5,5 В | Зафиксированный | Позитивный | 78 мкА | 65 мкА | Давать возможность | 300 мА | 3,3 В | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,25 В при 300 мА | 70 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L05S,APNQ(М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta58l05sapnqm-datasheets-3075.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 29В | Зафиксированный | Позитивный | 50 мА | 1 мА | 250 мА | 5В | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,4 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТА58М12С,Q(J | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta58m12sqj-datasheets-3119.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 29В | ТО-220НИС | Зафиксированный | Позитивный | 80 мА | 1,2 мА | 500 мА | 12 В | 1 | Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность | 0,65 В при 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS05BP(FJTN,FM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta78ds05bpfj-datasheets-3143.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 33В | ЛСТМ | Зафиксированный | Позитивный | 1 мА | 1 мА | 30 мА | 5В | 1 | Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение | 0,3 В при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS08BP(T6ND,AF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta78ds05bpfj-datasheets-3143.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 33В | ЛСТМ | Зафиксированный | Позитивный | 1,2 мА | 1,2 мА | 30 мА | 8В | 1 | Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение | 0,3 В при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L012AP(6TOJ,AF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta78l015apfm-datasheets-4584.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 35В | Зафиксированный | Позитивный | 6,5 мА | 150 мА | 12 В | 1 | Перегрузка по току | 1,7 В при 40 мА, тип. | 41 дБ (120 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L006AP,T6STF(М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta78l015apfm-datasheets-4584.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 35В | ЛСТМ | Зафиксированный | Позитивный | 6мА | 150 мА | 6В | 1 | Перегрузка по току | 1,7 В при 40 мА, тип. | 47 дБ (120 Гц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS05CP,АШИФ(М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta78ds05bpfj-datasheets-3143.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 33В | ЛСТМ | Зафиксированный | Позитивный | 1 мА | 1 мА | 30 мА | 5В | 1 | Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение | 0,3 В при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L005AP,T6F(J | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta78l015apfm-datasheets-4584.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 35В | ЛСТМ | Зафиксированный | Позитивный | 6мА | 150 мА | 5В | 1 | 1,7 В при 40 мА, тип. | 49 дБ (120 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76431S,MEIDENF(M | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta76431st6muratfm-datasheets-3139.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ЛСТМ | Регулируемый | Позитивный | 36В | 2,495 В | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКС10НПУ(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКС | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Эффект Холла | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD (5 выводов), плоский вывод | Эффект Холла | 1,3 мА | Северный полюс | 2,3 В~3,6 В | УФВ | 5мА | Северный полюс | Push-Pull | Униполярный переключатель | 5мА | Отключение -2,5 мТл, освобождение -0,3 мТл | 1,3 мА | 25°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6819AFG,C,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | 8 | 10 В~25 В | Критическая проводимость (CRM) | 20 кГц~150 кГц | 72,5 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХН2Д03Ф(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74, СОТ-457 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | 300мВт | 150°С | Другие диоды | 100 мА | 2А | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 500 нс | Стандартный | 400В | 100 мА | 100 мкА при 400 В | 1,3 В @ 100 мА | 150°С Макс. | 3 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HN2S01FUTE85LF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | неизвестный | ДА | 100°С | Другие диоды | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 0,2 Вт | 15 В | 20 мкА | 10 В | Шоттки | 10 В | 20 мкА при 10 В | 500 мВ при 100 мА | 100 мА | 125°С Макс. | 3 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КЕС521, Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-79, СОД-523 | 18 недель | CES521 | 1А | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | Шоттки | 30 В | 200 мА | 26пФ @ 0В 1МГц | 30 мкА при 30 В | 500 мВ при 200 мА | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС387,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-79, СОД-523 | 12 недель | неизвестный | 1СС387 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 4 нс | Стандартный | 80В | 100 мА | 3пФ @ 0В 1МГц | 80В | 500 нА при 80 В | 1,2 В @ 100 мА | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАВ99,ЛМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 2,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.70 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 125°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г3 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 0,15 Вт | 85В | 3нс | Стандартный | 0,1 А | 100В | 200 нА при 80 В | 1,25 В @ 150 мА | 215 мА | 150°С Макс. | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КУХС20С30, Х3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2-SMD, плоский вывод | 12 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 390пФ при 0 В 1 МГц | 30 В | 500 мкА при 30 В | 410 мВ при 2 А | 2А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС322(ТЭ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | СК-70, СОТ-323 | 3 | 12 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 125°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г3 | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 0,1 Вт | 45В | Шоттки | 300 мА | 0,1 А | 18пФ @ 0В 1МГц | 40В | 5 мкА при 40 В | 600 мВ при 100 мА | 100 мА | 125°С Макс. |
