Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Пакет устройств поставщика | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Емкость нагрузки | Время подъема | Осень (тип.) | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Задержка распространения | Непрерывный ток коллектора | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток низкого уровня | Ток покоя | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Обратное напряжение пробоя | Максимальное напряжение пробоя | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Количество входов | Количество ворот | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Тип логики | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Триггер Шмитта | Темный ток-Макс. | Макс. задержка распространения @ V, Макс. CL | Ток – режим покоя (макс.) | Логический уровень – низкий | Логический уровень – высокий | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74VHCT00AFT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74VHCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-74vhct00aft-datasheets-1865.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 14 | 14 недель | 14 | 4 | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | 74VHCT00 | 14 | 5,5 В | НЕ УКАЗАН | 4 | AHCT/VHCT/VT | NAND | 7,9 нс | 2мкА | 8мА 8мА | 2 | И-НЕ-ворота | 7,9 нс при 5 В, 50 пФ | 0,8 В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1711JE(TE85L,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | СОТ-553 | 12 недель | ДА | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZU04FUTF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SZU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc7szu04fuljct-datasheets-6212.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 1,8 В~5,5 В | 7СЗУ04 | 1 | УСВ | Инвертор | 5 нс | 16 мА | 16 мА | 2мкА | 16 мА 16 мА | 1 | Инвертор | 5 нс при 5 В, 50 пФ | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2971(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn2971te85lf-datasheets-7425.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 200мВт | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74LCX00FT(ЭЛ) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 74LCX | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2В~3,6В | НЕ УКАЗАН | 74LCX00 | НЕ УКАЗАН | 4 | 24 мА 24 мА | 2 | И-НЕ-ворота | 5,2 нс при 3,3 В, 50 пФ | 10 мкА | 0,8 В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1965ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | неизвестный | НПН | 100мВт | Двойной | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 5В | 80 | 100нА ИКБО | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74LCX02FT(ЭЛ) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 74LCX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74lcx02ftel-datasheets-7501.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 14 | 14 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,635 мм | 74LCX02 | Ворота | 3,3 В | 6 нс | НИ | 5,2 нс | 1 | 10 мкА | 24 мА 24 мА | 2 | 4 | НО-ворота | НЕТ | 5,2 нс при 3,3 В, 50 пФ | 0,8 В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1114(Т5Л,Ф,Т) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 16 недель | НПН | 100мВт | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 5В | 50 | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74HC10APF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74HC | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74hc10apf-datasheets-1266.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 | неизвестный | НЕТ | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | 2,54 мм | 74HC10 | Ворота | 2/6 В | 3 | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т14 | 50пФ | 5,2 мА 5,2 мА | И-НЕ-ворота | 0,004 А | 19 нс | НЕТ | 13 нс при 6 В, 50 пФ | 1 мкА | 0,5 В ~ 1,8 В | 1,5 В ~ 4,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2116МФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП131(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp131gbtprf-datasheets-3534.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | Без свинца | 16 недель | 5 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 200мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2305,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4-GR,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2009 год | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1407,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP293(БЛЛ,Е | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp293bltple-datasheets-4551.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | UL ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 80нА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2105АКТ(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | неизвестный | 100мВт | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 100мВт | 50В | 50В | 150 мВ | 80 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4-GRH,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2318(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН231* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 50 | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP183(ГРЛ,Е | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp183bltple-datasheets-6889.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | UL ПРИЗНАЛ | Нет | ДА | 200мВт | 1 | 1 | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 80нА | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2304(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/toshiba-rn2304te85lf-datasheets-4435.pdf | СК-70, СОТ-323 | 16 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН230* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2303(Е | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2303tple-datasheets-5260.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | 1 | 1,6 мА | 1,47 В | Транзистор | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 20 мА | 80 мА | 18В | 500% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1112КТ(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1113cttpl3-datasheets-8216.pdf | СК-101, СОТ-883 | ДА | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 300 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP130GBF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp130gbtprf-datasheets-3492.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 52 недели | 5 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1112ACT(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1112acttpl3-datasheets-8273.pdf | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | неизвестный | 100мВт | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 100мВт | 50В | 50В | 150 мВ | 80 мА | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292(BL-TPL,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp292gbtple-datasheets-6962.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 4 | да | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50000нА | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2102ACT(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 100мВт | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 100мВт | 50В | 50В | 150 мВ | 80 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4GH-TR,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1132МФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-723 | 12 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 200 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4GB-TR,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2310,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 16 недель | 28,009329мг | 3 | ПНП | 100мВт | Одинокий | УСМ | -100 мА | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | -50В | -5В | 120 | 100нА ИКБО | PNP — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм |
