Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактSemiq (762)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Тип ввода | Статус ROHS | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Время выполнения завода | Пакет устройства поставщика | Конфигурация | Слейте до источника напряжения (VDS) | Скорость | Сила - Макс | Power Dissipation-Max | Время восстановления обратного восстановления | Диод тип | Емкость @ vr, f | Вход | Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) | Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) | Current - Collector (IC) (макс) | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Ток - обратная утечка @ vr | Напряжение - вперед (vf) (max) @ if | Условие испытания | Ток - средний исправление (IO) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Ток - срез коллекционера (макс) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Тип IGBT | NTC Thermistor | Входная емкость (CIES) @ VCE | Заряд ворот | Ток - коллекционер импульс (ICM) | TD (ON/OFF) @ 25 ° C | Переключение энергии | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GPA020A120MN-FD | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | Стандартный | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gpa020a120mnfd-datasheets-1498.pdf | До 3 | До 3pn | 223 Вт | 425ns | 1200 В. | 40a | 600 В, 20А, 10om, 15 В | 2,5 В при 15 В, 20а | Траншевая полная остановка | 210nc | 60A | 30NS/150NS | 2,8mj (ON), 480 мкДж (OFF) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSXD050A010S1-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gsxd050a010s1d3-datasheets-3824.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Шоткий | 100 В | 1ma @ 100v | 840MV @ 50a | 50а | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2 Независимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSXD080A010S1-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gsxd080a010s1d3-datasheets-3870.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Шоткий | 100 В | 1ma @ 100v | 840MV @ 80A | 160a | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2 Независимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSXD080A004S1-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gsxd080a004s1d3-datasheets-3906.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Шоткий | 45 В. | 1ma @ 45V | 700 мВ @ 80а | 80A | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2 Независимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GHXS010A060S-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-ghxs010a060sd3-datasheets-1113.pdf | SOT-227-4, Minibloc | 8 недель | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Силиконовый карбид Шоттки | 600 В. | 100 мкА @ 600V | 1,7 В @ 10a | 10а | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2 Независимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GDP60Y120B | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | /files/semiq-gdp60y120b-datasheets-7852.pdf | До 247-3 | До 247-3 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Силиконовый карбид Шоттки | 1200 В. | 100 мкА @ 1200 В. | 1,7 В @ 30a | 30A | -55 ° C ~ 135 ° C. | 1 пара общий анод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D040A120U | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | Трубка | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2d040a120u-datasheets-4064.pdf | До 247-3 | До 247-3 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | Силиконовый карбид Шоттки | 1200 В. | 40 мкА @ 1200 В. | 1,8 В @ 20a | 65A DC | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1 пара общий катод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP3D008A065A | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D005A065C | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2d005a065c-datasheets-7521.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | До 252, (d-pak) | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | Силиконовый карбид Шоттки | 264pf @ 1v 1MHZ | 650 В. | 50 мкА @ 650V | 1.65V @ 5a | 15а DC | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D030A060B | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | До-247-2 | До-247-2 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 1581pf @ 1 В 1 МГц | 600 В. | 100 мкА @ 600V | 1,65 В @ 30A | 30А DC | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GDP15S120A | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gdp15s120a-datasheets-8634.pdf | До-220-2 | До-220-2 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 895pf @ 1v 1MHz | 1200 В. | 100 мкА @ 1200 В. | 1,7 В @ 15a | 15а DC | -55 ° C ~ 135 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D005A120A | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2d005a120a-datasheets-8750.pdf | До-220-2 | До-220-2 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 317pf @ 1V 1MHz | 1200 В. | 10 мкА @ 1200 В. | 1,8 В @ 5A | 5A DC | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GHIS080A120S-A2 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-ghis080a120SA2-datasheets-2512.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Одинокий | 480 Вт | Стандартный | 1200 В. | 160a | 2MA | 2.6V @ 15V, 80a | Траншевая полная остановка | Нет | 10.3nf @ 30v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GHIS060A060S-A1 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-ghis060a060sa1-datasheets-0378.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Одинокий | 297 Вт | Стандартный | 600 В. | 120a | 1MA | 2,3 В @ 15 В, 60a | Траншевая полная остановка | Нет | 3.3nf @ 30v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M004A090H | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m004a090h-datasheets-7597.pdf | До 220-3 | До-220 | 900 В. | 123W TC | N-канал | 955pf @ 25V | 4om @ 2a, 10v | 4 В @ 250 мкА | 4A TC | 25NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M015A050H | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m015a050h-datasheets-7685.pdf | До 220-3 | До-220 | 500 В. | 231W TC | N-канал | 2263PF @ 25V | 440MOHM @ 7A, 10V | 4 В @ 250 мкА | 14a tc | 39NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M009A050FSH | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m009a050fsh-datasheets-7703.pdf | До 220-3 полная упаковка | До-220f | 500 В. | 39 Вт TC | N-канал | 1195pf @ 25V | 850MOHM @ 4,25A, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8.5A TC | 24nc @ 10v | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M007A065CG | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | /files/semiq-gp1m007a065cg-datasheets-7772.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | D-PAK | 650 В. | 120 Вт TC | N-канал | 1201PF @ 25V | 1.4OM @ 3,25A, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6.5A TC | 27NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M012A060H | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m012a060fh-datasheets-7691.pdf | До 220-3 | До-220 | 600 В. | 231W TC | N-канал | 2308PF @ 25V | 650MOHM @ 6A, 10V | 4 В @ 250 мкА | 12A TC | 39NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M016A060H | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m016a060fh-datasheets-7684.pdf | До 220-3 | До-220 | 600 В. | 290W TC | N-канал | 3039pf @ 25V | 470MOHM @ 8A, 10V | 4 В @ 250 мкА | 16a tc | 53NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2M008A060FG | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m008a060fgh-datasheets-7819.pdf | До 220-3 полная упаковка | До-220f | 600 В. | 39 Вт TC | N-канал | 1063pf @ 25V | 1,2 Ом @ 3,75A, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 7.5A TC | 23NC @ 10V | 10 В | ± 30 В |
