BQ2201PN

Обзор BQ2201PN

В комплект поставки входит пакет материалов из тюбика. Для экономии места на плате предусмотрен 8-DIP (0,300, 7,62 мм). Энергонезависимая SRAM отличается высоким качеством и надежностью. Установите рабочую температуру 0°C~70°C. Нормальная работа при напряжении 4,5–5,5 В требует подачи напряжения. Сквозное отверстие — это метод, необходимый для его установки. Помимо этого номера детали, доступны дополнительные электронные компоненты в соответствии с базовым номером детали BQ2201. На конечных линиях передачи имеется 8 устройств для предотвращения отражения оконечных сигналов от концов. На устройстве подается примерно 5В вольт. На плате настроений 8 контактов. Он состоит из 8 каналов и представляет собой своеобразную электронную аппаратуру. Он включен в подкатегорию «Схемы управления питанием». Имеется 1 канал, предназначенный для программного обеспечения передачи данных. Если предусмотрено питание 5 В, можно достичь высокой эффективности. Как видите, тип оригинальной микросхемы — ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ПИТАНИЯ. На внутреннюю цепь можно подавать максимальный ток 5 мА, не вызывая ухудшения ее характеристик или повреждения цепи. Это устройство, которое получает напряжение 5 В от своего источника питания.

Особенности BQ2201PN

Доступен в корпусе 8-DIP (0,300, 7,62 мм).
Энергонезависимая SRAM от типа контроллера
Рабочая температура 0°C~70°C
Рабочее напряжение питания 5В

Приложения BQ2201PN

Существует множество приложений для контроллеров памяти Texas Instruments BQ2201PN.

• Высокая надежность и промышленные твердотельные накопители (SSD)
• Карты microSD для потребительских и мобильных приложений
• Диск на плате
• Интернет-техника
• Высокая надежность и промышленные карты Compact FlashTM (CFC)
• Встроенная флэш-память eMMC
• Встроенные флэш-накопители «система в корпусе» (SiP) (eSSD)
• Факсимиле, принтеры и копировальные аппараты
• ПК-карты PCMCIA или ATA
• Мультичиповые модули (MCM)