Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Метод измерения | Длина | Высота | Ширина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Напряжение — вход (макс.) | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество каналов | Конфигурация элемента | Точность | Входной ток смещения | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Максимальный выходной ток | поляризация | Минимальное входное напряжение | Выходное напряжение | Падение напряжения | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный импульсный ток | Коэффициент отклонения источника питания (PSRR) | Функция | Количество выходов | Ток покоя | Скорость | Конфигурация выхода | Ток-выход (макс.) | Выходное напряжение 1 | Входное напряжение (мин.) | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Тип канала | Диапазон чувствительности | Ток-питание (макс.) | Напряжение - Выход (Макс.) | Ток – состояние покоя (Iq) | Падение напряжения1-ном. | Емкость @ Вр, Ф | Функции управления | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Допуск по напряжению-Макс. | Входное напряжение Абсолютное-Макс. | Минимальный предел тока | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Количество регуляторов | Функции защиты | Падение напряжения (макс.) | ПСРР | Условия испытания | Тип переводчика | Напряжение — VCCA | Напряжение – VCCB | Каналов на цепь | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТАР5С33ТЕ85ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | БИПОЛЯРНЫЙ | Соответствует RoHS | СК-74А, СОТ-753 | 5 | 14 недель | ЛЕНТА И КАТУШКА | 15 В | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,95 мм | Другие регуляторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г5 | Зафиксированный | 1 | Позитивный | 3,3 В | 850 мкА | 0,13 В | ВКЛ/ВЫКЛ | 200 мА | 3,3 В | 2,73% | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,2 В @ 50 мА | 70 дБ (1 кГц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE36,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКР2ЛЕ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-553 | 12 недель | 5,5 В | 3,6 В | 220 мВ | Зафиксированный | Позитивный | 2мкА | Давать возможность | 200 мА | 1 | Перегрузка по току | 0,3 В при 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКР2ЕН33,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2EN | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 4-XFDFN Открытая площадка | 4 | Нет | 5,5 В | 300мВт | 1 % | 200 мА | 1,5 В | 3,3 В | 130 мВ | Зафиксированный | 60 мкА | Позитивный | 60 мкА | Давать возможность | 1 | Перегрузка по току | 0,18 В при 150 мА | 73 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE25,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tcr2ee25lmct-datasheets-0766.pdf | СОТ-553 | 5,5 В | 1 | ЕСВ | 2,5 В | 180 мВ | Зафиксированный | Позитивный | 60 мкА | Давать возможность | 200 мА | 2,5 В | 1 | Перегрузка по току | 0,23 В при 150 мА | 73 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТА48М03Ф(Т6Л1,СНК) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 2,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | БИПОЛЯРНЫЙ | 2,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 5,5 мм | 2 | EAR99 | неизвестный | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 29В | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,3 мм | ТА48М | 3 | Другие регуляторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 3В | 350 мВ | Зафиксированный | 1 | Позитивный | 3В | 4В | 25 мА | 1,4 мА | 0,35 В | 500 мА | 5% | 29В | 600 мА | 1 | Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, обратная полярность | 0,65 В при 500 мА | 70 дБ (120 Гц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКР3ДМ12,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tcr3dm12lf-datasheets-3110.pdf | 4-UDFN Открытая площадка | 4 | 5,5 В | 420мВт | 1,75 В | 1,2 В | 490 мВ | Зафиксированный | 70 дБ | 125 мкА | Позитивный | 78 мкА | 65 мкА | Давать возможность | 300 мА | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 70 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКР5СБ33А(Т5Л,Ф,Т) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКР5СБ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 5 | Нет | 6В | 380мВт | 32 мкА | 150 мА | 3,5 В | 3,3 В | 90мВ | Зафиксированный | 75 мкА | Позитивный | 75 мкА | Давать возможность | 1 | Перегрузка по току | 0,19 В при 50 мА | 80 дБ (1 кГц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L06S,HY-ATQ(М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta58l05sapnqm-datasheets-3075.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 29В | ТО-220НИС | Зафиксированный | Позитивный | 50 мА | 1 мА | 250 мА | 6В | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,4 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS05BP,F(J | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta78ds05bpfj-datasheets-3143.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 33В | ЛСТМ | Зафиксированный | Позитивный | 1 мА | 1 мА | 30 мА | 5В | 1 | Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение | 0,3 В @ 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L12S,Q(J | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta58l05sapnqm-datasheets-3075.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 29В | Зафиксированный | Позитивный | 50 мА | 1,2 мА | 250 мА | 12 В | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,4 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L012AP,WNLF(J | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta78l015apfm-datasheets-4584.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 35В | ЛСТМ | Зафиксированный | Позитивный | 6,5 мА | 150 мА | 12 В | 1 | Перегрузка по току | 1,7 В при 40 мА, тип. | 41 дБ (120 Гц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76431S,WNLF(J | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta76431st6muratfm-datasheets-3139.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ЛСТМ | Регулируемый | Позитивный | 36В | 2,495 В | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТА58М05С,КДК(М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta58m12sqj-datasheets-3119.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 29В | ТО-220НИС | Зафиксированный | Позитивный | 80 мА | 1 мА | 500 мкА | 5В | 1 | Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность | 0,65 В при 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L005AP,T6NSF(J | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta78l015apfm-datasheets-4584.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 35В | ЛСТМ | Зафиксированный | Позитивный | 6мА | 150 мА | 5В | 1 | 1,7 В при 40 мА, тип. | 49 дБ (120 Гц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТА76431С,Ф(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без ограничений) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ta76431st6muratfm-datasheets-3139.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ЛСТМ | Регулируемый | Позитивный | 36В | 2,495 В | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКС10СЛУ(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКС | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Эффект Холла | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD (5 выводов), плоский вывод | Эффект Холла | 1,3 мА | Южный полюс | 2,3 В~3,6 В | УФВ | 5мА | Южный полюс | Открытый слив | Униполярный переключатель | 5мА | Отключение 2,5 мТ, освобождение 0,3 мТл | 1,3 мА | 25°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SP3125TU,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD, плоские выводы | 1 | УФ6 | Трехуровневый, неинвертированный | Однонаправленный | Уровень напряжения | 1,1 В~2,7 В | 1,65 В~3,6 В | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HN2D01FTE85LF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74, СОТ-457 | 12 недель | EAR99 | 300мВт | 125°С | Другие диоды | 80 мА | 1А | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 4 нс | Стандартный | 80В | 80 мА | 500 нА при 80 В | 1,2 В @ 100 мА | 125°С Макс. | 3 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС392,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | да | Общий катод | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | Шоттки | 40В | 100 мА | 5 мкА при 40 В | 600 мВ при 100 мА | 125°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС300,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 3 | 12 недель | 6,208546 мг | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.70 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 125°С | Общий анод | 2 | Р-ПДСО-Г3 | 300 мА | 1,2 В | 2А | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 0,1 Вт | 4 нс | Стандартный | 80В | 100 мА | 0,1 А | 80В | 500 нА при 80 В | 1,2 В @ 100 мА | 125°С Макс. | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС307Э, Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | СК-79, СОД-523 | 12 недель | неизвестный | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | Стандартный | 80В | 100 мА | 6пФ @ 0В 1МГц | 80В | 10 нА при 80 В | 1,3 В @ 100 мА | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС405, Х3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-79, СОД-523 | 12 недель | неизвестный | 150 мВт | 1SS405 | Одинокий | 50 мА | 500 мВ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 1А | 500нА | 25 В | 1А | Шоттки | 20 В | 50 мА | 20 В | 3,9 пФ при 0 В 1 МГц | 500 нА при 20 В | 550 мВ при 50 мА | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SS361CT(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | 11 недель | EAR99 | неизвестный | 100мВт | 150°С | Общий катод | Выпрямительные диоды | 100 мА | 2А | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 500нА | 1,6 нс | Стандартный | 80В | 100 мА | 80В | 500 нА при 80 В | 1,2 В @ 100 мА | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТРС24Н65Д,С1Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-247-3 | 12 недель | 38.000013г | Общий катод | ТО-247 | 12А | 1,27 В | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 120А | 90 мкА | 650В | Шоттки | 650В | 12А | 650В | 90 мкА при 650 В | 1,7 В при 12 А | 12 А постоянного тока | 175°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КУХС20С40, Х3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2-SMD, плоский вывод | 12 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 290пФ @ 0В 1МГц | 40В | 300 мкА при 40 В | 470 мВ при 2 А | 2А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС403Э, Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | СК-79, СОД-523 | 12 недель | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 60нс | Стандартный | 3пФ при 0 В 1 МГц | 200В | 1 мкА при 200 В | 1,2 В @ 100 мА | 100 мА | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СС250(ТЭ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-1ss250te85lf-datasheets-0558.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 150 мВт | 1СС250 | Одинокий | СК-59 | 100 мА | 1,2 В | 2А | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 1 мкА | 250 В | 2А | 60 нс | Стандартный | 200В | 100 мА | 200В | 3пФ при 0 В 1 МГц | 200В | 1 мкА при 200 В | 1,2 В @ 100 мА | 100 мА | 125°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАС316,Х3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СК-76, СОД-323 | 12 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 3нс | Стандартный | 0,35 пФ при 0 В 1 МГц | 100 В | 200 нА при 80 В | 1,25 В при 150 мА | 250 мА | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRG04(TE85L,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | СОД-123Ф | 12 недель | 2 | неизвестный | Одинокий | 1А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 10 мкА | 600В | 15А | Стандартный | 600В | 1А | 10 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRS20I40B(TE85L,QM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОД-123Ф | 12 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 62пФ @ 10В 1МГц | 40В | 100 мкА при 40 В | 520 мВ при 2 А | 2А | 150°С Макс. |
