Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Ширина шины данных | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение вывода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 70В9079С12ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 33,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9079s12pf8-datasheets-9217.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 240 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 15б | 0,005А | 8б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||
| 7134SA55JG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7134sa55jg8-datasheets-9190.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 240 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 24б | 4KX8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В546С100ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v546s100pf-datasheets-9172.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7005С15ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s15pf-datasheets-9127.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 26б | 8КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 709359L6PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 52,6 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709359l6pf-datasheets-9120.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 144 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 430 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6,5 нс | 26б | 8КХ18 | 0,003А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA10TYGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,7592 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa10tygi-datasheets-9098.pdf | 20,955 мм | 3,3 В | 32 | 3,6 В | 3,15 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | 1 | 150 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 17б | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65603S150PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65603s150pfi8-datasheets-9092.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,345 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,06А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70914S15J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 50 МГц | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70914s15j8-datasheets-9090.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 36 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ; АВТОМАТИЧЕСКАЯ ЗАПИСЬ | Нет | 1 | 300 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 12б | 4KX9 | 0,015А | 9б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В2556С166ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2556s166pfi8-datasheets-9029.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | СРАМ | 2,53,3 В | 0,36 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,045А | 3,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 71124S15YG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71124s15yg8-datasheets-8945.pdf | 20,9 мм | 10,2 мм | 5В | Без свинца | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 2,2 мм | 1 | Нет | 155 мА | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 15 нс | 17б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В416С10БЭ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416s10be-datasheets-8904.pdf | ТФБГА | 9 мм | 9 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 48 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 18б | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| 71342LA70J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la70j8-datasheets-8900.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 70 нс | 24б | 4KX8 | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ДА | ||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В2559С80ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2559s80pf8-datasheets-8898.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA20YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,556 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa20yi8-datasheets-8887.pdf | 17,9324 мм | 7,5184 мм | 28 | 28 | Параллельно | нет | 1 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 20 нс | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В432С8ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,63 В | 3,135 В | 20 | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ32 | 32 | 1048576 бит | 8 нс | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3389С5ПРФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3389s5prf-datasheets-8882.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 128 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ САМОСТОЯННОЙ ЗАПИСИ | Нет | 1 | 360 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 32б | 64КХ18 | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 70Т633С12БФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/integrateddevicetechnology-70t633s12bfi8-datasheets-8839.pdf | 15 мм | 15 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 395 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 19б | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67603С150БК | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67603s150bq-datasheets-8830.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 305 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицирован | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 18б | 256КХ36 | 0,05А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В432С10ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v432s10pf-datasheets-8804.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.B | СЧЕТЧИК ВЗРЫВОВ; АВТОМАТИЧЕСКАЯ ЗАПИСЬ; АДРЕСНЫЙ РЕГИСТР; УПРАВЛЕНИЕ ЗАПИСЬЮ БАЙТОВ | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,63 В | 3,135 В | 20 | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ32 | 32 | 1048576 бит | 10 нс | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9389Л6ПРФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 52,6 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9389l6prf8-datasheets-8803.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 3,6 В | 3В | 128 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 16б | 64КХ18 | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В2558С100ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2558s100pf8-datasheets-8790.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 71В3577С75ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 117 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/integrateddevicetechnology-71v3577s75pfgi8-datasheets-8788.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | Нет | 265 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 100 | ОЗУ, СРАМ | 7,5 нс | 17б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71342LA35PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la35pf8-datasheets-8785.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 32 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 24б | 4KX8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||
| 70914S12PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 62,5 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70914s12pf8-datasheets-8782.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 80 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 80 | Параллельно | 36 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ; АВТОМАТИЧЕСКАЯ ЗАПИСЬ | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 24б | 4KX9 | 0,015А | 9б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||
| 70914S12PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 62,5 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70914s12pf-datasheets-8744.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 80 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 80 | Параллельно | 36 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 24б | 4KX9 | 0,015А | 9б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 70T3589S133BCI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3589s133bci-datasheets-8729.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 2,3 Мб | 1,4 мм | 2 | Нет | 450 мА | ОЗУ, СРАМ | 15 нс | 32б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29VS256RABBHI010 | Кипарисовый полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 108 МГц | 1 мм | Соответствует RoHS | ФБГА | 7,7 мм | 1,8 В | 44 | 1,95 В | 1,7 В | 44 | Параллельный, последовательный | 256 Мб | 3A991.B.1.A | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 60 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 40 | 32 МБ | ФЛЭШ, НО | 16б | 108 МГц | 80 нс | 24б | 32MX8 | 8 | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65603S150PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65603s150pf8-datasheets-8708.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,325 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,04 А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 6116LA20TDB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | 5,08 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116la20tdb-datasheets-8698.pdf | КРИС | 32,51 мм | 7,62 мм | 5В | Содержит свинец | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,56 мм | 1 | Нет | 1 | 120 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 240 | 5В | 2,54 мм | 24 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | MIL-STD-883 Класс B | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 11б | 2КХ8 | 0,0003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В2556С166ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2556s166pf8-datasheets-8689.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,35 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 3,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В |
