Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Рабочий ток питания | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Емкость | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Входное напряжение смещения (Vos) | Скорость нарастания | Количество цепей | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Стиль завершения | Тип выхода | Схема | Напряжение — вход | Выбросить конфигурацию | Тип реле | Напряжение – нагрузка | Ток нагрузки | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальное напряжение изоляции | Особенности монтажа | Время подъема | Осень (тип.) | Тип усилителя | Продукт увеличения пропускной способности | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение пробоя | Прямое напряжение-Макс. | Тип диода | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Темный ток-Макс. | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Емкость @ Вр, Ф | Емкость диода-ном. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Ток – входное смещение | Коэффициент емкости | Состояние коэффициента емкости |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP785(Y-TP6,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | УТВЕРЖДЕНО UL | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC75S54F,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100 мкА | Соответствует RoHS | 2010 год | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 2мВ | 0,7 В/мкс | 1 | Общего назначения | 700 мкА | 3,5 В~7 В ±0,9 В~1,8 В | 1пА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(LF7,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC75S55F,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,97 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 10 мкА | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | TC75S55 | 2мВ | 0,08 В/мкс | 1 | Общего назначения | 160 кГц | 450 мкА | 1,8 В~7 В ±0,9 В~3,5 В | 1пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4-GRH,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 150% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP7820(А,TL,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Трубка | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127(ТРОЙНИК-TPL,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tlp127teetplf-datasheets-4019.pdf | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 18 недель | 4 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 50 мА | Дарлингтон | 50 мА | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,2 В | 300В | 150 мА | 1,15 В | 40 мкс 15 мкс | 4000 % | 150 мА | 300В | 200нА | 1000% при 1 мА | 50 мкс, 15 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СВ270ТПХ3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshiba-1sv270tph3f-datasheets-5747.pdf | СК-76, СОД-323 | 15пФ | 12 недель | EAR99 | Нет | 1СВ270 | Варакторы | Одинокий | 10 В | 8,7 пФ @ 4 В 1 МГц | 16пФ | 2 | С1/С4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127(V4-TPL,U,F) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 1 | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 40 мкс 15 мкс | 50 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3442(TP,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП3442 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp3442tpf-datasheets-1831.pdf | 4-СМД (0,096, 2,45 мм) | 12 недель | неизвестный | 8541.40.95.00 | 65°С | -20°С | 1 | Вкладка SMD (SMT) | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,27 В постоянного тока | 0 В~40 В | 100 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ССР | 0,02 А | 300В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП781Ф(АББ-ТП7,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | да | UL ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Sn) | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP174GA(ТП,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП174ГА | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp174gatpf-datasheets-1163.pdf | 4-СОП (0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 12 недель | 35Ом | 4 | Нет | 1,3 В | 1 | 120 мА | 400В | 120 мА | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,15 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0В~400В | 1,5 кВ | 50 мА | 35Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4-YH-LF6,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 75% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП176Д(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП176Д | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp176df-datasheets-6346.pdf | 4-СОП (0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 12 недель | 8Ом | 4 | Нет | 1,3 В | 1 | 200 мА | 200В | 200 мА | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,15 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0 В~200 В | 1,5 кВ | 50 мА | 8Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП127(МБС-ТПЛ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 1 | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 40 мкс 15 мкс | 50 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP241A(TP1,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП241А | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/mikroelektronika-mikroe3319-datasheets-3354.pdf | 4-СМД (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | 4 | неизвестный | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,27 В постоянного тока | 0 В~40 В | 2А | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ССР | 150 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP120(ГБ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tlp120gbf-datasheets-4359.pdf | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 4 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП176А(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП176А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp176af-datasheets-8021.pdf | 4-СОП (0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 16 недель | 2Ом | 4 | Нет | 1,3 В | 1 | 400 мА | 60В | 400 мА | 10 мА | 1,3 В | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,15 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0 В~60 В | 1,5 кВ | 50 мА | 5В | 2Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП137(ТПЛ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2007 год | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 16 недель | 5 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | Транзисторный выход оптопара | 8 мкс | 8 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 80В | 50 мА | 1,15 В | 8 мкс 8 мкс | 100% при 1 мА | 1200% при 1 мА | 10 мкс, 8 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP176D(ТП,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП176Д | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp176df-datasheets-6346.pdf | 4-СОП (0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,15 В постоянного тока | 0 В~200 В | 200 мА | 50 мА | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 0,05А | 1500В | 0,0015 с | 1,3 В | 8Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП751(Д4-ТП1,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор с базой | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 25 мА | 8мА | 15 В | 10% при 16 мА | 200 нс, 1 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП170Г(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП170Г | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp170gf-datasheets-1548.pdf | 4-СОП (0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 12 недель | 50Ом | 4 | Нет | 1,3 В | 1 | 100 мА | 350В | 100 мА | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,15 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0В~350В | 1,5 кВ | 50 мА | 50Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP532(МБС,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП176ГА(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП176ГА | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp176gatpf-datasheets-7858.pdf | 4-СОП (0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 16 недель | 35Ом | 4 | Нет | 1,15 В | 1,3 В | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 400В | 120 мА | 10 мА | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,15 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0В~400В | 1,5 кВ | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ССР | 35Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP121(БЛ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП197Г(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП197Г | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp197gf-datasheets-5418.pdf | 6-СОП (0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 12 недель | 35Ом | 6 | Нет | 1,3 В | 1 | 120 мА | 350В | 120 мА | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,15 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0В~350В | 1,5 кВ | 50 мА | 35Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП551(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | Транзистор с базой | 25 мА | 0,025А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 8мА | 15 В | 10% при 16 мА | 300 нс, 1 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП206А(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП206А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp206af-datasheets-6110.pdf | 8-СОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 9,4 мм | 50 мА | 2 мм | 4,4 мм | 12 недель | 8 | Нет | 1,3 В | 2 | 400 мА | 60В | 400 мА | 7,5 мА | 1,3 В | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 форма А) х 2 | 1,15 В постоянного тока | 0 В~60 В | 1,5 кВ | 50 мА | 1 мс | 1 мс | 5В | 2Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП785(Д4-ЛФ6,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP4227G-2(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TLP4227G-2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | ПК-контакт | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp4227gf-datasheets-3459.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 12 недель | 25Ом | 8 | Нет | 1,3 В | 2 | 150 мА | 350В | 150 мА | 5мА | 1,3 В | ПК-контакт | переменный ток, постоянный ток | SPST-NC (1 форма B) x 2 | 1,15 В постоянного тока | ДПСТ | Реле | 0В~350В | 2,5 кВ | 50 мА | 5В | 25Ом |
