Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАС4К512М16Д3ЛА-10БИН
Память микросхемы 13,5 мм мм
- Производитель: Альянс Память, Инк.
- НЕТ: 28-АС4К512М16Д3ЛА-10БИН
- Упаковка: 96-ТФБГА
- Техническая спецификация:
- Запас: 156
- Описание: Память микросхемы 13,5 мм (кг)
- Доставка:
- Оплата:
В наличии
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме реального времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Запрос цен (запрос котировок)Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.
Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.
В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.
Срок поставкиПосле отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:
FedEx International, 5-7 рабочих дней.
Ниже приводится время логистики некоторых стран.
| Параметры | |
|---|---|
| Напряжение питания | 1,35 В |
| Терминал Питч | 0,8 мм |
| Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | НЕ УКАЗАН |
| Код JESD-30 | Р-ПБГА-В96 |
| Напряжение питания-Макс (Vsup) | 1,425 В |
| Минимальное напряжение питания (Vsup) | 1,275 В |
| Размер | 8Гб 512М х 16 |
| Количество портов | 1 |
| Тип | Неустойчивый |
| Режим работы | СИНХРОННЫЙ |
| Тактовая частота | 933 МГц |
| Время доступа | 20нс |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Организация | 512MX16 |
| Ширина памяти | 16 |
| Плотность памяти | 8589934592 бит |
| Высота сидя (макс.) | 1,2 мм |
| Длина | 13,5 мм |
| Ширина | 9 мм |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Срок выполнения заказа на заводе | 8 недель |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 96-ТФБГА |
| Поверхностный монтаж | ДА |
| Рабочая температура | -40°К~95°К ТС |
| Упаковка | Поднос |
| Статус детали | Активный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Количество окончаний | 96 |
| Дополнительная функция | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ |
| Технология | SDRAM-DDR3L |
| Напряжение питания | 1275~1425В |
| Положение терминала | НИЖНИЙ |
| Пиковая температура оплавления (Цел) | НЕ УКАЗАН |
| Количество функций | 1 |
