Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 70В35Л20ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v35l20pfi-datasheets-2388.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 144 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 195 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 26б | 8КХ18 | 0,005А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||
| IDT71V256SA10YGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v256sa10ygi8-datasheets-2326.pdf | 17,9324 мм | 7,5184 мм | 28 | 28 | Параллельно | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 0,002А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т3319С133БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3319s133bf8-datasheets-2319.pdf | 15 мм | 15 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 370 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 18б | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 709369L9PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | 66,6 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709369l9pf8-datasheets-2313.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 288 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 400 мА | ОЗУ, СРАМ | 20 нс | 28б | 18б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7006Л25ФБ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006l25fb-datasheets-2307.pdf | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 128 КБ | 2 мм | 2 | Нет | 280 мА | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 14б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V256SA10YGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 85°С | -40°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v256sa10ygi-datasheets-2223.pdf | 3,3 В | 28 | 3,6 В | 3В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | EAR99 | неизвестный | 1 | 100 мА | е0 | Оловянный свинец | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 10 нс | 15б | 32КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70261С55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70261s55pf8-datasheets-2209.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 270 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 28б | 16КХ16 | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||
| 709369L9PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 40 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709369l9pf-datasheets-2206.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 288 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 400 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 28б | 16КХ18 | 0,003А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||
| 70В659С10БЦГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v659s10bcg-datasheets-2174.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 0,5 мА | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 34б | 0,015А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 70В05С55Ж | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v05s55j-datasheets-2162.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 68 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 26б | 8КХ8 | 0,005А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA25Y8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa25y8-datasheets-2141.pdf | 17,9324 мм | 7,5184 мм | 28 | 28 | Параллельно | 1 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 25 нс | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709159L7PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 45,45 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709159l7pf-datasheets-2139.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 72 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 400 мА | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 7 нс | 26б | 9б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т653МС15ВС | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t653ms15bc-datasheets-2128.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 18 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 600 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 38б | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 709369L7PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | 45,45 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709369l7pf8-datasheets-2125.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 288 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 465 мА | ОЗУ, СРАМ | 18 нс | 14б | 18б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65903С80БГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65903s80bgi8-datasheets-2065.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 119 | Параллельно | 9 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | СРАМ | 0,06 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 19б | 0,06А | 8 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 71В416С10БЕГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416s10beg8-datasheets-2064.pdf | ТФБГА | 9 мм | 9 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 4 Мб | да | 1,2 мм | 1 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 0,2 мА | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 18б | 0,02 А | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В2546С150ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2546s150pf8-datasheets-2053.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,325 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В65603С150ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65603s150pfi-datasheets-2048.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,345 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,06А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 709369L7PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 45,45 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709369l7pf-datasheets-2040.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 288 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 465 мА | ОЗУ, СРАМ | 18 нс | 28б | 18б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9269Л9ПРФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 40 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9269l9prf8-datasheets-2009.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 128 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 225 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 9 нс | 14б | 16КХ16 | 0,003А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||
| 71В416ИС10ПХГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416ys10phg-datasheets-2012.pdf | ТСОП | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 200 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 18б | 16 | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V256SA10PZGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v256sa10pzgi-datasheets-2008.pdf | ЦСОП | 11,8 мм | 8 мм | 28 | Параллельно | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,55 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G28 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65903С80БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 95 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65903s80bg-datasheets-1979.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 9 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 19б | 0,04 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 70В3379С5БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3379s5bf8-datasheets-1975.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 576 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХР. | Нет | 1 | 360 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 72кБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 30б | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA12Y8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa12y8-datasheets-1968.pdf | 20,955 мм | 10,16 мм | 32 | 32 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 7140SA55J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140sa55j8-datasheets-1958.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 155 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 10б | 1КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 70В657С12ДР | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v657s12dr-datasheets-1943.pdf | ПКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 3,5 мм | 2 | Нет | 1 | 465 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 30б | 0,015А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3556S150BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 150 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s150bq8-datasheets-1929.pdf | 165 | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7007L25J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7007l25j8-datasheets-1924.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 256 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 265 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 15б | 0,005А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 70V06L15JG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06l15jg-datasheets-1876.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Без свинца | 68 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 68 | Параллельно | 128 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 185 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | ОЗУ, СРАМ | 15 нс | 28б | 16КХ8 | 8б | Асинхронный |
