+86 19168759373 info@chipsmt.ru

Трансформация(92)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Ряд	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Технология	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Время выполнения заказа на заводе	Код Pbfree	Достичь кода соответствия	Пиковая температура оплавления (Цел)	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Мощность — Выход	Рассеиваемая мощность-Макс.	Используемая микросхема/деталь	Ток - Выход	Тип полевого транзистора	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Поставляемый контент	Частота — переключение	Основная цель	Тип платы	Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	ВГС (Макс)	Выходы и тип	Топология регулятора
TDPV1000E0C1-КОМПЛЕКТ	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать					1 (без ограничений)		Не соответствует требованиям RoHS	2015 год	/files/transphorm-tdpv1000e0c1kit-datasheets-4956.pdf								1кВт		ТПХ3206ПС	10А			Плата(ы), Источник питания	100 кГц	Преобразователь постоянного/переменного тока	Полностью заселен							1, изолированный	Инвертирование
ТП90Х180ПС	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка	1 (без ограничений)	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tp90h180ps-datasheets-2071.pdf	ТО-220-3	12 недель			НЕ УКАЗАН	НЕ УКАЗАН	900В		78 Вт Тс			N-канал	780пФ при 600В					205 мОм при 10 А, 10 В	2,6 В @ 500 мкА	15А Тс	10 нК при 8 В	10 В	±18 В
ТПХ3202PD	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Сквозное отверстие	-55°C~175°C, ТДж	Трубка	1 (без ограничений)	GaNFET (нитрид галлия)	Не соответствует требованиям RoHS	2017 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3202ps-datasheets-2317.pdf	ТО-220-3	10 недель	да	неизвестный	НЕ УКАЗАН	НЕ УКАЗАН	600В		65 Вт Тс			N-канал	760пФ при 480В					350 мОм при 5,5 А, 8 В	2,5 В @ 250 мкА	9А Тц	9,3 нК при 4,5 В	10 В	±18 В
ТПХ3206ПС	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Сквозное отверстие	-55°C~175°C, ТДж	Трубка	1 (без ограничений)	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует RoHS	2016 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206ps-datasheets-8576.pdf	ТО-220-3	14 недель	да	неизвестный	НЕ УКАЗАН	НЕ УКАЗАН	600В		96 Вт Тс			N-канал	760пФ при 480В					180 мОм при 11 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	17А Тк	9,3 нК при 4,5 В	10 В	±18 В
ТПХ3212ПС	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка	1 (без ограничений)	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	Соответствует RoHS	2017 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3212ps-datasheets-2097.pdf	ТО-220-3	12 недель	да	неизвестный	НЕ УКАЗАН	НЕ УКАЗАН	650В		104 Вт Тс			N-канал	1130пФ при 400В					72 мОм при 17 А, 8 В	2,6 В при 400 мкА	27А ТЦ	14 нК при 8 В	10 В	±18 В
ТПХ3202LS	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-55°C~175°C, ТДж	Трубка	3 (168 часов)	GaNFET (нитрид галлия)	Не соответствует требованиям RoHS	2017 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3202ls-datasheets-2389.pdf	3-PowerDFN	10 недель	да	неизвестный			600В		65 Вт Тс			N-канал	760пФ при 480В					350 мОм при 5,5 А, 8 В	2,5 В @ 250 мкА	9А Тц	9,3 нК при 4,5 В	10 В	±18 В
ТП65Х070ЛДГ	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	ТП65Х070Л	Поверхностный монтаж	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка	3 (168 часов)	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tdhb65h070ldc-datasheets-9310.pdf	3-PowerDFN	12 недель					650В		96 Вт Тс			N-канал	600пФ при 400В					85 мОм при 16 А, 10 В	4,8 В при 700 мкА	25А Тс	9,3 нК при 10 В	10 В	±20 В
TP65H050WS	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка	3 (168 часов)	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	Соответствует RoHS		/files/transphorm-tp65h050ws-datasheets-2104.pdf	ТО-247-3	12 недель			НЕ УКАЗАН	НЕ УКАЗАН	650В		119 Вт Тс			N-канал	1000пФ при 400В					60 мОм при 22 А, 10 В	4,8 В при 700 мкА	34А Тк	24 нК при 10 В	12 В	±20 В
ТПХ3208LS	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка	3 (168 часов)	GaNFET (нитрид галлия)	Не соответствует требованиям RoHS	2016 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3208ldg-datasheets-1325.pdf	3-PowerDFN	10 недель	да	неизвестный			650В		96 Вт Тс			N-канал	760пФ при 400В					130 мОм при 13 А, 8 В	2,6 В @ 300 мкА	20А Тс	14 нК при 8 В	10 В	±18 В
TPH3206LDGB	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка	3 (168 часов)	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует RoHS	2016 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206lsb-datasheets-2033.pdf	3-PowerDFN	10 недель		неизвестный	НЕ УКАЗАН	НЕ УКАЗАН	650В		81 Вт Тс			N-канал	760пФ при 480В					180 мОм при 11 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	16А Тс	9,3 нК при 4,5 В	10 В	±18 В
TP65H035WS	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка	3 (168 часов)	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tp65h035ws-datasheets-2134.pdf	ТО-247-3	12 недель					650В		156 Вт Тс			N-канал	1500пФ при 400В					41 мОм при 30 А, 10 В	4,8 В при 1 мА	46,5 А Тс	36 нК при 10 В	12 В	±20 В
ТПХ3202LD	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-55°C~175°C, ТДж	Трубка	3 (168 часов)	GaNFET (нитрид галлия)	Не соответствует требованиям RoHS	2016 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3202ls-datasheets-2389.pdf	4-PowerDFN	14 недель	да	неизвестный			600В		65 Вт Тс			N-канал	760пФ при 480В					350 мОм при 5,5 А, 8 В	2,5 В @ 250 мкА	9А Тц	9,3 нК при 4,5 В	10 В	±18 В
TP65H070LSG	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	ТП65Х070Л	Поверхностный монтаж	-55°C~150°C, ТиДжей		3 (168 часов)	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tdhb65h070ldc-datasheets-9310.pdf	3-PowerDFN	12 недель					650В		96 Вт Тс			N-канал	600пФ при 400В					85 мОм при 16 А, 10 В	4,8 В при 700 мкА	25А Тс	9,3 нК при 10 В	10 В	±20 В
TP65H050WSQA	Трансформировать	$15,58	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°C~175°C, ТДж		1 (без ограничений)	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tp65h050wsqa-datasheets-0085.pdf	ТО-247-3						650В		150 Вт Тс			N-канал	1000пФ при 400В					60 мОм при 25 А, 10 В	4,8 В при 700 мкА	36А Тк	24 нК при 10 В	10 В	±20 В
TPH3206LDB	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка	3 (168 часов)	GaNFET (нитрид галлия)		2017 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206lsb-datasheets-2033.pdf	4-PowerDFN						650В		81 Вт Тс			N-канал	720пФ при 480В					180 мОм при 10 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	16А Тс	6,2 нК при 4,5 В	10 В	±18 В
TPH3205WSBQA	Трансформировать		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Сквозное отверстие	-55°C~150°C, ТиДжей	Трубка	1 (без ограничений)	GaNFET (нитрид галлия)	Не соответствует требованиям RoHS		/files/transphorm-tph3205wsbqa-datasheets-8952.pdf	ТО-247-3				НЕ УКАЗАН	НЕ УКАЗАН	650В		125 Вт Тс			N-канал	2200пФ при 400В					62 мОм при 22 А, 8 В	2,6 В @ 700 мкА	35А Тс	42 нК при 8 В	10 В	±18 В