Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактBZX84B10LT1G
Техническое описание BZX84B10LT1G в формате pdf и диоды — стабилитроны — подробные сведения об отдельных продуктах со склада ON Semiconductor доступны на сайте Feilidi.
- Производитель: ОН Полупроводник
- НЕТ: 598-BZX84B10LT1G
- Упаковка: ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
- Техническая спецификация:
- Запас: 5855
- Описание: Техническое описание BZX84B10LT1G в формате pdf и диоды - Зенер - Подробная информация об отдельных продуктах со склада ON Semiconductor в наличии в Feilidi (кг)
- Доставка:
- Оплата:
В наличии
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме реального времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Запрос цен (запрос котировок)Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.
Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.
В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.
Срок поставкиПосле отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:
FedEx International, 5-7 рабочих дней.
Ниже приводится время логистики некоторых стран.
| Параметры | |
|---|---|
| Срок выполнения заказа на заводе | 4 недели |
| Статус жизненного цикла | АКТИВНО (последнее обновление: 22 часа назад) |
| Контактное покрытие | Олово |
| Установить | Поверхностный монтаж |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 |
| Количество контактов | 3 |
| Материал диодного элемента | КРЕМНИЙ |
| Рабочая температура | -65°С~150°С ТДж |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Опубликовано | 2012 год |
| Толерантность | ±2% |
| Код JESD-609 | е3 |
| Код Pbfree | да |
| Статус детали | Активный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Количество окончаний | 3 |
| ECCN-код | EAR99 |
| Код HTS | 8541.10.00.50 |
| Подкатегория | Диоды опорного напряжения |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 250 мВт |
| Технология | ЗЕНЕР |
| Положение терминала | ДВОЙНОЙ |
| Терминальная форма | КРЫЛО ЧАЙКИ |
| Количество контактов | 3 |
| Статус квалификации | Не квалифицированный |
| Количество элементов | 1 |
| Полярность | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ |
| Импеданс | 15Ом |
| Конфигурация элемента | Одинокий |
| Тип диода | стабилитрон |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 200 нА при 7 В |
| Напряжение — вперед (Vf) (Макс) @ If | 900 мВ при 10 мА |
| Максимальный обратный ток утечки | 200нА |
| Импеданс-Макс. | 15Ом |
| Тестовый ток | 5мА |
| Опорное напряжение | 10 В |
| Стабильное напряжение | 10 В |
| Напряжение Тол-Макс | 2% |
| Защита от ЭСР | Да |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Без свинца | Без свинца |
Обзор BZX84B10LT1G
Обратный ток утечки для данного устройства должен составлять 200 нА при 7 В. Напряжение (Tol) ограничено до 2%. Обратный ток утечки, достигающий 200 нА, является максимальным. Это значение достигает 900 мВ при 10 мА при приложении максимального напряжения (Vf).
Особенности BZX84B10LT1G
обратный ток утечки 200 нА при 7 В
200 нА при 7 В — максимальное напряжение (Tol).
Обратный ток утечки достигает 200 нА.
Приложения BZX84B10LT1G
Компания ON Semiconductor BZX84B10LT1G располагает множеством прикладных одиночных стабилитронов.
