ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Устанавливать	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Частота	Режим работы	Высота сидя (макс.)	Статус RoHS	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Длина	Ширина	Рабочее напряжение питания	Максимальный ток питания	Количество окончаний	Время выполнения заказа на заводе	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Максимальное напряжение питания	Минимальное напряжение питания	Количество контактов	Интерфейс	Плотность	Код Pbfree	Количество портов	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Макс. частота	Код HTS	Количество функций	Номинальный ток питания	Код JESD-609	Терминал отделки	Поверхностный монтаж	Напряжение питания	Положение терминала	Пиковая температура оплавления (Цел)	Напряжение питания	Терминал Питч	Количество контактов	Напряжение питания-Макс (Vsup)	Минимальное напряжение питания (Vsup)	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Источники питания	Максимальный ток питания	Статус квалификации	Код JESD-30	Пакет устройств поставщика	Уровень скрининга	Размер памяти	Тип памяти	Ширина шины данных	Выходные характеристики	Время доступа	Тактовая частота	Ширина адресной шины	Формат памяти	Интерфейс памяти	Организация	Ширина памяти	Время цикла записи — Word, Page	Плотность памяти	Максимальный ток в режиме ожидания	Размер слова	Время доступа (макс.)	Синхронизация/Асинхронность	Тип ввода/вывода	Циклы обновления	Последовательная длина пакета	Длина чередующегося пакета	Напряжение в режиме ожидания-мин.	Режим доступа
IS61VPS51236B-200TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	15,43 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм	14 мм			100	12 недель														1				ДА	2,375 В~2,625 В	КВАД	НЕ УКАЗАН	2,5 В	0,65 мм		2,625 В	2,375 В	НЕ УКАЗАН				Р-PQFP-G100			18Мб 512К х 36	Неустойчивый			3нс	200 МГц		СРАМ	Параллельно	512КХ36	36		18874368 бит
ИС45С16320Д-7БЛА2-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~105°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		54-ТФБГА	13 мм				54	8 недель				54			да	1		АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ				1		е3	МАТОВАЯ ТУНКА	ДА	3В~3,6В	НИЖНИЙ	225	3,3 В	0,8 мм		3,6 В	3В	НЕ УКАЗАН	3,3 В	0,22 мА	Не квалифицирован			АЭК-Q100	512Мб 32М х 16	Неустойчивый	16б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс	143 МГц		ДРАМ	Параллельно	32MX16	16		536870912 бит	0,004А				ОБЩИЙ	8192	1248ФП	1248
IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR				Соответствует ROHS3		100-LQFP						12 недель				100															3,135 В~3,465 В															9Мб 256К х 36	Неустойчивый			7,5 нс	117 МГц		СРАМ	Параллельно
IS61LPD51236A-200TQI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	2 (1 год)	85°С	-40°С	SRAM – синхронный, SDR	200 МГц			Не соответствует требованиям RoHS	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lpd51236a200tqitr-datasheets-8471.pdf	100-LQFP								3,465 В	3,135 В	100	Параллельно							200 МГц							3,135 В~3,465 В													100-ТКФП (14x20)		18Мб 512К х 36	Неустойчивый			3,1 нс	200 МГц		СРАМ	Параллельно
IS64WV20488BLL-10CTLA3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM — асинхронный			1,2 мм	Соответствует ROHS3		44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм)	18,41 мм	10,16 мм			44	10 недель							да							1				ДА	2,4 В~3,6 В	ДВОЙНОЙ	НЕ УКАЗАН	3В	0,8 мм		3,6 В	2,4 В	НЕ УКАЗАН				Р-ПДСО-Г44			16Мб 2М х 8	Неустойчивый						СРАМ	Параллельно	2MX8	8	10 нс	16777216 бит			10 нс
ИС64ВВ102416БЛЛ-10МЛА3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — асинхронный				Соответствует ROHS3		48-ТФБГА					48	10 недель				48		16 Мб	да	1			Нет			1	140 мА	е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)	ДА	2,4 В~3,6 В	НИЖНИЙ	260	3,3 В	0,75 мм	48	3,6 В	2,4 В	10	2,5/3,3 В						16Мб 1М х 16	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ			20б	СРАМ	Параллельно		16	10 нс		0,05А	16б		Асинхронный	ОБЩИЙ
ИС61КДБ41М18А-250М3Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, QUAD			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм	15 мм			165	12 недель				165			да		3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА			8542.32.00.41	1		е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ	ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ	260	1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В	10	1,5/1,81,8 В	0,65 мА	Не квалифицирован				18Мб 1М х 18	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	1,8 нс	250 МГц		СРАМ	Параллельно	1MX18	18		18874368 бит	0,27 А				ОТДЕЛЬНЫЙ				1,7 В
ИС61ДДП2Б21М36А-400М3Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, DDR IIP			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм	15 мм			165	12 недель				165					3A991.B.2.A				8542.32.00.41	1				ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В	НЕ УКАЗАН							36Мб 1М х 36	Неустойчивый				400 МГц		СРАМ	Параллельно	1MX36	36		37748736 бит			0,45 нс
ИС61ДДПБ21М36А-400М3Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, DDR IIP				Соответствует ROHS3		165-ЛБГА			1,8 В		165	12 недель				165		36 Мб	да	1		КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА				1	800мА	е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ	ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ	260	1,8 В		165			40			Не квалифицирован				36Мб 1М х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	450 пс	400 МГц	19б	СРАМ	Параллельно		36			0,32 А	36б		синхронный	ОБЩИЙ
ИС61КДБ22М36А-333Б4ЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	$201,38	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, QUAD			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	15 мм		1,8 В		165	12 недель				165		72 Мб		2		КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА	Нет			1	1,2А			ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ		1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В								72Мб 2М х 36	Неустойчивый			1,35 нс	333 МГц	20б	СРАМ	Параллельно		36				36б		синхронный
ИС49РЛ36160-093БЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			КМОП		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		168-ЛБГА	13,5 мм				168	14 недель				168				1	EAR99	АВТООБНОВЛЕНИЕ		1,066 ГГц	8542.32.00.32	1				ДА	1,28 В~1,42 В	НИЖНИЙ		1,35 В	1 мм	168	1,42 В	1,28 В		1,35 В	3,195 мА	Не квалифицирован				576Мб 16М х 36	Неустойчивый	36б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	10 нс	1066 МГц		ДРАМ	Параллельно	16MX36	36		603979776 бит	0,125А				ОБЩИЙ		248	248
ИС61КДПБ22М36А-333М3Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, QUADP			1,4 мм	Соответствует ROHS3		165-ЛБГА	17 мм	15 мм			165	12 недель				165					3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА			8542.32.00.41	1				ДА	1,71 В~1,89 В	НИЖНИЙ		1,8 В	1 мм	165	1,89 В	1,71 В		1,5/1,81,8 В	1,2 мА	Не квалифицирован				72Мб 2М х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	8,4 нс	333 МГц		СРАМ	Параллельно	2MX36	36		75497472 бит	0,29 А				ОТДЕЛЬНЫЙ				1,7 В
ИС61КДП2Б22М36А1-333Б4Л	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM — синхронный, QUADP				Соответствует ROHS3		165-ЛБГА						12 недель				165															1,71 В~1,89 В															72Мб 2М х 36	Неустойчивый			8,4 нс	333 МГц		СРАМ	Параллельно
IS61LF204836B-7.5TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм		3,3 В		100	12 недель				100		72 Мб		4	3A991.B.2.A					1	250 мА				3,135 В~3,465 В	КВАД		3,3 В	0,65 мм	100		3,135 В				Не квалифицирован				72Мб 2М х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	7,5 нс	117 МГц	21б	СРАМ	Параллельно	2MX36	36				36б		синхронный	ОБЩИЙ
ИС61ВПС204836Б-250Б3ЛИ-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,2 мм	Соответствует ROHS3		165-ТБГА	15 мм	13 мм			165	12 недель				165			да			КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА				1				ДА	2,375 В~2,625 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	2,5 В	1 мм		2,625 В	2,375 В	НЕ УКАЗАН							72Мб 2М х 36	Неустойчивый			2,8 нс	250 МГц		СРАМ	Параллельно	2MX36	36		75497472 бит
ИС61ВВФ409618Б-7.5ТКЛ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм	14 мм			100	12 недель									3A991.B.2.A				8542.32.00.41	1				ДА	1,71 В~1,89 В	КВАД		1,8 В	0,65 мм	100	1,89 В	1,71 В		1,8 В		Не квалифицирован	Р-PQFP-G100			72Мб 4М х 18	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	7,5 нс	117 МГц		СРАМ	Параллельно	4MX18	18		75497472 бит					ОБЩИЙ				1,71 В
ИС46ТР16128АЛ-125КБЛА2-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~105°К ТС	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM-DDR3				Соответствует ROHS3	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf	96-ТФБГА			1,35 В	285 мА						96															1,283 В~1,45 В															2 ГБ 128 М x 16	Неустойчивый	16б		20нс	800 МГц		ДРАМ	Параллельно			15нс
IS61NLF25636B-7.5TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм	14 мм			100	12 недель													8542.32.00.41	1				ДА	3,135 В~3,465 В	КВАД	НЕ УКАЗАН	3,3 В	0,65 мм		3,465 В	3,135 В	НЕ УКАЗАН				Р-PQFP-G100			9Мб 256К х 36	Неустойчивый			7,5 нс	117 МГц		СРАМ	Параллельно	256КХ36	36		9437184 бит
IS61LF51236B-7.5TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм	14 мм			100	12 недель							да			ПРОТОКОВЫЙ				1				ДА	3,135 В~3,465 В	КВАД	НЕ УКАЗАН	3,3 В	0,65 мм		3,465 В	3,135 В	НЕ УКАЗАН				Р-PQFP-G100			18Мб 512К х 36	Неустойчивый			7,5 нс	117 МГц		СРАМ	Параллельно	512КХ36	36		18874368 бит
ИС42С16320Д-7БЛИ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM			1,2 мм	Соответствует ROHS3		54-ТФБГА	13 мм		3,3 В		54	6 недель	Нет СВХК			54		512 Мб	да	1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ	Нет			1	160 мА	е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)		3В~3,6В	НИЖНИЙ	260	3,3 В	0,8 мм	54	3,6 В	3В	10							512Мб 32М х 16	Неустойчивый	16б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	5,4 нс	143 МГц	15б	ДРАМ	Параллельно	32MX16	16			0,004А				ОБЩИЙ	8192	1248ФП	1248
ИС45С16320Ф-7ТЛА2-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~105°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм)	22,22 мм	10,16 мм			54	8 недель				54			да	1		АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ				1				ДА	3В~3,6В	ДВОЙНОЙ	НЕ УКАЗАН	3,3 В	0,8 мм		3,6 В	3В	НЕ УКАЗАН							512Мб 32М х 16	Неустойчивый			5,4 нс	143 МГц		ДРАМ	Параллельно	32MX16	16		536870912 бит
ИС61ЛПС25636А-200ТК2И-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	2 (1 год)	85°С	-40°С	SRAM – синхронный, SDR	200 МГц			Не соответствует требованиям RoHS	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps25636a200tq2itr-datasheets-9122.pdf	100-LQFP								3,465 В	3,135 В	100	Параллельно							200 МГц							3,135 В~3,465 В													100-ТКФП (14x20)		9Мб 256К х 36	Неустойчивый			3,1 нс	200 МГц		СРАМ	Параллельно
IS61NVP25636A-200TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Поднос	2 (1 год)			SRAM – синхронный, SDR			1,6 мм	Соответствует ROHS3		100-LQFP	20 мм		2,5 В		100	12 недель				100		9 Мб	да	4	3A991.B.2.A	КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА	Нет			1	280 мА	е3	Матовое олово (Sn) - отожженное	ДА	2,375 В~2,625 В	КВАД	260	2,5 В	0,65 мм	100	2,625 В	2,375 В	40							9Мб 256К х 36	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	3,1 нс	200 МГц	18б	СРАМ	Параллельно	256КХ36	36			0,05А	36б		синхронный	ОБЩИЙ				2,38 В
IS45S16320D-6CTLA1-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	85°С	-40°С	SDRAM	166 МГц			Соответствует ROHS3		54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм)						8 недель		3,6 В	3В	54	Параллельно							166 МГц							3В~3,6В													54-ЦОП II		512Мб 32М х 16	Неустойчивый	16б		5,4 нс	166 МГц		ДРАМ	Параллельно
ИС43ТР82560БЛ-125КБЛИ-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~95°К ТС	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM-DDR3L		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		78-ТФБГА	10,5 мм		1,35 В		78	8 недель				78		2 ГБ	да	1		АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ				1				ДА	1,283 В~1,45 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,35 В	0,8 мм		1,45 В	1,283 В	НЕ УКАЗАН							2Гб 256М х 8	Неустойчивый			20нс	800 МГц	15б	ДРАМ	Параллельно	256MX8	8	15нс
ИС43Р86400Д-5БЛ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM-DDR		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		60-ТФБГА	13 мм			430 мА	60	8 недель				60		512 Мб	да	1	EAR99	АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ			8542.32.00.28	1	430 мА	е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ		2,5 В~2,7 В	НИЖНИЙ	260	2,6 В	1 мм	60	2,7 В	2,5 В	40	2,6 В		Не квалифицирован				512Мб 64М х 8	Неустойчивый	8б	3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	700пс	200 МГц	15б	ДРАМ	Параллельно	64MX8	8	15нс		0,025А				ОБЩИЙ	8192	248	248
ИС43ЛД32640Б-25БЛ-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~85°К ТС	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM — мобильный LPDDR2-S4		СИНХРОННЫЙ	1,1 мм	Соответствует ROHS3		134-ТФБГА	11,5 мм	10 мм			134	14 недель								1		САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ.				1				ДА	1,14 В~1,95 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,2 В	0,65 мм		1,3 В	1,14 В	НЕ УКАЗАН				Р-ПБГА-Б134			2Гб 64М х 32	Неустойчивый				400 МГц		ДРАМ	Параллельно	64MX32	32	15нс	2147483648 бит										НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ
IS43LR16640A-6BL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	0°C~70°C ТА	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)			SDRAM — мобильный LPDDR				Соответствует ROHS3		60-ТФБГА						14 недель																			1,7 В~1,95 В															1Гб 64М х 16	Неустойчивый			5нс	166 МГц		ДРАМ	Параллельно			15нс
ИС61ЛПС25618А-200ТКИ-ТР	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж	-40°C~85°C ТА	Лента и катушка (TR)	2 (1 год)	85°С	-40°С	SRAM – синхронный, SDR	200 МГц			Не соответствует требованиям RoHS		100-LQFP								3,465 В	3,135 В	100	Параллельно							200 МГц							3,135 В~3,465 В													100-ТКФП (14x20)		4,5Мб 256К х 18	Неустойчивый			3,1 нс	200 МГц		СРАМ	Параллельно
ИС46ДР16320Д-3ДБЛА2	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~105°C ТА	Поднос	3 (168 часов)			SDRAM-DDR2		СИНХРОННЫЙ	1,2 мм	Соответствует ROHS3		84-ТФБГА	12,5 мм		1,8 В		84	8 недель				84		512 Мб		1	EAR99	ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS			8542.32.00.28	1	230 мА	е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ		1,7 В~1,9 В	НИЖНИЙ	НЕ УКАЗАН	1,8 В	0,8 мм		1,9 В	1,7 В	НЕ УКАЗАН			Не квалифицирован				512Мб 32М х 16	Неустойчивый		3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ	450пс	333 МГц	13б	ДРАМ	Параллельно	32MX16	16	15нс		0,025А				ОБЩИЙ	8192	48	48

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии