ИС43LR32160C-6БЛИ

Память микросхемы 13 мм мм

Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
НЕТ: 413-IS43LR32160C-6БЛИ
Упаковка: 90-ТФБГА
Техническая спецификация:
Запас: 253
Описание: Память микросхемы 13 мм (кг)

Количество:

Доставка:
Оплата:

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.

Контактное имя

Деловая электронная почта

Название компании

Страна

Количество

Покупка и запрос

Транспорт

Руководство пользователя

Покупка

Вы можете сделать ссылку без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме реального времени.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран. transport

СПЕЦИФИКАЦИИ

Параметры
Срок выполнения заказа на заводе	14 недель
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	90-ТФБГА
Поверхностный монтаж	ДА
Количество контактов	90
Рабочая температура	-40°С~85°С ТА
Упаковка	Поднос
Статус детали	Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Количество окончаний	90
Дополнительная функция	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ
Технология	SDRAM — мобильный LPDDR
Напряжение питания	1,7 В~1,95 В
Положение терминала	НИЖНИЙ
Количество функций	1
Напряжение питания	1,8 В
Терминал Питч	0,8 мм
Статус квалификации	Не квалифицирован
Рабочее напряжение питания	1,8 В
Напряжение питания-Макс (Vsup)	1,95 В
Минимальное напряжение питания (Vsup)	1,7 В
Размер	512Мб 16М х 32
Количество портов	1
Тип	Неустойчивый
Режим работы	СИНХРОННЫЙ
Максимальный ток питания	60 мА
Тактовая частота	166 МГц
Время доступа	5,5 нс
Формат памяти	ДРАМ
Интерфейс памяти	Параллельно
Ширина шины данных	32б
Организация	16MX32
Выходные характеристики	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
Ширина памяти	32
Время цикла записи — Word, Page	12нс
Максимальный ток в режиме ожидания	0,00001А
Плотность памяти	536870912 бит
Тип ввода/вывода	ОБЩИЙ
Циклы обновлений	8192
Последовательная длина пакета	24816
Длина очередного пакета	24816
Длина	13 мм
Высота сидя (макс.)	1,2 мм
ДОСТИГНУТЬ СВХК	Нет СВХК
Статус RoHS	Соответствует ROHS3

Обзор IS43LR32160C-6BLI

Энергозависимую память можно отнести к типу памяти этого устройства. Кроме того, память микросхем также доступна в лотке. Микросхема памяти, встроенная в корпус 90-TFBGA, представляет собой один файл. В чипе имеется память 512Мб 16М х 32, что соответствует размеру чипа памяти. В этом устройстве используется память в формате DRAM, которая используется в основных устройствах. Благодаря расширенному диапазону рабочих температур от -40°C до 85°C это устройство позволяет использовать его в различных требовательных приложениях. Устройство способно выдерживать напряжение питания 1,7–1,95 Вольт. Рекомендуемый тип крепления микросхем памяти — поверхностный монтаж. Всего на чипе установлено 90 окончаний. Комплексная рабочая процедура эта часть включает в себя 1 функцию. Для питания этого запоминающего устройства потребуется напряжение 1,8 В. Вращение тактовой частоты в пределах 166 МГц используется микросхемой памяти для передачи данных. Для размещения данного устройства используется 90-контактный корпус, обеспечивающий это запоминающее устройство. Имеется примечание о том, что работа микросхемы памяти работает при напряжении питания 1,8В. Этот чип обладает всеми преимуществами обычного чипа, но также имеет функцию АВТОМАТИЧЕСКОГО/САМООБНОВЛЕНИЯ для повышения производительности системы. 1 порт обеспечивают доступ для чтения/записи к одному адресу памяти в этом чипе. В рамках конструкции портов адреса ввод-вывод осуществляется в памяти с использованием номера ОБЩЕГО бита. Он может работать с током до 60 мА максимум.