Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJDV2S09FSTPL3
Техническое описание JDV2S09FSTPL3 в формате pdf и диоды — информация о фасаде о ВЧ-продуктах со склада Toshiba Semiconductor and Storage доступна на сайте Feilidi.
- Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
- НЕТ: 4669-JDV2S09FSTPL3
- Упаковка: 2-СМД, плоский вывод
- Техническая спецификация:
- Запас: 3356
- Описание: Техническое описание JDV2S09FSTPL3 в формате pdf и диоды — информация о передней части ВЧ-продуктов на складе Toshiba Semiconductor and Storage в Фейлиди (кг)
- Доставка:
- Оплата:
В наличии
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме реального времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Запрос цен (запрос котировок)Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж ответит на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.
Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.
В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.
Срок поставкиПосле отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:
FedEx International, 5-7 рабочих дней.
Ниже приводится время логистики некоторых стран.
| Параметры | |
|---|---|
| Срок выполнения заказа на заводе | 12 недель |
| Установить | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 2-СМД, плоский вывод |
| Количество контактов | 2 |
| Поставщик пакета оборудования | ФСК |
| Рабочая температура | 150°С ТДж |
| Упаковка | Разрезанная лента (CT) |
| Опубликовано | 2004 г. |
| Статус детали | Активный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Прекращение действия | СМД/СМТ |
| Эмкость | 11,1пФ |
| Конфигурация элемента | Одинокий |
| Тип диода | Стандартный - Одноместный |
| Эмкость @ Вр, Ф | 11,1 пФ @ 1 В 1 МГц |
| Напряжение — пиковое обратное (макс.) | 10 В |
| Обратное напряжение (постоянный ток) | 10 В |
| Радиационная закалка | Нет |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Обзор JDV2S09FSTPL3
Это устройство при работе максимально обратном напряжении 10 В в соответствии с техническим состоянием устройства. Это составляет 11,1 пФ с точки зрения емкости.
Возможности JDV2S09FSTPL3
Эмкость 11,1 пФ
Приложения JDV2S09FSTPL3
Существует множество применений радиочастотных диодов Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3.
- Удвоитель ВЧ напряжения
- (Спутниковое) ТВ
- Последовательный диод для переключателя передачи/приема мобильной связи
- РЧ аттенюаторы
- Умный учет
- Компенсаторы
- Автомобильное радио
- Радарные системы промышленного назначения
- Обнаружение фазы
- Схемы переключения диапазонов для поверхностного монтажа
