Память – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (Макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Толщина Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Подкатегория Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Размер Тип Частота (макс.) Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной Организация Ширина памяти Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Тип ввода/вывода Напряжение в режиме ожидания-мин. Включение выхода
71V67703S85BQGI8 71V67703S85BQGI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 87 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67703s85bqgi8-datasheets-9701.pdf 15 мм 13 мм 3,3 В Без свинца 165 7 недель 3,465 В 3,135 В 165 Параллельно 9 Мб да 1,2 мм 1 ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 210 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 165 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 8,5 нс 18б 256КХ36 0,07А 36б синхронный ОБЩИЙ
7006L20J 7006L20J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2008 год /files/integrateddevicetechnology-7006l20j-datasheets-9664.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм Содержит свинец 68 7 недель 5,5 В 4,5 В 68 Параллельно 128 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 240 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 26б 16КХ8 0,0015А Асинхронный ОБЩИЙ
7007S35PF8 7007С35ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7007s35pf8-datasheets-9653.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 80 7 недель 5,5 В 4,5 В 80 Параллельно 256 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 295мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,65 мм 80 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 32 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 30б 0,015А Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71V632S8PF ИДТ71В632С8ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ Не соответствует требованиям RoHS ЛКФП 100 Параллельно не_совместимо е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 3,3 В 0,635 мм КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 3,3 В 0,24 мА Не квалифицирован Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 60 МГц 64КХ32 32 2097152 бит 0,009А 8 нс ОБЩИЙ 3,14 В
7164S45DB 7164С45ДБ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 125°С -55°С Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7164s45db-datasheets-9623.pdf КРИС 37,2 мм 15,24 мм Содержит свинец 28 Параллельно 64 КБ 1,65 мм 1 Нет ОЗУ, SRAM — асинхронное 13б
71V016SA12PHG8 71В016СА12ПХГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa12phg8-datasheets-9612.pdf ТСОП 18,41 мм 10,16 мм 3,3 В Без свинца 44 12 недель 3,6 В 44 Параллельно 1 Мб да 1 мм 1 Нет 1 150 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,8 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 128 КБ Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 16б 16б Асинхронный ОБЩИЙ
TH58NVG3S0HTAI0 TH58NVG3S0HTAI0 Тошиба
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 85°С -40°С Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-th58nvg3s0htai0-datasheets-9606.pdf ТФСОП 145 недель Параллельный, последовательный ЭППЗУ, НАНД
70T3319S133BC8 70Т3319С133ВС8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 133 МГц 1,5 мм Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3319s133bc8-datasheets-9602.pdf 17 мм 17 мм 2,5 В Содержит свинец 256 7 недель 2,6 В 2,4 В 256 Параллельно 4 Мб нет 1,4 мм 2 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 370 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 2,5 В 1 мм 256 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 15 нс 18б 0,015А 18б синхронный ОБЩИЙ
71V3556SA100BQI8 71В3556СА100БКИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa100bqi8-datasheets-9596.pdf 15 мм 13 мм 3,3 В Содержит свинец 165 11 недель 3,465 В 3,135 В 165 Параллельно 4,5 Мб нет 1,2 мм 1 Нет 255 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 17б 0,045А 36б синхронный ОБЩИЙ
7027L25PFI 7027Л25ПФИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7027l25pfi-datasheets-9590.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 512 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 305 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,5 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ 64КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 30б 0,01 А 16б Асинхронный ОБЩИЙ
71V3558S133PFGI8 71В3558С133ПФГИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 133 МГц Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3558s133pfgi8-datasheets-9583.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 100 12 недель 3,465 В 3,135 В 100 Параллельно 4,5 Мб да 1,4 мм 1 Нет 1 310 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 133 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 4,2 нс 18б 0,045А 18б синхронный ОБЩИЙ
70914S15PF8 70914S15PF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 50 МГц 1,6 мм Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70914s15pf8-datasheets-9576.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 80 7 недель 5,5 В 4,5 В 80 Параллельно 36 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ; АВТОМАТИЧЕСКАЯ ЗАПИСЬ Нет 1 300 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,65 мм 80 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 4,5 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 15 нс 24б 4KX9 0,015А синхронный ОБЩИЙ
IDT71V632S7PF ИДТ71В632С7ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v632s7pf-datasheets-9573.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 1 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,63 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,16 мА Не квалифицирован Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 66 МГц 64КХ32 32 2097152 бит 0,015А 7 нс ОБЩИЙ 3,14 В ДА
7024S35PF8 7024С35ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024s35pf8-datasheets-9550.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 64 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 250 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,5 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 8 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 24б 4КХ16 0,015А 16б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71V632S6PF ИДТ71В632С6ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v632s6pf-datasheets-9501.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 1 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,63 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,18 мА Не квалифицирован Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 83 МГц 64КХ32 32 2097152 бит 0,015А 6 нс ОБЩИЙ 3,14 В ДА
71T75802S166BG8 71Т75802С166БГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75802s166bg8-datasheets-9496.pdf БГА 14 мм 22 мм 2,5 В Содержит свинец 119 8 недель 2625 В 2,375 В 119 Параллельно 18 Мб нет 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 245 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 2,5 В 119 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,5 нс 20б 0,04А 18б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
71V35761S183PFG 71В35761С183ПФГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 183 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761s183pfg-datasheets-9489.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 100 12 недель 3,465 В 3,135 В 100 Параллельно 4,5 Мб да 1,4 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 340 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 183 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,3 нс 17б 0,03 А 36б синхронный ОБЩИЙ
70V657S15BC 70В657С15ВС Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,5 мм Соответствует RoHS 2009 год /files/integrateddevicetechnology-70v657s15bc-datasheets-9485.pdf 17 мм 17 мм 3,3 В Содержит свинец 256 7 недель 3,45 В 3,15 В 256 Параллельно 1,1 Мб нет 1,4 мм 2 Нет 1 440 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 1 мм 256 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 128 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 15 нс 30б 0,015А 36б Асинхронный ОБЩИЙ
71V3556SA133BQ 71В3556СА133БК Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 133 МГц Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa133bq-datasheets-9484.pdf 15 мм 13 мм 3,3 В Содержит свинец 165 11 недель 3,465 В 3,135 В 165 Параллельно 4,5 Мб нет 1,2 мм 1 Нет 1 300 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 165 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 133 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 4,2 нс 17б 0,04А 36б синхронный ОБЩИЙ
IDT7164L20Y8 IDT7164L20Y8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 3,556 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt7164l20y8-datasheets-9476.pdf 17,9324 мм 7,5184 мм 28 28 Параллельно 1 EAR99 не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 1,27 мм 28 КОММЕРЧЕСКИЙ 5,5 В 4,5 В 30 СРАМ 0,15 мА Не квалифицирован ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 8КХ8 8 65536 бит 0,00006А 19 нс ОБЩИЙ ДА
71V3577S85PFGI8 71В3577С85ПФГИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 87 МГц Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s85pfgi8-datasheets-9446.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 100 12 недель 3,465 В 3,135 В 100 Параллельно 4,5 Мб да 1,4 мм 1 ПОТОК ЧЕРЕЗ АРХИТЕКТУРУ Нет 1 190 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 87 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 8,5 нс 17б 0,03 А 36б синхронный ОБЩИЙ
7008L20PF8 7008Л20ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008l20pf8-datasheets-9438.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 512 КБ нет 1,4 мм 2 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ Нет 1 285 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,5 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 64КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 32б 64КХ8 0,005А Асинхронный ОБЩИЙ
71T75802S200PFGI 71T75802S200PFGI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 200 МГц Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75802s200pfgi-datasheets-9419.pdf TQFP 20 мм 14 мм 2,5 В Без свинца 100 8 недель 2625 В 2,375 В 100 Параллельно 18 Мб да 1,4 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 295мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 2,5 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 2,3 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 200 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,2 нс 20б 18б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
IDT71V547S80PF ИДТ71В547С80ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v547s80pf-datasheets-9414.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,25 мА Не квалифицирован Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 95 МГц 128КХ36 36 4718592 бит 0,04А 8 нс ОБЩИЙ 3,14 В
IDT71V65603ZS133PF8 IDT71V65603ZS133PF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 70°С 0°С 133 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65603zs133pf8-datasheets-9365.pdf ЛКФП Параллельно ОЗУ, СРАМ
70V06S55PF 70В06С55ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06s55pf-datasheets-9328.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 64 7 недель 3,6 В 64 Параллельно 128 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 180 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,8 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 28б 16КХ8 0,005А Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71V547S100PF ИДТ71В547С100ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v547s100pf-datasheets-9281.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,2 мА Не квалифицирован Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 66 МГц 128КХ36 36 4718592 бит 0,04А 10 нс ОБЩИЙ 3,14 В
7016L20PF8 7016Л20ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7016l20pf8-datasheets-9246.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 80 7 недель 5,5 В 4,5 В 80 Параллельно 144 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 СЕМАФОР; ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ Нет 1 240 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,65 мм 80 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 18КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 14б 16КХ9 0,005А Асинхронный ОБЩИЙ ДА
IDT71V65603ZS133PF IDT71V65603ZS133PF Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 133 МГц СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65603zs133pf-datasheets-9239.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно да 3A991.B.2.A СЧЕТЧИК ВСПЛЕСКОВ 8542.32.00.41 1 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,465 В 3,135 В 30 Не квалифицирован Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 256КХ36 36 9437184 бит 4,2 нс
71V3577S75BGI8 71В3577С75БГИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 117 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s75bgi8-datasheets-9237.pdf БГА 14 мм 22 мм 3,3 В Содержит свинец 119 7 недель 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 4,5 Мб нет 2,15 мм 1 ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 ОЗУ, СРАМ 7,5 нс 17б 36б синхронный

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.