Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Особенность | Приложения | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Тип логической ИС | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Размер памяти | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тип поставки | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток низкого уровня | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальное напряжение пробоя | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Время выключения-Макс. | Время включения-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Переключатель цепи | Форм-фактор | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1182-GR,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 150 мВт | 30 В | 500 мА | 100нА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3325-О(ТЭ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | $6,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 200мВт | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 200мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 500 мА | 100нА ИКБО | НПН | 70 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2070(ТЕ12Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-243АА | 4 | 1 Вт | 1 Вт | 1 | 50В | 200 мВ | 1А | 50В | 7В | 100нА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 200 мВ при 10 мА, 300 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1162-Y,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 7,994566мг | да | 150 мВт | Одинокий | 80 МГц | 150 мВт | 50В | 50В | 100 мВ | 50В | 150 мА | 50В | 5В | 70 | 100 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 2 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5242-О(К) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | Непригодный | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | 230В | 15А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | Нет | 130 Вт | 2SC5242 | Одинокий | 130 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 230В | 400мВ | 230В | 15А | 30 МГц | 230В | 5В | 80 | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1020-Y(T6CANOFM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa1020ofj-datasheets-0961.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1428-O,T2CLAF(М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa1428ot2clafm-datasheets-1005.pdf | СК-71 | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1837(ПАИО,Ф,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa1837fm-datasheets-6654.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 2 Вт | 230В | 1А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 70 МГц | 1,5 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA949-Y,Ф(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa949yte6fm-datasheets-1022.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 800мВт | 150 В | 50 мА | 100нА ИКБО | ПНП | 70 @ 10 мА 5 В | 120 МГц | 800 мВ при 1 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1020-Y(T6ND1,AF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa1020ofj-datasheets-0961.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA949-Y,ОНК-1Ф(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa949yte6fm-datasheets-1022.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 800мВт | 150 В | 50 мА | 100нА ИКБО | ПНП | 70 @ 10 мА 5 В | 120 МГц | 800 мВ при 1 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA965-Y(T6CANO,FM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa965ote6fm-datasheets-1079.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ЛСТМ | 900мВт | 120 В | 800 мА | 100нА ИКБО | ПНП | 80 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2229-Y(T6MITIFM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2229omitifm-datasheets-1094.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 800мВт | 150 В | 50 мА | 100нА ИКБО | НПН | 70 @ 10 мА 5 В | 120 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2235-Y(T6CANOFM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2235ot6asnfm-datasheets-1115.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 900мВт | 120 В | 800 мА | 100нА ИКБО | НПН | 80 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2655-Y(ХИТ,Ф,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2655yt6canofm-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA965-Y(Ф,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | $4,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa965ote6fm-datasheets-1079.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ЛСТМ | 900мВт | 120 В | 800 мА | 100нА ИКБО | ПНП | 80 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA949-О(ТЕ6,Ф,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa949yte6fm-datasheets-1022.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 800мВт | 150 В | 50 мА | 100нА ИКБО | ПНП | 70 @ 10 мА 5 В | 120 МГц | 800 мВ при 1 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5171(ОНК,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5171qj-datasheets-1207.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 2 Вт | 180 В | 2А | 5 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 200 МГц | 1 В при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6010(Т2МИТУМ,ФМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc6010t2mitumfm-datasheets-1244.pdf | СК-71 | 1 Вт | 600В | 1А | 100 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В при 75 мА, 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5459(ТОДЖС,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5459tojsqm-datasheets-1338.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 400В | 3А | 100 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 300 мА 5 В | 1 В при 150 мА, 1,2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7USB42MU,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 1 мкА | Соответствует RoHS | 2013 год | 10-UFQFN | 1,8 мм | 500 мкм | 1,4 мм | 1,5 ГГц | 12 недель | 10,007382мг | 4,3 В | 2,3 В | 14Ом | 10 | USB 2.0 | USB | 200мВт | 2 | 10-УКФН (1,8х1,4) | 1,5 ГГц | SPDT | 20 нс | 24 нс | Одинокий | 14Ом | 2:1 | 2,3 В~4,3 В | SPDT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4W53FUTE12LF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,3 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,110, 2,80 мм) | 2,9 мм | 2,8 мм | 8 | 32 недели | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | 4W53 | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 18В | 3В | 2 | ОДНОСТОРОННИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | НЕ УКАЗАН | Мультиплексор или коммутаторы | 5/18 В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 950Ом | 10Ом | 450 нс | 550 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2257(КАНО,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2257kehinqj-datasheets-6764.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 100 В | 3А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 2А 2В | 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7WBL3305CFK,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-VFSOP (ширина 0,091, 2,30 мм) | 10 мкА | 12 недель | 29,993795мг | 3,6 В | 1,65 В | 27Ом | 8 | 200мВт | 2 | ВОДИТЕЛЬ АВТОБУСА | -50 мА | 50 мА | 19Ом | 1,65 В~3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDEPV20GEA51F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | MG06ACA | 5°К~55°К | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 6 недель | 5В 12В | 10 ТБ | 3,5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6P35AFE,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСВИИ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 20 В | 150 мВт Та | 2 P-канала (двойной) | 42пФ при 10 В | 1,4 Ом при 150 мА, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 250 мА Та | Ворота логического уровня, привод 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н68НУ,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 6-WDFN Открытая площадка | 12 недель | 30 В | 2 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 129пФ при 15В | 84 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 4А Та | 1,8 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N37FU,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 20 В | 300мВт | 2 N-канала (двойной) | 12пФ @ 10В | 2,2 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 250 мА Та | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПВ1Р306ПЛ,Л1К | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 260А | 60В | 960 мВт Ta 170 Вт Tc | N-канал | 8100пФ при 30 В | 1,29 мОм при 50 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 260А Тс | 91 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3K344R,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСVII-H | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | SOT-23-3 Плоские выводы | 12 недель | СОТ-23Ф | 20 В | 1 Вт Та | N-канал | 153пФ при 10 В | 71 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 3А Та | 2 нК при 4 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В |
