Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС61ЛФ102418Б-7.5ТК-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16128Б-25ЭБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 13,5 мм | 1,8 В | 84 | 84 | 2 ГБ | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25CD010-JDLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,3 В | 15 мА | 157,991892мг | 8 | SPI, серийный | 1 Мб | 2,7 В~3,6 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 100 МГц | 17б | ВСПЫШКА | СПИ | 5 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16128Б-25ЭБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 1,8 В | 84 | 2 ГБ | 1,7 В~1,9 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WQ020-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 1 мс | 2097152 бит | 0,00005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP128-JGLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 0,014 мА | Р-ПБГА-Б24 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX8 | 8 | 1 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | 0,000065А | 4-ПРОВОДНОЙ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV204816ALL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 1 | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 10 нс | 33554432 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16200Д-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | С-ПБГА-Б54 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 33554432 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16800Г-75БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm16800g6bli-datasheets-4412.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 2,7 В | С-ПБГА-Б54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16800Г-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm16800g6bli-datasheets-4412.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМОБНОВЛЕНИЕ, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 2,5 В, 1,8 В. | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 2,7 В | 1,8 В | 0,105 мА | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32400Е-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45vm16800e75bla1-datasheets-4424.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 90 | 1,95 В | 1,7 В | 40 | 1,8 В | 0,14 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б90 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,000015А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43QR16256A-093PBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR4 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43qr16256a093pbli-datasheets-4639.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,8 мм | 1,26 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 1,05 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 4294967296 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ020B-JDLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX1 | 1 | 800 мкс | 2097152 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV25616DALL-55BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 48-ТФБГА | 48 | 1,65 В~2,2 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ25616ДБЛЛ-45БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 48 | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,3 В | 0,018 мА | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 45нс | 4194304 бит | 0,000007А | 45 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ22М18К-250М3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ42М18К-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP032D-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 4MX8 | 8 | 800 мкс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Д-5Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43r86400d5b-datasheets-1406.pdf | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,5 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 2,6 В | 0,8 мм | 2,7 В | 2,5 В | Р-ПБГА-Б60 | 512М 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15 нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ204816БЛЛ-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $16,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 10 нс | 33554432 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP064-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 1,8 В | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 7нс | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ032B-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 8 недель | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 32MX1 | 1 | 1 мс | 33554432 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Г-6ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ51216БЛЛ-55БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $14,78 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8,8 мм | 900 мкм | 7,3 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 18 МГц | 1 | 5мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,5 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,5 В | 10 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 0,00002А | 16б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД51236А-250Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR16128CL-125KBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $11,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 10 | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД102418А-250Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV10248EBLL-45BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,94 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ВФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 48 | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX8 | 8 | 45нс | 8388608 бит | 45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ51236А-7.5Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ25616БЛЛ-10ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $6,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv25616bll10tlitr-datasheets-2920.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 8 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 100 МГц | 1 | 40 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,008А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В |
