Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDT71T75602S150PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75602s150pf8-datasheets-0951.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,215 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,04 А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||
| 70В3589С133ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3589s133bc8-datasheets-0914.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 2,3 МБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 400 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 16б | 64КХ36 | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 70В657С12БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v657s12bf8-datasheets-0908.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 465 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 30б | 0,015А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 7164L20YG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7164l20yg-datasheets-0901.pdf | 17,9 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 28 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 64 КБ | да | 2,67 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 90 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 8 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 13б | 8КХ8 | 0,00006А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||
| 70В3569С5БФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3569s5bf-datasheets-0869.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 576 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫВОДА, ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХРОНИРОВАНИЕМ | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 0,36 мА | 72кБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 100 МГц | 28б | 16КХ36 | 0,015А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 70P3519S166BCGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 85°С | -40°С | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70p3519s166bcgi8-datasheets-0866.pdf | 17 мм | 17 мм | 1,8 В | Без свинца | 256 | Параллельно | 9 Мб | 1,4 мм | 2 | Нет | ОЗУ, СРАМ | 18б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9079С7ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 70°С | 0°С | 45,45 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9079s7pf-datasheets-0862.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 335 мА | 100 | 32КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 7 нс | 15б | 8б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7132ЛА55Л48Б | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132la55l48b-datasheets-0864.pdf | ООО | 14,2 мм | 14,22 мм | 5В | Содержит свинец | 48 | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 16 КБ | нет | 1,78 мм | 2 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 140 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | 240 | 5В | 1,016 мм | 48 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | MIL-PRF-38535 | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 22б | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3556S150BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | 150 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s150bq-datasheets-0857.pdf | 165 | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В658С10БФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/integrateddevicetechnology-70v658s10bf-datasheets-0786.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 МБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 32б | 64КХ36 | 0,015А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 709279L9PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 40 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709279l9pf8-datasheets-0784.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 350 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 9 нс | 30б | 0,005А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||
| 70В06С15ДЖ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06s15j8-datasheets-0777.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 68 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 215 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 28б | 16КХ8 | 0,005А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В2559С75ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2559s75pfg-datasheets-0771.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709079Л15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 28,5 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709079l15pf8-datasheets-0772.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 285 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 30 нс | 30б | 0,005А | 8б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| 7026С35Г | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7026s35g-datasheets-0720.pdf | 27,94 мм | 27,94 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 256 КБ | нет | 3,68 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 295мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 240 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 32КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 14б | 16КХ16 | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 709269L9PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 66,6 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709269l9pf8-datasheets-0715.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 350 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 28б | 16КХ16 | 0,005А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||
| IDT71V2556XS133PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2556xs133pf8-datasheets-0711.pdf | ЛКФП | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В7519С166ДРИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 166 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v7519s166dri-datasheets-0708.pdf | ПКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 9 Мб | нет | 3,5 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 830 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 18б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||
| 71В30Л25ТФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v30l25tf8-datasheets-0689.pdf | ЛКФП | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 8 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 120 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 20б | 1КХ8 | 0,003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||
| 71В321Л25ТФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v321l25tfi-datasheets-0684.pdf | TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 16 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 130 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 64 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 22б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||
| 7007L55J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7007l55j8-datasheets-0674.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 256 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 230 мА | 32КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 30б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7006L20JGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006l20jgi8-datasheets-0624.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Без свинца | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 128 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 68 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 28б | 16КХ8 | 0,004А | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||
| 70В631С12БФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v631s12bfi8-datasheets-0622.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 515 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 71В3577С80ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s80pfg-datasheets-0615.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ПОТОК ЧЕРЕЗ АРХИТЕКТУРУ | Нет | 1 | 200 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 7024L20J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024l20j8-datasheets-0597.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 240 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 24б | 4КХ16 | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||
| IDT71V2556XS133PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2556xs133pf-datasheets-0584.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 4,2 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7016С25ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7016s25pf8-datasheets-0576.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 80 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 80 | Параллельно | 144 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | СЕМАФОР; ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 265 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 14б | 16КХ9 | 0,015А | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| 7025L20JI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l20ji8-datasheets-0559.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 320 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 13б | 8КХ16 | 0,004А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||
| IDT71V424S15PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424s15ph-datasheets-0548.pdf | ТСОП | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1 | не_совместимо | 1 | 160 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 19б | 8 | 0,02 А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TC58CYG0S3HQAIE | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 14 недель |
