ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Устанавливать	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Частота	Режим работы	Высота сидя (макс.)	Статус RoHS	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Длина	Ширина	Рабочее напряжение питания	Максимальный ток питания	Количество окончаний	Время выполнения заказа на заводе	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Максимальное напряжение питания	Минимальное напряжение питания	Количество контактов	Интерфейс	Плотность	Код Pbfree	Количество портов	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Макс. частота	Код HTS	Количество функций	Номинальный ток питания	Код JESD-609	Терминал отделки	Поверхностный монтаж	Напряжение питания	Положение терминала	Пиковая температура оплавления (Цел)	Напряжение питания	Терминал Питч	Количество контактов	Напряжение питания-Макс (Vsup)	Минимальное напряжение питания (Vsup)	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Источники питания	Максимальный ток питания	Статус квалификации	Код JESD-30	Пакет устройств поставщика	Уровень скрининга	Размер памяти	Тип памяти	Ширина шины данных	Выходные характеристики	Время доступа	Тактовая частота	Ширина адресной шины	Формат памяти	Интерфейс памяти	Организация	Ширина памяти	Время цикла записи — Word, Page	Плотность памяти	Максимальный ток в режиме ожидания	Размер слова	Время доступа (макс.)	Синхронизация/Асинхронность	Тип ввода/вывода	Циклы обновления	Последовательная длина пакета	Длина чередующегося пакета	Напряжение в режиме ожидания-мин.
IS62WV102416ALL-35TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — асинхронный				Соответствует ROHS3		48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм)			1,8 В		48	8 недель				48		16 Мб	да	1			Нет			1	30 мА	е3	Матовое олово (Sn) - отожженное	ДА	1,65 В~2,2 В	ДВОЙНОЙ	260	1,8 В	0,5 мм	48	2,2 В		40							16Мб 1М х 16	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ			20б	СРАМ	Параллельно		16	35 нс			16б	35 нс	Асинхронный	ОБЩИЙ
ИС61КДБ451236А-250М3Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, QUAD			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм	15 мм			165	12 недель				165			да		3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА			8542.32.00.41	1		е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ	ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ	260	1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В	10	1,5/1,81,8 В	0,7 мА	Не квалифицирован				18Мб 512К х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	1,8 нс	250 МГц		СРАМ	Параллельно	512КХ36	36		18874368 бит	0,27 А				ОТДЕЛЬНЫЙ				1,7 В
ИС49РЛ36160-107БЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			КМОП		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		168-ЛБГА	13,5 мм		1,35 В		168	14 недель				168				1	EAR99	АВТООБНОВЛЕНИЕ		933 МГц	8542.32.00.32	1					1,28 В~1,42 В	НИЖНИЙ		1,35 В	1 мм	168	1,42 В	1,28 В			3мА	Не квалифицирован				576Мб 16М х 36	Неустойчивый	36б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	10 нс		23б	ДРАМ	Параллельно	16MX36	36		603979776 бит	0,125А				ОБЩИЙ		248	248
ИС61КДПБ21М36А-333М3Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, QUADP			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм	15 мм			165	12 недель				165					3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА			8542.32.00.41	1				ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ		1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В		1,5/1,81,8 В	1,2 мА	Не квалифицирован				36Мб 1М х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	8,4 нс	333 МГц		СРАМ	Параллельно	1MX36	36		37748736 бит	0,29 А				ОТДЕЛЬНЫЙ				1,7 В
ИС61ДДБ24М18А-300Б4ЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, DDR II			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	15 мм	13 мм			165	12 недель				165					3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА			8542.32.00.41	1				ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В	НЕ УКАЗАН							72Мб 4М х 18	Неустойчивый			450 пс	300 МГц		СРАМ	Параллельно	4MX18	18		75497472 бит
IS61LPS204818B-200TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$156,49	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP			3,3 В		100	12 недель				100		36 Мб		2						1	360 мА	е3	МАТОВАЯ ТУНКА		3,135 В~3,465 В	КВАД	260	3,3 В	0,65 мм	100	3,465 В	3,135 В	10			Не квалифицирован				36Мб 2М х 18	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	3,1 нс	200 МГц	21б	СРАМ	Параллельно		18				18б		синхронный	ОБЩИЙ				3,14 В
IS61LF204836B-7.5TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR				Соответствует ROHS3		100-LQFP						12 недель				100								117 МГц							3,135 В~3,465 В															72Мб 2М х 36	Неустойчивый			7,5 нс			СРАМ	Параллельно
ИС61КДП2Б42М36А-400М3Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, QUADP			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм	15 мм			165	12 недель				165					3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА			8542.32.00.41	1				ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ		1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В		1,5/1,81,8 В	1,2 мА	Не квалифицирован				72Мб 2М х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	8,4 нс	400 МГц		СРАМ	Параллельно	2MX36	36		75497472 бит	0,36 А				ОТДЕЛЬНЫЙ				1,7 В
ИС61КДПБ42М36А-500Б4Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, QUADP			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	15 мм	13 мм			165	12 недель				165										1				ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ		1,8 В	1 мм		1,89 В	1,71 В		1,8 В	1,2 мА	Не квалифицирован				72Мб 2М х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	8,4 нс	500 МГц		СРАМ	Параллельно	2MX36	36		75497472 бит	0,36 А				ОТДЕЛЬНЫЙ				1,71 В
ИС61КДПБ42М36А-500М3ЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, QUADP			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм		1,8 В		165	12 недель				165		72 Мб		2		КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА				1	1,2А			ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ		1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В				Не квалифицирован				72Мб 2М х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	8,4 нс	500 МГц	19б	СРАМ	Параллельно		36			0,36 А	36б		синхронный	ОТДЕЛЬНЫЙ				1,71 В
IS64LF102436B-7.5TQLA3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — асинхронный			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм	14 мм			100	12 недель									3A991.B.2.A				8542.32.00.41	1				ДА	3,135 В~3,465 В	КВАД		3,3 В	0,65 мм	100	3,465 В	3,135 В		2,5/3,33,3 В		Не квалифицирован	Р-PQFP-G100		АЭК-Q100	36Мб 1М х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	7,5 нс	117 МГц		СРАМ	Параллельно	1MX36	36		37748736 бит	0,115А				ОБЩИЙ				3,14 В
ИС64ВФ12832А-7.5ТКЛА3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм		2,5 В		100	12 недель				100		4 Мб	да	4	3A991.B.2.A	ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА	Нет			1		е3	Матовое олово (Sn) - отожженное	ДА	2,375 В~2,625 В	КВАД	260	2,5 В	0,65 мм	100	2,75 В	2,375 В	40		0,175 мА					4Мб 128К х 32	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	7,5 нс	117 МГц	17б	СРАМ	Параллельно	128КХ32	32							ОБЩИЙ				2,38 В
ИС61ЛПС25636А-200ТКИ-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	2 (1 год)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Не соответствует требованиям RoHS	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps25636a200tqitr-datasheets-9088.pdf	100-LQFP	20 мм	14 мм			100					100			нет		3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА			8542.32.00.41	1		е0	Оловянный свинец	ДА	3,135 В~3,465 В	КВАД	НЕ УКАЗАН	3,3 В	0,65 мм	100	3,465 В	3,135 В	НЕ УКАЗАН			Не квалифицирован				9Мб 256К х 36	Неустойчивый			3,1 нс	200 МГц		СРАМ	Параллельно	256КХ36	36		9437184 бит
IS61LF102418B-7.5TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм	14 мм			100	12 недель							да			ПРОТОКОВЫЙ				1				ДА	3,135 В~3,465 В	КВАД	НЕ УКАЗАН	3,3 В	0,65 мм		3,465 В	3,135 В	НЕ УКАЗАН				Р-PQFP-G100			18Мб 1М х 18	Неустойчивый			7,5 нс	117 МГц		СРАМ	Параллельно	1MX18	18		18874368 бит
ИС42С16320Д-6ТЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$15,18	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM			1,2 мм	Соответствует ROHS3		54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм)	22,22 мм		3,3 В		54	6 недель				54		512 Мб		1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ	Нет			1	180 мА				3В~3,6В	ДВОЙНОЙ		3,3 В	0,8 мм	54	3,6 В	3В								512Мб 32М х 16	Неустойчивый	16б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс	166 МГц	15б	ДРАМ	Параллельно	32MX16	16			0,004А				ОБЩИЙ	8192	1248ФП	1248
ИС61НЛП102418Б-200Б3ЛИ-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,2 мм	Соответствует ROHS3		165-ТБГА	15 мм	13 мм			165	12 недель				165			да							1				ДА	3,135 В~3,465 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В	1 мм		3,465 В	3,135 В	НЕ УКАЗАН							18Мб 1М х 18	Неустойчивый			3нс	200 МГц		СРАМ	Параллельно	1MX18	18		18874368 бит
ИС42С16320Д-6БЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$14,58	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM			1,2 мм	Соответствует ROHS3		54-ТФБГА	13 мм		3,3 В		54	6 недель				54		512 Мб		1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ	Нет			1	180 мА				3В~3,6В	НИЖНИЙ		3,3 В	0,8 мм	54	3,6 В	3В								512Мб 32М х 16	Неустойчивый	16б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс	166 МГц	15б	ДРАМ	Параллельно	32MX16	16			0,004А				ОБЩИЙ	8192	1248ФП	1248
ИС42С32160Д-6БЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$23,83	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		90-ТФБГА	13 мм		3,3 В		90	8 недель				90		512 Мб		1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ			8542.32.00.28	1	245 мА				3В~3,6В	НИЖНИЙ		3,3 В	0,8 мм	90	3,6 В	3В				Не квалифицирован				512Мб 16М х 32	Неустойчивый	32б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс	166 МГц	15б	ДРАМ	Параллельно	16MX32	32			0,004А				ОБЩИЙ	8192	1248ФП	1248
ИС46ТР16256АЛ-15ХБЛА2-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~105°К ТС	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM-DDR3				Соответствует ROHS3		96-ТФБГА				240 мА		10 недель				96															1,283 В~1,45 В															4 ГБ 256 М x 16	Неустойчивый	16б		20 нс	667 МГц		ДРАМ	Параллельно			15нс
IS61NLP25618A-200TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	2 (1 год)	85°С	-40°С	SRAM – синхронный, SDR	200 МГц			Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlp25618a200tqlitr-datasheets-9396.pdf	100-LQFP			3,3 В			12 недель		3,465 В	3,135 В	100	Параллельно	4 Мб		2				200 МГц			210 мА				3,135 В~3,465 В													100-ТКФП (14x20)		4,5Мб 256К х 18	Неустойчивый			3,1 нс	200 МГц	18б	СРАМ	Параллельно						18б		синхронный
ИС46ТР16128Б-15ХБЛА1-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~95°К ТС	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM-DDR3		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		96-ТФБГА	13 мм		1,5 В		96	10 недель				96		2 ГБ	да	1		АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ				1				ДА	1,425 В~1,575 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,5 В	0,8 мм		1,575 В	1,425 В	НЕ УКАЗАН							2 ГБ 128 М x 16	Неустойчивый			20 нс	667 МГц	14б	ДРАМ	Параллельно	128MX16	16	15нс
ИС43ЛР16320Б-6БЛ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM — мобильный LPDDR		СИНХРОННЫЙ	1,1 мм	Соответствует ROHS3		60-ТФБГА	10 мм		1,8 В		60	14 недель				60		512 Мб	да	1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ			8542.32.00.28	1	110 мА	е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ		1,7 В~1,95 В	НИЖНИЙ	260	1,8 В	0,8 мм	60	1,95 В	1,7 В	40			Не квалифицирован				512Мб 32М х 16	Неустойчивый	16б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,5 нс	166 МГц	15б	ДРАМ	Параллельно	32MX16	16	12нс		0,00001А				ОБЩИЙ	8192	24816	24816
ИС46Р16320Э-5БЛА1	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM-DDR				Соответствует ROHS3		60-ТФБГА						10 недель				60		512 Мб						200 МГц							2,3 В~2,7 В															512Мб 32М х 16	Неустойчивый			700пс		13б	ДРАМ	Параллельно			15нс
ИС43Р16320Д-5ТЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$5,06	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM-DDR			1,2 мм	Соответствует ROHS3		66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм)	22,22 мм		2,5 В		66	8 недель				66		512 Мб	да	1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ	Нет		8542.32.00.28	1	430 мА	е3	МАТОВАЯ ТУНКА		2,5 В~2,7 В	ДВОЙНОЙ	260	2,6 В	0,65 мм	66	2,7 В		40	2,6 В						512Мб 32М х 16	Неустойчивый	16б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	700пс	200 МГц	15б	ДРАМ	Параллельно	32MX16	16	15нс		0,025А				ОБЩИЙ	8192	248	248
ИС46ДР16320Д-25ДБЛА2	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~105°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM-DDR2		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		84-ТФБГА	12,5 мм		1,8 В		84	8 недель						512 Мб		1	EAR99	ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS			8542.32.00.28	1		е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ	ДА	1,7 В~1,9 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,8 В	0,8 мм		1,9 В	1,7 В	НЕ УКАЗАН		0,25 мА	Не квалифицирован	Р-ПБГА-Б84			512Мб 32М х 16	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	400пс	400 МГц	13б	ДРАМ	Параллельно	32MX16	16	15нс		0,025А				ОБЩИЙ	8192	48	48
ИС45С32800ДЖ-6ТЛА1	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм)	22,22 мм		3,3 В		86	8 недель				86		256 Мб		1		АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ				1				ДА	3В~3,6В	ДВОЙНОЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В	0,5 мм		3,6 В	3В	НЕ УКАЗАН							256Мб 32М х 8	Неустойчивый			5,4 нс	166 МГц	12б	ДРАМ	Параллельно	8MX32	32
ИС46Р86400Д-6ТЛА1-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM-DDR		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is46r86400d6tla1tr-datasheets-9497.pdf	66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм)	22,22 мм				66	10 недель				66			да	1		АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ				1		е3	МАТОВАЯ ТУНКА	ДА	2,3 В~2,7 В	ДВОЙНОЙ	225	2,5 В	0,65 мм		2,7 В	2,3 В	НЕ УКАЗАН	2,5 В	0,37 мА	Не квалифицирован			АЭК-Q100	512Мб 64М х 8	Неустойчивый	8б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	700пс	166 МГц		ДРАМ	Параллельно	64MX8	8	15нс	536870912 бит	0,025А				ОБЩИЙ	8192	248	248
ИС43LR32160C-6БЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$8,05	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM — мобильный LPDDR		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		90-ТФБГА	13 мм		1,8 В	60 мА	90	14 недель	Нет СВХК			90				1		АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ				1				ДА	1,7 В~1,95 В	НИЖНИЙ		1,8 В	0,8 мм		1,95 В	1,7 В				Не квалифицирован				512Мб 16М х 32	Неустойчивый	32б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,5 нс	166 МГц		ДРАМ	Параллельно	16MX32	32	12нс	536870912 бит	0,00001А				ОБЩИЙ	8192	24816	24816
ИС61ДДП2Б41М18А-400М3Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, DDR IIP			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм	15 мм			165	12 недель				165					3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА			8542.32.00.41	1				ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ		1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В		1,5/1,81,8 В	0,75 мА	Не квалифицирован				18Мб 1М х 18	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ		400 МГц		СРАМ	Параллельно	1MX18	18		18874368 бит	0,32 А		0,45 нс		ОБЩИЙ				1,71 В
ИС61ДДПБ21М18А-400М3Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, DDR IIP			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм	15 мм			165	12 недель				165			да		3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА			8542.32.00.41	1		е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ	ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ	260	1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В	40	1,8 В	0,75 мА	Не квалифицирован				18Мб 1М х 18	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ		400 МГц		СРАМ	Параллельно	1MX18	18		18874368 бит	0,32 А		0,45 нс		ОБЩИЙ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии