BAT18,215 - NXP Semiconductors RF Diodes - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT

BAT18 215

BAT18,215 DATAHATE PDF и DIODES - rч -prodookt OT nxp USA Inc. Акгии идопенджи.


  • Проиджоделх: Nxp poluprovoDonnyki
  • НЕТ: 568-18 215
  • Епаково: Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Theхniчeskaya opehy-fikaцian: pdf
  • ЗapaS: 3800
  • Описани: BAT18,215 DATAHATE PDF и DIODES - Rч -PRODOKT OT NXP USA Inc. DOOPTUPNыPO -OADRESUE FEILIDI (К.)

Колиство:


  • Достопримечательность: Delivery
  • Оплата: payment

Вналишии

POHALUйSTA, OTPRARAHTER RFQ, Mы OTWETOTIM.

authentication (1) authentication (2) authentication (3) authentication (4) authentication (5) authentication (6) authentication (7) authentication (8) authentication (9)

Поку Ипрос

Транспорт

RukovodSTWOPOLHOWOLELEL

Покупра

Весель
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnavan apapryka, braзilia, indian
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.transport

Спесеикаиии

Парметр
Верна - 8
PakeT / KORPUES Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Пефер В дар
Диднн Кремни
Rraboч -yemperatura 125 ° C TJ
Епако Lenta и катахка (tr)
Опуликовано 2001
КОД JESD-609 E3
Статус Прохл
Вернояж 1 (neograniчennnый)
Колист 3
ТЕРМИНАЛЕН Олово (sn)
HTS -KOD 8541.10.00.70
Подкейгория БУЛАНСЕ ДИОДА
Тела Пелосител ведурский
Терминала Дон
Терминаланая Крхлоп
Пико -Аймперратара 260
Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) 40
Я BAT18
Поседл 3
КОД JESD-30 R-PDSO-G3
Кваликакахионн Статус Н.Квалиирована
Колист 1
Дип Станодарт - Сингл
Прилоэн Псевдон
ТОК - МАКС 100 май
JEDEC-95 Кодеб TO-236AB
Emcostath @ vr, f 1pf @ 20- 1 mmgц
Napraheneee - пик в 35
Polomca naprayaжeniar-mimin 35
Опрена 20
DioDnanhangion emcostath-nom 0,75 м
СОПРЕТИВЛЕЕЕЕ @ if, f 700mohm @ 5ma 200 mmgц
Diodnanhangion emcostath-maks 1pf
Ток 5 май
Астетат на диди 100 мг
Diodprawoprodawlivanyayany -opprotirowoneee 0,7 ОМ
Статус Ройс Rohs3

BAT18 215 OBзOR


Rabota -c 100 мая

BAT18 215 Фуевши


омокально -тотака 100 мам.
Прри Сонмико -в Анапраяни Пёмки 35 В

BAT18 215 зAYVOK


Вернам NXP USA Inc. BAT18 215 ПРИЛОГЕНЕГО РФ DIODES.

  • Cхemы oTborA prob
  • Bandswitch длтевизиигионн
  • Сэриджнидд апреля
  • RF Attenuators
  • Radiolocahyonnene -ystemы имодули
  • NosiMы ustroйpsta
  • МОДУЛАТОР
  • Управо
  • Верно
  • Зahymnee цepi

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.