ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Устанавливать	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Режим работы	Высота сидя (макс.)	Статус RoHS	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Длина	Высота	Ширина	Рабочее напряжение питания	Без свинца	Максимальный ток питания	Количество окончаний	Время выполнения заказа на заводе	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Максимальное напряжение питания	Минимальное напряжение питания	Количество контактов	Интерфейс	Плотность	Код Pbfree	Количество портов	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Макс. частота	Достичь кода соответствия	Код HTS	Количество функций	Номинальный ток питания	Код JESD-609	Особенность	Терминал отделки	Поверхностный монтаж	Напряжение питания	Положение терминала	Пиковая температура оплавления (Цел)	Напряжение питания	Терминал Питч	Количество контактов	Напряжение питания-Макс (Vsup)	Минимальное напряжение питания (Vsup)	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Источники питания	Максимальный ток питания	Статус квалификации	Код JESD-30	Пакет устройств поставщика	Уровень скрининга	Размер памяти	Количество входов/выходов	Тип памяти	Ширина шины данных	Тип выхода	Выходные характеристики	Время доступа	Программирование напряжения	Тактовая частота	Ширина адресной шины	Формат памяти	Интерфейс памяти	Организация	Ширина памяти	Время цикла записи — Word, Page	Плотность памяти	Параллельный/последовательный	Альтернативная ширина памяти	Максимальный ток в режиме ожидания	Размер слова	Время доступа (макс.)	Синхронизация/Асинхронность	Тип ввода/вывода	Циклы обновления	Последовательная длина пакета	Длина чередующегося пакета	Обратная распиновка	Напряжение в режиме ожидания-мин.	Самообновление	Прерывание вывода	Ток — выходной источник/приемник
IS61LF12836EC-7.5TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR		1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм			3,3 В			100	12 недель				100		4 Мб		4	3A991.B.2.A						1	170 мА	е3		Матовый олово (Sn)	ДА	3,135 В~3,465 В	КВАД	260	3,3 В	0,65 мм	100		3,135 В	10			Не квалифицирован				4,5 МБ 128К х 36		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	7,5 нс		117 МГц	17б	СРАМ	Параллельно	128КХ36	36					0,085А	36б		синхронный	ОБЩИЙ
ИС61КДПБ42М36А1-550Б4ЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — четырехпортовый, синхронный		1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	15 мм		13 мм				165																1					ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ		1,8 В	1 мм		1,89 В	1,71 В		1,8 В	1,3 мА	Не квалифицирован	Р-ПБГА-Б165			72Мб 2М х 36		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ			550 МГц		СРАМ	Параллельно	2MX36	36		75497472 бит			0,38 А		0,45 нс		ОТДЕЛЬНЫЙ					1,71 В
ИС62ВВ1288БЛЛ-55ХЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — асинхронный			Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv1288bll55tli-datasheets-9320.pdf	32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм)	8,1 мм	1,05 мм	11,9 мм	3,3 В	Без свинца		32	8 недель	Нет СВХК			32		1 Мб	да	1	EAR99		Нет	18 МГц			1	8мА	е3		Матовое олово (Sn) - отожженное		2,5 В~3,6 В	ДВОЙНОЙ	260	3В	0,5 мм	32	3,6 В	2,5 В	40							1Мб 128К х 8		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ				17б	СРАМ	Параллельно			55нс				0,000005А	8б	55 нс	Асинхронный	ОБЩИЙ
ИС61НЛФ102418-7.5Б3И	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR		1,2 мм	Соответствует ROHS3		165-ТБГА	15 мм		13 мм				165					165			нет		3A991.B.2.A	ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА				8542.32.00.41	1		е0		Олово/Свинец (Sn/Pb)	ДА	3,135 В~3,465 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В	1 мм	165	3,465 В	3,135 В	НЕ УКАЗАН	2,5/3,33,3 В	0,425 мА	Не квалифицирован				18Мб 1М х 18		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	7,5 нс		117 МГц		СРАМ	Параллельно	1MX18	18		18874368 бит			0,075А				ОБЩИЙ					3,14 В
ИС43ТР16640КЛ-107МБЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$12,43	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~95°К ТС	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM-DDR3L	СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		96-ТФБГА	13 мм		9 мм				96	2 недели								1		АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ					1					ДА	1,283 В~1,45 В	НИЖНИЙ		1,35 В	0,8 мм		1,45 В	1,283 В					Р-ПБГА-В96			1Гб 64М х 16		Неустойчивый				20 нс		933 МГц		ДРАМ	Параллельно	64MX16	16	15нс	1073741824 бит
ИС61ВПС51236А-200Б3И	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR		1,2 мм	Соответствует ROHS3		165-ТБГА	15 мм		13 мм				165					165			нет		3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА				8542.32.00.41	1		е0		Олово/Свинец (Sn/Pb)	ДА	2,375 В~2,625 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	2,5 В	1 мм	165	2,625 В	2,375 В	НЕ УКАЗАН	2,5 В	0,475 мА	Не квалифицирован				18Мб 512К х 36		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	3,1 нс		200 МГц		СРАМ	Параллельно	512КХ36	36		18874368 бит			0,125А				ОБЩИЙ					2,38 В
ИС29ГЛ128-70СЛЕТ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$5,72	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~105°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			ВСПЫШКА – НО	АСИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		56-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм)	18,4 мм		14 мм				56	2 недели															1		е3		Олово (Sn)	ДА	2,7 В~3,6 В	ДВОЙНОЙ	НЕ УКАЗАН	3В	0,5 мм		3,6 В	2,7 В	НЕ УКАЗАН				Р-ПДСО-Г56			128Мб 16М х 8		Энергонезависимый				70нс	3В			ВСПЫШКА	Параллельно	128MX1	1	200 мкс	134217728 бит
ИС61ВПД51236А-250Б3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — четырехпортовый, синхронный		1,2 мм	Соответствует ROHS3		165-ТБГА	15 мм		13 мм				165					165			нет		3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА				8542.32.00.41	1		е0		Олово/Свинец (Sn/Pb)	ДА	2,375 В~2,625 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	2,5 В	1 мм	165	2,625 В	2,375 В	НЕ УКАЗАН	2,5 В	0,45 мА	Не квалифицирован				18Мб 512К х 36		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	2,6 нс		250 МГц		СРАМ	Параллельно	512КХ36	36		18874368 бит			0,06А				ОБЩИЙ					2,38 В
IS21ES16G-JQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC)	СИНХРОННЫЙ	1,4 мм	Соответствует ROHS3		100-ЛБГА	18 мм		14 мм				100	2 недели															1		е1		Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)	ДА	2,7 В~3,6 В	НИЖНИЙ	260	3,3 В	1 мм		3,6 В	2,7 В	10				Р-ПБГА-Б100			128Гб 16Гб х 8		Энергонезависимый					3,3 В	200 МГц		ВСПЫШКА	eMMC	16GX8	8		137438953472 бит	ПАРАЛЛЕЛЬНО
ИС61КДПБ42М36А-550М3ЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — четырехпортовый, синхронный		1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм		15 мм				165					165					3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА				8542.32.00.41	1					ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ		1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В		1,8 В	1,3 мА	Не квалифицирован				72Мб 2М х 36		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ			550 МГц		СРАМ	Параллельно	2MX36	36		75497472 бит			0,38 А		0,45 нс		ОТДЕЛЬНЫЙ					1,71 В
IS25LP512M-RMLE	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$7,41	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~105°C ТА	Трубка	3 (168 часов)			ВСПЫШКА – НО	СИНХРОННЫЙ	2,65 мм	Соответствует ROHS3		16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм)	10,31 мм		7,49 мм				16	8 недель									3A991.B.1.A					8542.32.00.51	1		е3		Олово (Sn)	ДА	2,3 В~3,6 В	ДВОЙНОЙ	260	3В	1,27 мм		3,6 В	2,3 В	10				Р-ПДСО-G16			512Мб 64М х 8		Энергонезависимый					3В	133 МГц		ВСПЫШКА	SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR	64MX8	8	1,6 мс	536870912 бит	СЕРИАЛ	1
ИС43ДР16640А-3ДБИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM-DDR2	СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Не соответствует требованиям RoHS		84-ТФБГА	13,65 мм		8 мм				84								нет	1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ			не_совместимо	8542.32.00.32	1		е0		Олово/Свинец (Sn/Pb)	ДА	1,7 В~1,9 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,8 В	0,8 мм	84	1,9 В	1,7 В	НЕ УКАЗАН	1,8 В	0,35 мА	Не квалифицирован	Р-ПБГА-Б84			1Гб 64М х 16		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	450пс		333 МГц		ДРАМ	Параллельно	64MX16	16	15нс	1073741824 бит			0,015А				ОБЩИЙ	8192	48	48
ИС43ДР82560С-25ДБЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$21,64	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM-DDR2	СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		60-ТФБГА	10,5 мм		8 мм				60	8 недель								1	EAR99	ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ					1					ДА	1,7 В~1,9 В	НИЖНИЙ		1,8 В	0,8 мм		1,9 В	1,7 В		1,8 В	0,51 мА	Не квалифицирован	Р-ПБГА-Б60			2Гб 256М х 8		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	400пс		400 МГц		ДРАМ	Параллельно	256MX8	8	15нс	2147483648 бит			0,03 А				ОБЩИЙ	8192	48	48
ИС31ИО7325-ГРЛС4	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~125°К	Рельс/Труба	3 (168 часов)						Соответствует ROHS3		24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм)								6 недель				24	I2C, последовательный				EAR99		Нет							ПОР			2,4 В~5,5 В																8			Открытый слив				400 кГц																					Да	20 мА
ИС43ДР81280С-3ДБЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$10,63	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM-DDR2	СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		60-ТФБГА	10,5 мм		8 мм				60	8 недель								1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ					1		е1		ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ	ДА	1,7 В~1,9 В	НИЖНИЙ	260	1,8 В	0,8 мм		1,9 В	1,7 В	10	1,8 В	0,27 мА	Не квалифицирован	Р-ПБГА-Б60			1Гб 128М х 8		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	450пс		333 МГц		ДРАМ	Параллельно	128MX8	8	15нс	1073741824 бит							ОБЩИЙ	8192	48	48
ИС61К6416АЛ-12ТЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$3,12	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — асинхронный			Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61c6416al12tli-datasheets-0266.pdf	44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм)	18,52 мм	1,05 мм	10,29 мм	5В	Без свинца		44	8 недель				44		1 Мб	да	1			Нет				1	45 мА	е3		Матовое олово (Sn) - отожженное	ДА	4,5 В~5,5 В	ДВОЙНОЙ	260	5В	0,8 мм	44			40	5В						1Мб 64К х 16		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ				16б	СРАМ	Параллельно			12нс					16б		Асинхронный	ОБЩИЙ					2В
ИС42С16100Х-6ТЛ-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM			Соответствует ROHS3		50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм)								6 недель																					3В~3,6В															16Мб 1М х 16		Неустойчивый				5,5 нс		166 МГц		ДРАМ	Параллельно
IS62WV2568EBLL-45BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM — асинхронный		1,2 мм	Соответствует ROHS3		36-ТФБГА	8 мм		6 мм				36	8 недель															1					ДА	2,2 В~3,6 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3В	0,75 мм		3,6 В	2,2 В	НЕ УКАЗАН				Р-ПБГА-Б36			2Мб 256К х 8		Неустойчивый								СРАМ	Параллельно	256КХ8	8	45нс	2097152 бит					45 нс
ИС42С16800Ф-7БЛ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	1,51 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM	СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		54-ТФБГА	8 мм			3,3 В	Без свинца		54	6 недель				54		128 Мб		1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ					1	100 мА					3В~3,6В	НИЖНИЙ		3,3 В	0,8 мм	54	3,6 В	3В				Не квалифицирован				128Мб 8М х 16		Неустойчивый	16б		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс		143 МГц	14б	ДРАМ	Параллельно	8MX16	16					0,002А				ОБЩИЙ	4096	1248ФП	1248
IS62WV25616EBLL-45BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM — асинхронный		1,2 мм	Соответствует ROHS3		48-ТФБГА	8 мм		6 мм				48	8 недель							да								1					ДА	2,2 В~3,6 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3В	0,75 мм		3,6 В	2,2 В	НЕ УКАЗАН				Р-ПБГА-Б48			4Мб 256К х 16		Неустойчивый								СРАМ	Параллельно	256КХ16	16	45нс	4194304 бит					45 нс
ИС45С32200Л-7ТЛА1-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM	СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм)	22,22 мм		10,16 мм				86	8 недель								1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ				8542.32.00.02	1		е3		МАТОВАЯ ТУНКА	ДА	3В~3,6В	ДВОЙНОЙ	260	3,3 В	0,5 мм		3,6 В	3В	10	3,3 В	0,09 мА	Не квалифицирован	Р-ПДСО-Г86		АЭК-Q100	64Мб 2М х 32		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс		143 МГц		ДРАМ	Параллельно	2MX32	32		67108864 бит			0,002А				ОБЩИЙ	4096	1248ФП	1248
IS62WV12816EALL-55BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM — асинхронный		1,2 мм	Соответствует ROHS3		48-ТФБГА	8 мм		6 мм				48	8 недель															1					ДА	1,65 В~2,2 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,8 В	0,75 мм		2,2 В	1,65 В	НЕ УКАЗАН				Р-ПБГА-Б48			2Мб 128К х 16		Неустойчивый								СРАМ	Параллельно	128КХ16	16	45нс	2097152 бит					55 нс
IS62WV12816BLL-45TLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	85°С	-40°С	SRAM — асинхронный			Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62wv12816bll45tlitr-datasheets-5287.pdf	44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм)								8 недель		3,6 В	2,5 В	44	Параллельно																2,5 В~3,6 В													44-ЦОП II		2Мб 128К х 16		Неустойчивый				55нс				СРАМ	Параллельно			55нс
ИС42С16160ДЖ-6БЛ-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	3,25 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM	СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		54-ТФБГА	8 мм		8 мм				54	6 недель							да	1		АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ					1		е1		Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)	ДА	3В~3,6В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В	0,8 мм		3,6 В	3В	НЕ УКАЗАН				С-ПБГА-Б54			256Мб 16М х 16		Неустойчивый				5,4 нс		166 МГц		ДРАМ	Параллельно	16MX16	16		268435456 бит
ИС65К256АЛ-25ТЛА3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТА	Поднос	2 (1 год)			SRAM — асинхронный		1,2 мм	Не соответствует требованиям RoHS		28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм)	11,8 мм		8 мм				28	10 недель				28			да		EAR99					8542.32.00.41	1		е3		Матовое олово (Sn) - отожженное	ДА	4,5 В~5,5 В	ДВОЙНОЙ	260	5В	0,55 мм	28	5,5 В	4,5 В	40	5В	0,035 мА	Не квалифицирован			АЭК-Q100	256Кб 32К х 8		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ					СРАМ	Параллельно	32КХ8	8	25нс	262144 бит			0,00005А		25 нс		ОБЩИЙ					2В
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	85°С	-40°С	SRAM — асинхронный			Соответствует ROHS3		36-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм)								8 недель		3,6 В	2,4 В	36	Параллельно	4 Мб		1								35 мА					2,4 В~3,6 В													36-СОЮ		4Мб 512К х 8		Неустойчивый				10 нс			19б	СРАМ	Параллельно			10 нс					8б		Асинхронный
ИС45С16400ДЖ-7ТЛА2-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~105°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM			Соответствует ROHS3		54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм)							54	8 недель				54																ДА	3В~3,6В	ДВОЙНОЙ		3,3 В	0,8 мм					3,3 В	0,13 мА	Не квалифицирован			АЭК-Q100	64Мб 4М х 16		Неустойчивый	16б		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс		143 МГц		ДРАМ	Параллельно	4MX16	16		67108864 бит			0,002А				ОБЩИЙ	4096	1248ФП	1248
ИС61К5128АЛ-10КЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$3,64	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Трубка	2 (1 год)			SRAM — асинхронный		3,75 мм	Соответствует ROHS3		36-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм)	23,495 мм			5В			36	8 недель				36		4 Мб	да	1			Нет				1	50 мА	е3		Матовое олово (Sn) - отожженное	ДА	4,5 В~5,5 В	ДВОЙНОЙ	260	5В		36			40	5В						4Мб 512К х 8		Неустойчивый			3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ				19б	СРАМ	Параллельно		8	10 нс					8б		Асинхронный	ОБЩИЙ					2,9 В
ИС42С32200Л-7БЛ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$5,30	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM	СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		90-ТФБГА	13 мм			3,3 В		90 мА	90	8 недель				90		64 Мб		1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ				8542.32.00.02	1	90 мА					3В~3,6В	НИЖНИЙ		3,3 В	0,8 мм	90	3,6 В	3В				Не квалифицирован				64Мб 2М х 32		Неустойчивый	32б		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс		143 МГц	13б	ДРАМ	Параллельно	2MX32	32					0,002А				ОБЩИЙ	4096	1248ФП	1248
ИС45С16400ДЖ-7ТЛА2	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$3,95	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~105°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM	СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм)	22,22 мм			3,3 В			54	8 недель				54		64 Мб		1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ					1	90 мА					3В~3,6В	ДВОЙНОЙ		3,3 В	0,8 мм	54	3,6 В	3В				Не квалифицирован				64Мб 4М х 16		Неустойчивый	16б		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс		143 МГц	14б	ДРАМ	Параллельно	4MX16	16									ОБЩИЙ	4096	1248ФП	1248	НЕТ		ДА

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии