Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Емкость при частоте | Приложения | Полярность | Состав | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Прямой ток | Прямое напряжение | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Стабилитронное напряжение | Рабочее напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тестовый ток | Напряжение пробоя | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение – обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Обратное напряжение запирания | Обратное напряжение пробоя | Количество однонаправленных каналов | Мощность — пиковый импульс | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Допуск по напряжению | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Динамический импеданс-Макс. | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Текущий коэффициент передачи | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DF3A3.6FU(TE85L,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df3a36fute85lf-datasheets-9075.pdf | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | 110пФ при 1 МГц | Общего назначения | Диоды опорного напряжения | 0,1 Вт | Нет | 3,4 В | 2 | 1В | 3,6 В | 5,6% | 5мА | 130Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCL4202(TE85L,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 4-XFLGA | ТПК*202 | 500мВт | 2 N-канала (полумост) | 780пФ при 10 В | 1,2 В @ 200 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ5Г5М4Н,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df5g5m4nlf-datasheets-1277.pdf | 5-XFDFN | 12 недель | 0,2 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | Нет | 4В | 2А 8/20 мкс | 15 В | 3,6 В Макс. | 5 | 30 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPH3R704PC,LQ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerVDFN | 16 недель | 40В | 830 мВт Ta 90 Вт Tc | N-канал | 3615пФ при 20 В | 3,7 мОм при 41 А, 10 В | 2,4 В @ 300 мкА | 82А Тс | 47 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ2С6.2КТ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s62ctl3f-datasheets-3426.pdf | СОД-882 | 12 недель | 32пФ при 1 МГц | Общего назначения | Зенер | КСТ2 | Нет | 5,8 В | 5В | 1 | 5В | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ5Г10ТУ(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСIII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 6-SMD (5 выводов), плоский вывод | 5 | Нет | 1,5 А | 8В | 20 В | 500мВт Та | P-канал | 250пФ при 10В | 213 мОм при 1 А, 4 В | 1 В при 1 мА | 1,5 А Та | 6,4 нК при 4 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2S6M4CT,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s6m4ctl3f-datasheets-5410.pdf | СОД-882 | 12 недель | 0,35 пФ @ 1 МГц | Нет | 5,6 В | 2А 8/20 мкс | 15 В | 5,5 В Макс. | 1 | 30 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПХ1Р405ПЛ,Л1К | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerVDFN | 12 недель | 45В | 960 мВт Ta 132 Вт Tc | N-канал | 6300пФ при 22,5 В | 1,4 мОм при 50 А, 10 В | 2,4 В при 500 мкА | 120А Тс | 74 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ2С5М4СЛ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s5m4sll3f-datasheets-5580.pdf | 0201 (0603 Метрическая система) | 2 | 12 недель | EAR99 | 0,35 пФ @ 1 МГц | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | 1 | Р-ПДСО-Н2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 3,6 В | 30 Вт | Нет | 3,7 В | 2А 8/20 мкс | 15 В | 3,6 В Макс. | 1 | 30 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПХ1Р005ПЛ,Л1К | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | 8-PowerVDFN | 12 недель | 8 | 8-СОП Прогресс (5x5) | 9,6 нФ | 150А | 45В | 960 мВт Ta 170 Вт Tc | N-канал | 9600пФ при 22,5 В | 1,04 мОм при 50 А, 10 В | 2,4 В @ 1 мА | 150А Тс | 99 нК при 10 В | 1,04 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF5A5.6FTE85LF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df5a56fte85lf-datasheets-9066.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 5 | EAR99 | 65пФ при 1 МГц | Общего назначения | Однонаправленный | 200мВт | Общий анод | 200мВт | 4 | Диоды опорного напряжения | 5,6 В | 2,5 В | 5мА | 5,3 В | Нет | 2,5 В | 4 | 5,6 В | 6% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3K16CT,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | π-МОСИВ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 20 В | 100 мВт Та | N-канал | 9,3 пФ при 3 В | 3 Ом при 10 мА, 4 В | 1,1 В @ 100 мкА | 100 мА Та | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2S23P1CT,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | СОД-882 | 12 недель | 26пФ при 1 МГц | Общего назначения | Нет | 21,5 В | 5,5 А 8/20 мкс | 45В | 21 В Макс. | 1 | 250 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3J65CTC,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСВИИ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 20 В | 500мВт Та | P-канал | 48пФ при 10В | 500 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 1 мА | 700 мА Та | 1,2 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ2С8.2КТ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s82ctl3f-datasheets-9147.pdf | СОД-882 | 12 недель | 20пФ @ 1МГц | Общего назначения | Зенер | КСТ2 | Нет | 7,7 В | 6,5 В | 1 | 6,5 В | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6К404ТУ,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 20 В | 500мВт Та | N-канал | 400пФ при 10В | 55 мОм при 2 А, 4 В | 1 В при 1 мА | 3А Та | 5,9 нК при 4 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP523-4(LF1,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК17А80В,С4С | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | $2,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ДТМОСИВ | Сквозное отверстие | 150°С | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 Полный пакет | 18,1 мм | 16 недель | 1 | 45 Вт | 150°С | ТО-220СИС | 58 нс | 80 нс | 17А | 20 В | 800В | 45 Вт Тс | 250мОм | 800В | N-канал | 2050пФ при 300В | 290 мОм при 8,5 А, 10 В | 4 В @ 850 мкА | 17А Та | 32 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP523(АДЧИ-ПП,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПХ5Р906НХ,L1Q | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tph5r906nhl1q-datasheets-0970.pdf | 8-PowerVDFN | 12 недель | 8 | 28А | 60В | 1,6 Вт Та 57 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 30 В | 5,9 мОм при 14 А, 10 В | 4 В @ 300 мкА | 28А Та | 38 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП350(Д4,З,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТП86Р203НЛ,ЛК | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | $3,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 850,995985мг | 8 | Нет | 1 | 8-СОП | 1,4 нФ | 11 нс | 4нс | 3,5 нс | 20 нс | 19А | 20 В | 30В | 1 Вт Тс | 7мОм | N-канал | 1400пФ при 15В | 6,2 мОм при 9 А, 10 В | 2,3 В @ 200 мкА | 19А Та | 17 нК при 10 В | 6,2 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП351(ЛФ5,З,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6К514НУ,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | 6-WDFN Открытая площадка | 12 недель | неизвестный | 40В | 2,5 Вт Та | N-канал | 1110пФ при 20В | 11,6 мОм при 4 А, 10 В | 2,4 В @ 100 мкА | 12А Та | 7,5 нК @ 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП350(Д4-ЛФ1,З,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПН2010ФНХ,L1Q | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-PowerVDFN | 12 недель | 8 | 1 | 8-ТСОН Адванс (3,3х3,3) | 600пФ | 14 нс | 5,2 нс | 4,5 нс | 19 нс | 5,6А | 20 В | 250В | 700 мВт Ta 39 Вт Tc | 168мОм | 250В | N-канал | 600пФ при 100В | 198 мОм при 2,8 А, 10 В | 4 В @ 200 мкА | 5,6А Та | 7 нК @ 10 В | 198 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП523-2(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ПДИП | Без свинца | 20 недель | 8 | Нет | 150 мВт | 2 | 150 мВт | 2 | Оптопара — транзисторные выходы | 50 мА | 1,3 В | 2,5 кВ | 50 мА | 5В | 1В | 55В | 150 мА | 2000 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCA8051-H(T2L1,ВМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСВИ-Х | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshiba-tpca8051ht2l1vm-datasheets-6062.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 14 недель | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2,8 Вт | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 28А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 1,6 Вт Та 45 Вт Тс | 255 мДж | N-канал | 7540пФ при 10 В | 9,4 мОм при 14 А, 10 В | 2,3 В при 1 мА | 28А Та | 91 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП250Ф(Д4-ЛФ4,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3ДЖ306Т(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 2,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 11 недель | 3 | 1 | Одинокий | Другие транзисторы | 16 нс | 35 нс | 2,4А | 20 В | 30В | 700мВт Та | -30В | P-канал | 280пФ при 15В | 117 мОм при 1 А, 10 В | 2,4А Та | 2,5 нК при 15 В | 4В 10В | ±20 В |
